技术特征：
技术总结
本发明涉及一种制造用于光刻工艺的掩模结构的方法，该方法包括：‑提供在其一侧上覆盖有吸收层的基材，‑在吸收层上方提供包括至少一个开口的图案化层，‑在至少一个开口中形成至少一个辅助掩模特征；其中，至少一个辅助掩模特征通过进行定向自组装(DSA)图案化工艺形成，该工艺包括诱导设置在至少一个开口中的BCP材料相分离为第一部分和第二部分，所述第一部分是至少一个辅助掩模特征并且相对于第二部分周期性分布。
技术研发人员：E·加拉赫;R·格罗恩海德;J·多伊斯;I·莫池
受保护的技术使用者：IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学
技术研发日：2018.09.03
技术公布日：2019.04.12