专利名称：使用导电针用于光掩模的抗静电方法
技术领域：
本发明涉及用于包括导电光屏蔽层的光掩模的抗静电方法。
在电子束曝光装置中，当光掩模电子被充电时，电子束的轨迹被充电的电子弯折，从而不可能在光掩模上绘出准确图形。
另一方面，光掩模一般是通过玻璃基片、玻璃基片上的由Cr制成的光屏蔽层、光屏蔽层上的由CrO制成的反射避免(reflection avoiding)层，以及反射避免层上的电子束阻挡(resist)层制成的。这个光掩模放置在电子束曝光装置的暗盒(cassette)中，用于在其上绘制图形。
为避免光掩模中的电子，即其光屏蔽层中的电子被充电，在暗盒中被弹簧支撑的导电针插入光掩模中。这样，在光屏蔽层充电的电子有效地从导电层放电。这种情况下，如果施加于导电针的力不够，则不可能使导电针穿过电子束阻挡层和反射避免层。结果，导电针不会与光屏蔽层接触。与此相反，如果施加于导电针的力太强，则过量的作用力作用到光掩模，结果，光掩模畸变或变形，从而也不可能在光掩模上绘成准确的图形。
在第一现有技术用于光掩模的抗静电方法中，与光屏蔽层相比，反射避免层的尺寸减小了，结果导电针很容易地穿透电子束阻挡层，到达光屏蔽层，这是由于导电针下面没有反射避免层(见JP-A-4-371952)。这将在后面详细描述。
然而在第一现有技术光掩模中，通过汽化处理在光屏蔽层上形成反射避免层需要覆盖光屏蔽层外周边的夹具，所以反射避免层的厚度变得不均匀，特别是在这个夹具的边缘周围。
在第二现有技术光掩模中，导电针与电子束阻挡层接触，另外，高电源电极穿透电子束阻挡层并到达光屏蔽层。此状态中，当高电源电压施加于高电源电极时，在导电针和光屏蔽层之间的电子束阻挡层部分被静电破坏，从而导电针与光屏蔽层接触(见JP-A-2-125416)。这也将在后面详细描述。然而第二现有技术光掩模，使装置复杂化，所以制造成本高。
本发明的目的是提供一种用于光掩模的改进的抗静电方法。不需减小反射避免层的尺寸并且不需要复杂的装置。
根据本发明，在用于包括导电光屏蔽层的光掩模的抗静电方法中，至少两个导电针插入光掩模，从而使导电针与导电光屏蔽层接触。然后，光掩模放置在电子束曝光装置的暗盒中。再通过导电板使导电针与暗盒电连接。这样，在导电光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从导电针向暗盒放电。
通过参照附图并与现有技术对比，使本发明更清楚地被理解，其中图1A是表示第一现有技术光掩模的平面图；图1B是沿图1A中的线Ⅰ-Ⅰ截取的剖面图；图1C是其中设置有图1A和1B的光掩模的电子束曝光装置的暗盒平面图；图1D是在图1C的导电针周转的光掩模的剖面图；图2是第二现有技术光掩模的截面图；图3A是根据本发明导电针安装装置的透视图；图3B是根据本发明导电针支架的透视图；图3C是根据本发明光掩模的透视图；图4是沿图3A的线Ⅳ-Ⅳ截面的剖面图；图5是沿图3C的线Ⅴ-Ⅴ截取的剖面图；图6A、6B、6C和6D是用于解释图3A的导电针安装装置的操作的示意图；图7A是其中设置图3C的光掩模的电子束曝光装置的暗盒的平面图；图7B是沿图7A的线Ⅶ-Ⅶ截取的剖面图；在说明优选实施例之前，首先参照图1A、1B、1C、1D和图2解释现有技术光掩模。
图1A表示第一现有技术光掩模，图1B是沿图1A的线Ⅰ-Ⅰ截取的剖面图(见JP-A-4-371952)。在图1A和1B中，参考标记101表示其上形成由Cr制成的光屏蔽层102的玻璃基片。而且，在光屏蔽层102上形成CrO制成的反射避免层103，这样，通过在晶片曝光处理过程中多次反射可以抑制图形的准确性的减少。此情况下，与光屏蔽层102相比，反射避免层103尺寸减小了，因而光屏蔽层102的外周边暴露出来。
电子束阻挡层104，在图1A和1B中未示出，但在图1C和1D中示出了，涂覆在图1A和1B的光掩模的整个表面上。然后，如图1C所示，光掩模被设置在电子束曝光装置的暗盒105中。然后在光掩模上设置导电板(弹簧)106。结果，由于在导电针106a的下面没有反射避免层，如图1D所示，所以导电板106的导电针106a很容易地穿透电子束阻挡层104，到达光屏蔽层102。这样，在光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从导电板106放电。
在如图1A-1D所示的第一现有技术光掩模中，由于通过汽化处理在光屏蔽层102上形成反射避免层103需要覆盖光屏蔽层102的外周边的夹具，所以反射避免层103的厚度不均匀，特别是在这个夹具的边缘周围。
在表示第二现有技术光掩模的图2中(见JP-A-2-125416)中，由玻璃基片201、Cr形成的光屏蔽层202和电子束阻挡层203形成的光掩模200放置在电子束曝光装置的暗盒204上。应指出，光掩模可以包括在光屏蔽层202和电子束阻挡层203之间的反射避免层(未示出)。而且，在暗盒204由弹簧片206支撑的导针205与电子束阻挡层203接触。另外，高电源电极207穿透电子束阻挡层203并到达光屏蔽层202。在此状态，当高电源电压施加于高电源电极207时，在导电针205和光屏蔽层202之间的部分电子束阻挡层203被静电破坏，从而使导电针205与光屏蔽层202电接触。然后，除去高电源电极207。这样，在光屏蔽层202被电子束充电的电子有效地从导电针205放电。
然而，图2中所示第二现有技术光掩模使装置复杂，从而使制造成本增加。
下面参照
根据本发明的抗静电系统的实施例。
图3A是表示根据本发明导电针安装装置1的透视图，图3B是表示根据本发明导电针支架2的透视图，图3C是表示根据本发明光掩模3的透视图。
图3A的导电针安装装置1从图3B所示的导电针支架2拾起导电针21并将导电针21安装于图3C所示的光掩模3上。
图3A的导电针安装装置，将在下面详细说明。
基座11通过由滚筒或气缸(未示出)驱动的转轴12是可动的。也就是，转轴12可以在垂直方向上下移动，可以在水平方向移动，并且沿着它的轴可转动。而且，两吸臂13与基座11相连并与两空气吸管14相连，其中空气吸管14与真空源(未示出)相连。每个吸臂13都是由具有吸垫15的空筒形成，用于吸取导电针21。吸垫15形成由微分子材料制成的空筒。
由Cu等材料制成的电阻探测针16固定于吸臂13的侧面上；但是，电阻探测针16与吸臂13是电绝缘的。也即电阻探测针16除了它们端部外都被胶等覆盖。因此，当吸垫15与导电针21接触时，电阻探测针16也与导电针21接触。
电阻探测针16通过电线17与电阻测量计18连接，这样就可检测电阻探测针16之间的电阻。电阻测量计18可以显示从零欧姆到无穷大欧姆的电阻值。
而且，在基座11上提供力调节单元19，用于调节施加于导电针的力。也即如表示沿图3A的线Ⅳ-Ⅳ截取的剖面图的图4所示，每个力调节单元19由固定在基座11上的外壳191和在吸臂阶状部分13a推动吸臂13的弹簧192。弹簧192被密封在外壳191中。这样，施加于吸臂13的力可以通过弹簧192的张力调节。
参见图3C，导电针21排成两列，这样图3A的导电针安装装置可以容易地拾起导电针21。
图3B的导电针21和图3C的光掩模3将在下面参照图5详细说明。光掩模3是由玻璃基片31和Cr等制成的光屏蔽层32及CrO等制成的反射避免层33制成的。而且，在反射避免层33上淀积电子束阻挡层33。导电针21是具有至少一个锥形突起21a的圆形或多边形。导电针21的锥形突起21a的圆形或多边形。导电针21的锥形突起21a穿透电子束阻挡层34和反射避免层33并到达光屏蔽层32。这样，在光屏蔽层32被电子束充电的电子有效地从导电针21放电。
下面参照图6A、6B、6C和6D说明图3A的导电针安装装置1的操作。
首先，参见图6A，导电针安装装置1向下移动到导电针支架2。结果，导电针支架2上的两导电针21被吸臂13吸取。此情况下，由于在吸臂13的端部上存在绝缘吸垫15，所以吸臂13与导电针21电绝缘。另一方面，电阻探测针16与导电针21接触，结果，电阻测量计18显示主要由导电针支架2确定的例如1000Ω的电阻值。
其次，参见图6B，导电针安装装置1向上运动。结果导电针21之间的连接断开，从而电阻测量计18显示例如∞Ω的电阻值。
接着，参见图6C，导电针安装装置1向下移动到光掩模3。这将继续直到电阻测量计18显示主要由光屏蔽层32确定的例如1000Ω的电阻值为止。也即，在此状态下，突起21a穿透电子束阻挡层34和反射避免层33，到达光屏蔽层32(见图5)。应注意，施加于光掩模3的力由图4所示的力调节单元19调节为最佳值。
最后，参见6D，停止由吸臂13对导电针21的吸取，并向上移动导电针安装装置1。
此后，如图6D所示安装导电针21的光掩模3置于电子束曝光装置的暗盒71中，如图7A和7B所示。然后Cu制成的导电板(弹簧)72在导电针21和暗盒71之间耦合。这样，在光掩模3的光屏蔽层32被充电的电子经过导电板72从导电针21向暗盒71有效地放电。
图5中，虽然施加于光掩模的力由使用弹簧192的力调节单元19调节，但是力调节单元19可以由使用空气压力或流体压力的力调节单元代替。
如上所述，根据本发明，由于导电针穿透光掩模同时检测其间的电阻，所以导电针可以可靠地与光屏蔽层接触。结果在光屏蔽层被电子束充电的电子可以有效地从导电针放电。另外，由于施加于导电针的力由使用弹簧或其它类似物的力调节单元调节，所以可以避免施加给光掩模过量的力，这样就防止了光掩模的变形。
权利要求
1．一种用于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)的抗静电方法，包括以下步骤把至少两上导电针插入所述光掩模，从而使所述导电针与所述导电光屏蔽层接触；在把所述导电针插入所述光掩模之后把所述光掩模置于电子束曝光装置的暗盒(71)中；通过导电板(72)把所述导电针电连接到所述暗盒，以使在所述导电光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从所述导电针向所述暗盒放电。
2．如权利要求1的方法，还包括通过检测所述导电针之间的电阻是否低于预定值来检测所述导电针是否与所述导电光屏蔽层接触的步骤。
3．如权利要求1的方法，其中所述插入步骤是通过对施加于所述光掩模的力进行调节的力调节单元(19)把所述导电针插入所述光掩模的。
4．一种用于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)的抗静电方法，包括以下步骤通过使用一个在其端部具有吸垫(15)的吸臂从导电针支架(2)拾取至少两个导电针(21)，并使接触电阻探测针(16)与所述导电针接触；把所述导电针移动到所述光掩模并将所述导电针插入所述光掩模，直到所述导电针之间的电阻值低于预定值为止；在将所述导电针插入所述光掩模之后使吸臂释放所述导电针；在所述吸臂从所述导电针除去后把所述光掩模置于电子束曝光装置的暗盒(71)中并将所述导电针电连接到所述暗盒上。
5．一种用于把抗静电导电针(21)安装于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)上的导电针安装装置，包括至少两个吸臂(13)，用于吸取所述导电针；至少两上电阻探测针(16)，每个分别设置于所述吸臂的侧面，用于与所述导电针电接触；电阻测量计(18)，与所述电阻探测针相连，用于探测所述电阻探测针之间的电阻值。
6．如权利要求5的装置，还包括至少两个绝缘吸垫(15)，其每个设置在所述吸臂的一端。
7．如权利要求5的装置，还包括至少两个力调节单元(19)，其每个为所述吸臂之一提供，用于调节由所述吸臂之一施加于所述光掩模的力。
8．如权利要求7的装置，其中每个所述力调节单元包括用于推动所述吸臂之一的弹簧(192)。
9．一种用于电子束装置中的光掩模(3)的抗静电导电针，其特征在于，它是具有至少一个锥形突起(21a)的圆形的。
10．一种用于电子束装置中的光掩模(3)的抗静电导电针，其特征在于它是具有至少一个锥形突起(21a)的多边形的。
全文摘要
在用于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)的抗静电方法中,至少两个导电针插入光掩模,从而导电针与导电光屏蔽层接触。然后,光掩模被置于电子束曝光装置的暗盒(71)中。再通过导电板(72)使导电针与暗盒电连接。这样,在导电光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从导电针向暗盒放电。
文档编号G03F1/20GK1209641SQ9811763
公开日1999年3月3日 申请日期1998年8月24日 优先权日1997年8月22日
发明者山崎浩 申请人:日本电气株式会社