Tft阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤指一种TFT阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]目前液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)通过控制液晶分子的旋转方向和旋转角度来控制穿透液晶层的光亮，从而显示各种灰度的图像，其具有高画面质量、体积小、重量轻等优点，广泛应用于移动电话、笔记本电脑、电视机以及显示器等产品中。通常情况下，为了使大部分液晶分子的长轴方向有规律的排列，LCD中的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)阵列基板上形成有配向膜。
[0003]现有的TFT阵列基板，如图1a所示，衬底基板001上设置有显示区域(AA区)和多个(图1a中以2个为例)布线区域(PAD区)，每两个PAD区之间的区域为呈三角状的公共电极金属层002所在区域，其中，公共电极金属层所在区域的高度通常小于或等于显示区域的高度；图1b为图1a中公共电极金属层所在区域沿A-A’方向的剖面结构示意图，包括:衬底基板001，依次设置在衬底基板001上的公共电极金属层002和绝缘层003。在进行配向膜涂覆的过程中通常选用喷墨印刷方式，喷墨印刷方式涂覆后，配向膜溶液扩散时，由于常规设计的公共电极金属层所在区域呈三角状且整体表面是平坦的，配向膜溶液很容易由两端向两个PAD交界缝隙处即三角公共电极金属所在区域聚集并向外扩散，导致显示区域的配向膜溶液减少且分布不均匀，进而导致高温固化时配向膜偏薄且均匀性较差，易发生云纹不良。
[0004]因此，如何实现显示区域的配向膜厚度较均匀，改善云纹不良，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供一种TFT阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，可以使显示区域的配向膜溶液能够均匀分布，避免云纹不良，进而提高显示面板的品质。
[0006]因此，本发明实施例提供了一种TFT阵列基板，包括:衬底基板，设置在所述衬底基板上位于两个PAD区域之间呈三角状的公共电极金属层，以及设置在所述公共电极金属层上的绝缘层，所述PAD区域为所述TFT阵列基板上的显示区域外围的布线区域；其中，
[0007]所述绝缘层的表面具有至少一个第一凹槽。
[0008]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，还包括:设置在所述绝缘层上且与所述绝缘层直接接触的透明导电层；所述透明导电层具有与所述绝缘层的第一凹槽相匹配的第二凹槽，且所述透明导电层通过所述第一凹槽与所述公共电极金属层电性相连。
[0009]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，所述公共电极金属层的至少一部分的表面上具有与所述绝缘层的第一凹槽位置对应的第三凹槽。
[0010]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，所述公共电极金属层与所述TFT阵列基板的栅极同层设置；
[0011]所述绝缘层包括在所述衬底基板上层叠设置的栅绝缘层和钝化层，至少一个所述第一凹槽位于所述栅绝缘层和钝化层之间。
[0012]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，还包括:在所述衬底基板和所述公共电极金属层之间设置有第二电极金属层。
[0013]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，所述公共电极金属层与所述TFT阵列基板的源漏极同层设置；
[0014]所述绝缘层为钝化层，所述钝化层具有至少一个所述第一凹槽。
[0015]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽的开口形状为条状或孔状。
[0016]本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述TFT阵列基板的制作方法，包括:
[0017]在衬底基板上形成公共电极金属层的图形；
[0018]在所述公共电极金属层上形成具有至少一个第一凹槽的绝缘层的图形。
[0019]在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述TFT阵列基板的制作方法，在所述形成具有至少一个第一凹槽的绝缘层的图形之后，包括:
[0020]在所述绝缘层上形成具有第二凹槽的透明导电层的图形，且所述透明导电层通过所述第一凹槽与所述公共电极金属层电性相连。
[0021]本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括相对设置的对向基板和TFT阵列基板，以及位于所述对向基板和TFT阵列基板之间的液晶层；其中，
[0022]所述TFT阵列基板为本发明实施例提供的上述TFT阵列基板。
[0023]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述液晶显示面板。
[0024]本发明实施例的有益效果包括:
[0025]本发明实施例提供的一种TFT阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，包括:衬底基板，设置在衬底基板上位于两个PAD区域之间呈三角状的公共电极金属层，以及设置在公共电极金属层上的绝缘层，PAD区域为TFT阵列基板上的显示区域外围的布线区域；其中，绝缘层的表面具有至少一个第一凹槽。由于在绝缘层上设置了至少一个第一凹槽，可以用来减弱配向膜溶液向公共电极金属层所在区域聚集并向外扩散，解决了显示区域的配向膜溶液减少且溶液分布不均匀，形成的配向膜厚度偏薄且均匀性较差，产生云纹不良的问题，达到了使显示区域的配向膜溶液能够均匀分布，避免云纹不良，进而提高显示面板的品质。
【附图说明】
[0026]图1a为现有技术中TFT阵列基板的俯视图；
[0027]图1b为图1a中公共电极金属层所在区域沿A-A’方向的剖面结构示意图；
[0028]图2a至图2f分别为本发明实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图；
[0029]图3a至图3c分别为本发明实施例提供的TFT阵列基板中公共电极金属层所在区域的俯视图；
[0030]图4至图7分别为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制作方法流程图。
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图，对本发明实施例提供的TFT阵列基板、其制作方法及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0032]其中，附图中各膜层的厚度和形状不反映TFT阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
。
[0033]本发明实施例提供了一种TFT阵列基板，如图2a所示，包括:衬底基板100，设置在衬底基板100上位于两个PAD区域之间呈三角状的公共电极金属层200，以及设置在公共电极金属层200上的绝缘层300，这里所指的PAD区域为TFT阵列基板上的显示区域外围的布线区域；其中，
[0034]该绝缘层300的表面具有至少一个第一凹槽A。
[0035]在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板，由于在公共电极金属层上方的绝缘层上设置了至少一个第一凹槽A(在构图工艺中，可以将第一凹槽A对应位置的绝缘层完全刻蚀掉或部分刻蚀掉，即第一凹槽A的深度小于或等于绝缘层的厚度)，可以用来减弱配向膜溶液向公共电极金属层所在区域聚集并向外扩散，解决了显示区域的配向膜溶液减少且溶液分布不均匀，形成的配向膜厚度偏薄且均匀性较差，产生云纹不良的问题，达到了使显示区域的配向膜溶液能够均匀分布，避免云纹不良，进而提高显示面板的品质。
[0036]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，为了能够减小公共电极金属层200的电阻，如图2b所示，该阵列基板还可以包括:设置在绝缘层300上且与绝缘层300直接接触的透明导电层400;该透明导电层400通过第一凹槽A与公共电极金属层200电性相连(此时，在构图工艺中，第一凹槽A对应位置的绝缘层300必须完全刻蚀掉，即第一凹槽A的深度等于绝缘层300的厚度)，这样由于透明导电层400通过第一凹槽A (相当于过孔)与公共电极金属层200电性相连，可以最大限度的降低公共电极金属层200的电阻，提高公共电极金属层200传递电信号时的信噪比，并且，该透明导电层400应具有与绝缘层300的第一凹槽A相匹配的第二凹槽B，需要说明的是，与第一凹槽A相匹配的第二凹槽B，具体是指透明导电层400直接填充第一凹槽A，但不填满，使得透明导电层400具有第二凹槽B。由于透明导电层400的表面具有第二凹槽B，同时也可以有效解决配向膜溶液扩散不均匀的问题，避免出现云纹不良。
[0037]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，为了提高透明导电层400与公共电极金属层200的接触能力，如图2c所示，该公共电极金属层200的至少一部分的表面上可以具有与绝缘层300的第一凹槽A位置对应的第三凹槽C (此时，在构图工艺中，公共电极金属层的顶层可以部分刻蚀掉，即第一凹槽和第三凹槽的总深度小于绝缘层和公共电极金属层的总厚度)。需要说明的是，第一凹槽A与第三凹槽C位置对应，具体制作工艺指的是可以通过同一构图工艺，经过曝光、刻蚀，同时形成第一凹槽A和第三凹槽C的图形。
[0038]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，如图2d所示，当公共电极金属层200与TFT阵列基板的栅极同层设置时，即公共电极金属层200的材料为栅极金属材料时，绝缘层300可以包括在衬底基板100上层叠设置的栅绝缘层301和钝化层302，为了使显示区域的配向膜溶液能够均匀分布，避免云纹不良，并且可以增加上下断差，至少一个第一凹槽A可以位于栅绝缘层301和钝化层302之间，即栅绝缘层301和钝化层302共具有至少一个第一凹槽A，具体在制作工艺中可以把栅绝缘层301和钝化层302作为一整体膜层，通过构图工艺，在这一整体膜层上形成第一凹槽A的图形。
[0039]进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，当公共电极金属层200与TFT阵列基板的栅极同层设置时，为了进一步减小公共电极金属层200的电阻，如图2e所示，该阵列基板还可以包括:在衬底基板100和公共电极金属层200之间设置有第二电极金属层500。此时TFT基板可以为高级超维转换(ADvanced Super Dimens1nSwitch，ADS)面板或平面转换(In-Plane Switching，IPS)面板中的TFT基板。
[0040]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述TFT阵列基板中，如图2f所示，当公共电极金属层200与TFT阵列基板的源漏极同层设置时，即公共电极金属层200的材料为源漏极金属材料时，绝缘层300可以为钝化层302，此时为了使显示区域的配向膜溶液能够均匀分布，避免云