一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]随着液晶显示技术的发展，平板显示器已经取代CRT(Cathode Ray Tube，阴极射线管)显示器成为显示器领域的主流产品。目前，常用的平板显示器包括IXD(LiquidCrystal Display，液晶显不器)和 OLED(Organic Light-Emitting D1de，有机发光二极管)显示器。在成像过程中，IXD显示器中每一液晶像素点都集成在TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)来驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示。
[0003]在ADS(ADvanced Super Dimens1n Switch，高级超维场转换技术)模式下，在阵列基板上形成有两层透明电极(可以由氧化铟锡ITO来制作)，通常将其中一层ITO电极应用为公共电极(Vcom)，而将另外一层ITO电极应用为像素电极(Vpixel)。传统结构中，通常像素电极位于公共电极的上方，如图1所示。这种结构下，公共电极为没有狭缝的结构，由于在没有狭缝的结构下，受到旁边像素的电场的干扰，容易发生混色。为了解决该问题，现有技术提出了 PCI (像素反转)结构，即公共电极位于像素电极上方，如图2所示。PCI结构下，由于栅线为逐行扫描，在对每一行栅线进行扫描时，所有数据线均将打开，为了避免数据线打开形成的电场造成液晶分子偏转，通过公共电极形成遮光部(公共电极与栅线/数据线(S/D)边缘之间部分)，其宽度需要不小于3um，这样，使得在公共电极之间最多可以形成I个狭缝，这降低了液晶效率，使得驱动电压升高。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，使得形成的公共电极狭缝个数可以包括至少两个，在避免相邻像素影响形成混色问题的同时，提高液晶效率。
[0005]本发明实施例提供一种阵列基板，包括交叉设置的多条栅线和多条数据线，所述交叉设置的多条栅线和多条数据线限定多个像素区域，每一所述像素区域包括薄膜晶体管，所述阵列基板还包括设置在所述薄膜晶体管和所述数据线上方的第一绝缘层，设置于第一绝缘层上方的金属层和位于金属层上方的第二绝缘层；以及设置在第二绝缘层上方的像素电极和公共电极，所述像素电极和公共电极之间设置有第三绝缘层，每个所述像素区域中的所述公共电极至少包括两个狭缝；其中，所述金属层覆盖所述数据线上方，所述像素电极通过至少贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
[0006]所述金属层通过贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的过孔与所述公共电极电连接。
[0007]所述金属层包括以下任一种或多种:钼、铜或者铝。
[0008]所述金属层的宽度大于所述数据线的宽度，且所述金属层的宽度中心与所述数据线的宽度中心位于同一直线上。
[0009]所述金属层的宽度为3?4um。
[0010]所述金属层的边缘与所述数据线的边缘之间的距离为0.8?1.5um。
[0011]相邻数据线之间的距离不大于14um。
[0012]本发明实施例提供一种显示面板，包括相对设置的彩色基板和上述的阵列基板。
[0013]本发明实施例提供一种制备阵列基板的方法，包括:
[0014]形成包括源漏极和数据线的图形；
[0015]形成第一绝缘层；
[0016]形成金属层，所述金属层位于所述第一绝缘层的上方，且所述金属层覆盖所述数据线上方；
[0017]形成第二绝缘层，并形成至少贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔；
[0018]形成像素电极，所述像素电极位于所述第二绝缘层的上方，且所述像素电极通过至少贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔与所述漏极电连接；
[0019]形成第三绝缘层；
[0020]形成公共电极，所述公共电极位于第三绝缘层上方，且所述公共电极至少包括两个狭缝。
[0021]本发明实施例提供的阵列基板制备方法，还包括:
[0022]形成至少贯穿所述第二绝缘层和第三绝缘层的过孔，所述金属层通过至少贯穿所述第二绝缘层和第三绝缘层的过孔与所述公共电极电连接。
[0023]本发明实施例提供的阵列基板制备方法，所述形成包括源漏极和数据线的图形的步骤之前，还包括:
[0024]在衬底基板上形成栅极；
[0025]在所述栅极上沉积栅绝缘层；
[0026]在所述栅绝缘层上形成有源层。
[0027]本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，在阵列基板中设置金属层实现原阵列基板中公共电极遮光部的功能，这样，在形成公共电极时，可以根据实际需要形成多个狭缝，从而能够减小相邻像素之间的影响，并提高液晶效率，降低驱动电压。
[0028]本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0029]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0030]图1为现有技术中，阵列基板的示意图；
[0031]图2为现有技术中，PCI结构的阵列基板的示意图；
[0032]图3为本发明实施例中，阵列基板的剖面示意图；
[0033]图4为本发明实施例中，阵列基板制备方法的实施流程示意图；
[0034]图5a-图5j为本发明实施例中，阵列基板制备过程中的示意图。
【具体实施方式】
[0035]为了避免相邻像素相互影响造成混色问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
[0036]以下结合说明书附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明，并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0037]本发明实施例提供的阵列基板，包括交叉设置的多条栅线和多条数据线，交叉设置的多条栅线和多条数据线限定多个像素区域，每一所述像素区域包括薄膜晶体管，如图3所示，本发明实施例提供的阵列基板还包括:
[0038]设置在薄膜晶体管和数据线上方的第一绝缘层31，设置于第一绝缘层上方的金属层32和位于金属层32上方的第二绝缘层33 ;以及设置在第二绝缘层上方的像素电极34和公共电极35，其中，像素电极34和公共电极35之间设置有第三绝缘层36，每一像素区域中的公共电极35至少包括两个狭缝。具体实施时，金属层32覆盖数据线上方，像素电极34通过贯穿第一绝缘层31和第二绝缘层33的过孔与薄膜晶体管的漏极电连接。
[0039]较佳的，具体实施时，金属层32可以通过贯穿第二绝缘层33和第三绝缘层36的过孔与公共电极35电连接。
[0040]具体实施时，金属层32可以使用电阻值小的金属，也可以为几种金属的合金，本发明实施例对此不做限定。较佳的，金属层可以使用以下金属中的一种或者多种:钼、铜、铝等。需要说明的是，金属层使用低反射金属例如钼时，由于金属阻止光，实际上可以起到黑矩阵(BM)的作用，基于此，本发明实施例中，可以将彩色基板的BM宽度减小或者采用无BM的彩色基板。
[0041]较佳的，具体实施时，在金属层的宽度中心与数据线宽度中心位于同一直线上，且金属层的边缘与数据线的边缘之间的距离为0.8?1.5um。在数据线宽度为2um时，金属层的宽度形成为约3?4um即可。
[0042]需要说明的是，本发明实施例提供的阵列基板尤其适用于超高分辨率(600?800PPI)的情况下，即相邻的数据线之间的距离不大于14um。
[0043]具体实施时，本发明实施例提供的阵列基板还包括玻璃基板41、栅极42、栅绝缘层43和有源层44，如图5i所示，其中:栅极42位于玻璃基板41上，栅绝缘层43位于栅极42上方，有源层44位于栅绝缘层上方，其中，数据线与源漏极(S/D)同层设置，栅线与栅极42同层设置。第一绝缘层31设置于栅线和数据线上方，金属层32设置于第一绝缘层31的上方，第二绝缘层33位于金属层32的上方，像素电极34和公共电极35设置于第二绝缘层33的上方，像素电极34和公共电极35之间设置有第三绝缘层36。
[0044]与采用PCI结构的阵列基板相比，本发明实施例提供的阵列基板中还增加一层第二绝缘层。具体实施时，在形成第一绝缘层时，其厚度可以为现有的PCI结构中的一半或者更小一些。
[0045]本发明实施例中，通过金属层实现现有的PCI结构中的遮光部的功能，使得在形成