一种阵列基板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种阵列基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]平面显示装置，例如液晶显示面板(Liquid Crystal Display，简称IXD)具有轻薄、节能、无福射等诸多优点，因此其已经逐渐取代传统的阴极射线管(Cathode Ray Tube，简称CRT)显示装置，成为显示装置的主流。目前液晶显示面板已经广泛地应用在数字电视、计算机、个人数字助理、移动电话以及数码相机等各类电子设备中。
[0003]当前LCD —般都是采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)作为控制开关来实现画面显示。TFT需要经过多次曝光工艺才能制得。在制程中，若制备源/漏极的光罩相对于制备栅极的光罩发生了位移，就会导致由漏极与栅极形成的寄生电容Cgs发生变化，就会引起像素单元的回馈(Feed-through)电压产生差异。回馈电压的变化会导致液晶显示面板的实际最佳公共电位与设计不符，使得像素产生闪烁，进而导致液晶显示面板易产生不良的图像残留(Image sticking)现象。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种阵列基板和显示装置，可解决寄生电容Cgs发生变化导致液晶显示面板的最佳公共电位变化的技术问题。
[0005]本发明第一方面提供了一种阵列基板，该阵列基板包括多个阵列排布的像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和公共电极，每一薄膜晶体管包括栅极、同层设置的源极和漏极，所述漏极与所述栅极重叠的区域形成了寄生电容，所述漏极与所述公共电极重叠的区域形成了存储电容，
[0006]其中，所述漏极与所述公共电极之间部分错位，所述部分错位使得所述存储电容的电容值可随着所述寄生电容的电容值的改变而改变，以使得所述阵列基板的回馈电压保持不变。
[0007]可选的，所述漏极包括第一重叠部、第二重叠部，还包括连接所述第一重叠部和所述第二重叠部的连接部，所述第一重叠部与所述栅极形成所述寄生电容，所述第二重叠部与所述公共电极形成存储电容，所述第二重叠部相对于所述公共电极部分错位。
[0008]可选的，所述第二重叠部相对于所述公共电极的错位方向与所述第一重叠部的延伸方向相同。
[0009]可选的，所述第二重叠部在纵向方向上的末端突出于所述公共电极设置。
[0010]可选的，所述像素单元包括一个薄膜晶体管，所述漏极的第一重叠部向右延伸，所述漏极的第二重叠部相对于所述公共电极向右错位。
[0011]可选的，所述像素单元包括一个薄膜晶体管，所述漏极的第一重叠部向下延伸，所述漏极的第二重叠部相对于所述公共电极向下错位。
[0012]可选的，所述像素单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，
[0013]其中，所述第一薄膜晶体管的漏极的第一重叠部向上延伸，所述第一薄膜晶体管的漏极的第二重叠部相对于对应的公共电极向上错位；
[0014]所述第二薄膜晶体管的漏极的第一重叠部向右延伸，所述第二薄膜晶体管的漏极的第二重叠部相对于对应的公共电极向右错位。
[0015]可选的，所述栅极与所述公共电极通过同一次构图工艺形成。
[0016]本发明带来了以下有益效果:本发明实施例提供的阵列基板包括包括多个阵列排布的像素单元，像素单元的薄膜晶体管的漏极与公共电极之间部分错位，部分错位使得存储电容的电容值可随着所述寄生电容的电容值的改变而改变，以使得阵列基板的回馈电压保持不变。使得液晶显示面板的实际最佳公共电位与设计相符，防止像素产生闪烁，进而防止液晶显示面板产生不良的图像残留(Image sticking)现象，提高用户的使用体验。
[0017]本发明第二方面提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板，还包括与所述阵列基板对位的彩膜基板。
[0018]本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍:
[0020]图1是本实施例提供的U型TFT的结构示意图；
[0021]图2至图4是本实施例提供的像素单元的结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0023]如图1所示，一般U型TFT包括U型的源极1、自U型的源极I的开口向外延伸的漏极2、位于源极I和漏极2之下的有源层、位于有源层之下的栅极。显然，U型TFT的开口方向通常设计为平行于水平方向X或平行于垂直方向I。
[0024]由于寄生电容Cgs是由漏极2和栅极的重叠区域形成的，并且栅极是由第一金属层Ml通过光刻工艺制备得到，而同层设置的漏极2和源极I是由位于栅极之上的第二金属层M2通过光刻工艺制备得到。因此在利用光罩制备得到栅极之后，需要更换光罩制备漏极2和源极I。则光罩的更换会带来设置误差，会导致源极I和漏极2相对于栅极沿水平方向X或垂直方向y偏移，最终使得寄生电容Cgs的电容值与工作人员的设计不符。
[0025]进一步的，由于回馈(Feed-through)电压Vfd =Λ Vg*Cgs/(Cgs+Clc+Cst)，其中Δ Vg是栅极电压的变化率；Clc为像素单元的液晶电容，是由位于阵列基板上的像素电极与位于彩膜基板上的公共电极3配合形成的；而(:^为像素单元的存储电容，其可由位于阵列基板上的、与栅极同样由第一金属层Ml制备的公共电极3和漏极2的重叠区域形成。
[0026]因此，本实施例中，针对寄生电容Cgs在不同方向的变化，可令存储电容Cst发生相应的变化，以改善Vfd的差异。
[0027]因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括多个阵列排布的像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和公共电极3，每一薄膜晶体管包括栅极、同层设置的源极I和漏极2，漏极2与栅极重叠的区域形成了寄生电容，漏极2与公共电极3重叠的区域形成了存储电容。
[0028]其中，漏极2与公共电极3之间部分错位，部分错位使得存储电容的电容值可随着寄生电容的电容值的改变而改变，以使得阵列基板的回馈电压保持不变。
[0029]具体的，针对图1中可沿水平方向X或垂直方向y变化的寄生电容Cgs，本实施例设计相应的同样沿水平方向X或垂直方向y调控的存储电容Cst，使得存储电容Cst随寄生电容Cgs的变大而变大或变小而变小。其中，存储电容Cst与寄生电容Cgs的变化关系、比例，可由式子Vfd =Δ Vg*Cgs/ (Cgs+Clc+Cst)来确定、设计。
[0030]需要注意的是，Cst在其随Cgs沿水平方向X (或垂直方向y)变化时，也要保证垂直方向y (或水平方向X)的Cst与Cgs —样不变，所以Cst在沿某一方向变化时，与该某一方向垂直的另一方向要预留出一定的距离，来保证Cst不变。
[0031]本发明实施例提供三种具体的像素单元的结构，分别对应水平方向X的调整、垂直方向I的调整以及水平方向X结合垂直方向I的调整。
[0032]第一种像素单元的结构如图2所示，该像素单元I对应设置有栅线(Gate)、公共电极3 (Com)以及数据线(Data)。该像素单元包括开口向右的U型TFT，该TFT的源极I为向右开口的U型，漏极2向右延伸出TFT，通过过孔连接像素电极。
[0033]如图2所示，漏极2可包括第一重叠部21、第二重叠部22，还包括连接第一重叠部21和第二重叠部22的连接部24。其中，第一重叠部21与栅极形成寄生电容；第二重叠部22与公共电极3形成存储电容。为了使得当第一金属层和第二金属层出现水平方向X的对位误差时，存储电容Cst可随着寄生电容Cgs的改变而改变，第二重叠部22相对于公共电极3部分向右错位。
[0034]如图2所示，当漏极2相对于栅极向左偏移时，与栅极重叠的第一重叠部21的面积变大，使得寄生电容Cgs的电容值变大；同时，由于设计时第二重叠部22相对于公共电极3部分向右错位，则当漏极2相对于栅极向左偏移时，第二重叠部22与公共电极3的重叠面积将变大，使得存储电容Cst的电容值也一并变大。而当漏极2相对于栅极向右移动时，与栅极重叠的第一重叠部21的面积变小，使得寄生电容Cgs的电容值变小；同时，由于设计时第二重叠部22相对于公共电极3部分向右错位，则当漏极2相对于栅极向右偏移时，第二重叠部22与公共电极3的重叠面积将变小，使得存储电容Cst的电容值也一并变小。
[0035]由此，保证了存储电容Cst的电容值可随着寄生电容Cgs的改变而改变，以使得阵列基板的回馈电压保持不变。
[0036]需要说明的是，为了防止图2所示的像素单元结构中的漏极2沿垂直方向y移位时，寄生电容Cgs和存储电容Cst也发生改变，栅极在垂直方向y上的尺寸大于漏极2相应部分在垂直方向y上的尺寸。因此，在误差允许的范围内，漏极2如何相对公共电极3上下偏移，存储电容Cst的电容值和寄生电容Cgs的电容值都不会改变。
[0037]第二种像素单元的结构如图3所示，该像素单元的结构如图3所示。与第一种像素单元类似的，该像素单元I对应设置有栅线