化由于信号线DL和GL而引起的寄生电容的影响，并且实质上增大第一存储电容器Cstl和第二存储电容器Cst2的电容。
[0068]连接至上部公共电极UC0M和下部公共电极DC0M并且沿着垂直方向(即，Y轴方向)延伸的中间公共电极MC0M另外形成在存储区域AR中。中间公共电极MC0M与数据线平行地形成在不具有数据线的每个存储区域AR中，并且根据像素阵列的位置最小化公共电压Vcom的偏差。
[0069]存储区域AR中的第一分支像素电极BRPXL1可形成在中间公共电极MC0M之下并且可形成在与下部公共电极DC0M相同的水平层上，其中栅极绝缘层GI置于第一分支像素电极BRPXL1与中间公共电极MC0M之间。存储区域AR中的第二分支像素电极BRPXL2可形成在中间公共电极MC0M之下并且可形成在与下部公共电极DC0M相同的水平层上，其中栅极绝缘层GI置于第二分支像素电极BRPXL2与中间公共电极MC0M之间。
[0070]可使用与下部公共电极DC0M、栅极线GL1和GL2、TFT的栅电极等相同的材料和相同的工艺来形成第一分支像素电极BRPXL1和第二分支像素电极BRPXL2。下部公共电极DC0M沿着水平方向与栅极线GL1和GL2平行地形成，但不同于图9，在存储区域AR中不沿着垂直方向延伸。第一分支像素电极BRPXL1形成在存储区域AR中，使得其与中间公共电极MC0M重叠。第一分支像素电极BRPXL1可通过1_2接触孔CT12连接至第一像素电极UPXL1。第二分支像素电极BRPXL2形成在存储区域AR中，使得其与中间公共电极MC0M重叠。第二分支像素电极BRPXL2可通过2-2接触孔CT22连接至第二像素电极UPXL2。可使用与数据线DL1和DL2、TFT的源电极S和漏电极D等相同的材料和相同的工艺来形成中间公共电极MC0M。可使用与第一像素电极UPXL1和第二像素电极UPXL2相同的材料和相同的工艺来形成上部公共电极UC0M。上部公共电极UC0M可与第一像素电极UPXL1和第二像素电极UPXL2位置相对，并且还可在存储区域AR中沿着垂直方向(S卩，Y轴方向)延伸。下部公共电极DC0M、中间公共电极MC0M和上部公共电极UC0M通过1_3接触孔CT13和2_3接触孔CT23彼此相连接。
[0071]因此，第一存储电容器Cstl可使用第一分支像素电极BRPXL1和中间公共电极MC0M作为两个电极，并且第二存储电容器Cst2可使用第二分支像素电极BRPXL2和中间公共电极MC0M作为两个电极。
[0072]第一分支像素电极BRPXL1和第二分支像素电极BRPXL2可不对称地形成在存储区域AR中，以最大程度地抑制从相邻像素施加的电场的干扰的影响。也就是说，如图15和图16所示，第一分支像素电极BRPXL1可位置更靠近第一像素电极UPXL1而非第二像素电极UPXL2，并且第二分支像素电极BRPXL2可位置更靠近第二像素电极UPXL2而非第一像素电极 UPXL1。
[0073]如上所述，本发明的实施例在水平方向上位置彼此相邻的像素之间的存储区域(例如，不具有数据线)中形成存储电容器，从而增大存储电容器的电容。另外，本发明的实施例可以考虑到存储电容器的增大的电容而减小存储电容器的形成区域，并且可以最小化由存储电容器产生的开口率的减小。
[0074]此外，本发明的实施例形成用作靠近分支像素电极所属的像素的存储电容器的一个电极的分支像素电极，使得分支像素电极受相邻像素的电池的干扰最少。因此，电压保持强度可以极大地增加。
[0075]虽然参照多个说明性实施例描述了实施例，但是应该理解本领域技术人员可以想到会落入本公开的原理的范围内的多个其他变型和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内可以对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变化和修改。除了对组成部分和/或布置的变化和修改外，替选用途也对于本领域技术人员而言是显而易见的。
【主权项】
1.一种液晶显示器的像素阵列，所述像素阵列包括: 第一像素，包括被充电至第一数据电压的第一像素电极、位置与所述第一像素电极相对并形成电场的上部公共电极、向所述上部公共电极施加公共电压的下部公共电极、以及用于在预定时段期间保持所述第一数据电压的第一存储电容器；以及 第二像素，包括被充电至第二数据电压的第二像素电极、位置与所述第二像素电极相对并形成电场的上部公共电极、向所述上部公共电极施加公共电压的下部公共电极、以及用于在预定时段期间保持所述第二数据电压的第二存储电容器， 其中，所述第一存储电容器和所述第二存储电容器位于在水平方向上位置彼此相邻的所述第一像素与所述第二像素之间的存储区域中，并且 其中，用于驱动所述第一像素和所述第二像素的栅极线和数据线位于除了所述存储区域外的区域中。2.根据权利要求1所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一存储电容器包括从所述第一像素电极分支出来的第一分支像素电极作为一个电极，以及所述第二存储电容器包括从所述第二像素电极分支出来的第二分支像素电极作为一个电极。3.根据权利要求2所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一分支像素电极位于所述下部公共电极之上以及位于所述上部公共电极之下，其中，第一绝缘层置于所述第一分支像素电极与所述下部公共电极之间，至少一个第二绝缘层置于所述第一分支像素电极与所述上部公共电极之间，以及 其中，所述第二分支像素电极位于所述下部公共电极之上以及位于所述上部公共电极之下，其中，所述第一绝缘层置于所述第二分支像素电极与所述下部公共电极之间，所述至少一个第二绝缘层置于所述第二分支像素电极与所述上部公共电极之间。4.根据权利要求3所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一存储电容器包括使用所述第一分支像素电极和所述上部公共电极作为电极的第一上部存储电容器、以及使用所述第一分支像素电极和所述下部公共电极作为电极的第一下部存储电容器，以及 其中，所述第二存储电容器包括使用所述第二分支像素电极和所述上部公共电极作为电极的第二上部存储电容器、以及使用所述第二分支像素电极和所述下部公共电极作为电极的第二下部存储电容器。5.根据权利要求2所述的液晶显示器的像素阵列，其中，连接至所述上部公共电极和所述下部公共电极并在垂直方向上延伸的中间公共电极位于所述存储区域中。6.根据权利要求5所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一分支像素电极位于所述中间公共电极之下以及位于与所述下部公共电极相同的水平层上，其中第一绝缘层置于所述第一分支像素电极与所述中间公共电极之间， 其中，所述第二分支像素电极位于所述中间公共电极之下以及位于与所述下部公共电极相同的水平层上，其中所述第一绝缘层置于所述第二分支像素电极与所述中间公共电极之间， 其中，所述第一存储电容器包括所述第一分支像素电极以及所述中间公共电极，以及 其中，所述第二存储电容器包括所述第二分支像素电极和所述中间公共电极。7.根据权利要求2所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一分支像素电极和所述第二分支像素电极不对称地位于所述存储区域中。8.根据权利要求7所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述存储区域中所述第一分支像素电极位置更靠近所述第一像素电极而非所述第二像素电极，并且 其中，所述存储区域中所述第二分支像素电极位置更靠近所述第二像素电极而非所述第一像素电极。9.根据权利要求2所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述上部公共电极和所述下部公共电极中的至少一个被划分成所述存储区域中的两个或更多个电极图案，并且调整所述第一存储电容器和所述第二存储电容器的电容。
【专利摘要】本文讨论了一种液晶显示器的像素阵列。该像素阵列可以包括：第一像素，包括被充电至第一数据电压的第一像素电极、位置与第一像素电极相对并形成电场的上部公共电极、向上部公共电极施加公共电压的下部公共电极、以及用于在预定时段期间保持第一数据电压的第一存储电容器；以及第二像素，包括被充电至第二数据电压的第二像素电极、上部公共电极、下部公共电极以及用于在预定时段期间保持第二数据电压的第二存储电容器。第一存储电容器和第二存储电容器位于在水平方向上位置彼此相邻的第一像素与第二像素之间的存储区域中。
【IPC分类】G02F1/1368, G02F1/1362, G09G3/36
【公开号】CN105278189
【申请号】CN201510409721
【发明人】郑英敃, 李源镐
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年7月13日
【公告号】EP2975453A1, US20160018709