阵列基板、阵列基板的制作方法以及液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及液晶显不面板。
【背景技术】
[0002]根据应用的不同，液晶显示面板分为透过型液晶显示面板、反射型液晶显示面板以及半反半透型液晶显示面板。相较于前两种液晶显示面板，半反半透型液晶显示面板能反射光，也带有背光源。光线好的时候，可以关掉背光源，利用反射光；光线差的时，可以点亮背光源。因此半反半透型液晶显示面板主要用于手机等中小尺寸产品，能够满足其轻便、节能的述求。
[0003]现有的半反半透型液晶显示面板中，反射区域通常设置在薄膜晶体管区域上方，在制作时，需要在衬底基板上先逐层形成薄膜晶体管的各层后，再逐层形成反射区域的各层，制作工艺繁杂。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及液晶显示面板，以实现简化半反半透型液晶显示面板中阵列基板的制作工序。
[0005]第一方面，本发明提供了一种阵列基板。该阵列基板包括:
[0006]衬底基板；
[0007]形成在所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元中包括反射区域、透射区域和薄膜晶体管区域；
[0008]所述反射区域包括形成在所述衬底基板上的有机膜层，以及位于所述有机膜层之上的反射金属层；
[0009]所述薄膜晶体管区域设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机刻蚀阻挡层；
[0010]所述有机膜层与所述有机刻蚀阻挡层材料相同，且在同一制作工艺步骤中形成。
[0011]第二方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法。该阵列基板的制作方法，包括:
[0012]提供衬底基板；
[0013]在衬底基板上形成多个像素单元，所述像素单元中包括反射区域、透射区域和薄膜晶体管区域，其中所述反射区域包括形成在所述衬底基板上的有机膜层，以及位于所述有机膜层之上的反射金属层，所述有机膜层与所述薄膜晶体管区域中薄膜晶体管的源极和漏极之间的有机刻蚀阻挡层材料相同，且在同一道工艺步骤中形成。
[0014]第三方面，本发明还提供了一种液晶显示面板。该液晶显示面板，包括彩膜基板，本发明所提供的阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层。
[0015]本发明实施例提供的技术方案，其中通过将阵列基板中像素单元划分为反射区域、透视区域以及薄膜晶体管区域，并且将反射区域的有机膜层与薄膜晶体管区域的有机刻蚀阻挡层采用相同材料，在同一制作工艺步骤中形成，能够有效减少一道有机膜制程，简化半反半透液晶显示面板的制作工艺，降低制作成本。
【附图说明】
[0016]图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0017]图2是图1沿A1-A2方向的一种剖面结构示意图；
[0018]图3是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0019]图4是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
[0020]图5是图1沿A1-A2方向的另一种剖面结构示意图；
[0021]图6是图1沿A1-A2方向的又一种剖面结构示意图；
[0022]图7是本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法的流程图；
[0023]图8是图7中S42的一种详细制作方案的流程图；
[0024]图9是图7中S42的另一种详细制作方案的流程图；
[0025]图10是本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
[0027]图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图2是图1沿A1-A2方向的一种剖面结构示意图。参照图1和图2所示，该阵列基板包括:衬底基板1 ;形成在衬底基板1上的多个像素单元10 (如图1所示)，像素单元10中包括反射区域11、透射区域12和薄膜晶体管区域13(图2中示例性地给出了一个像素单元10);反射区域11包括形成在衬底基板1上的有机膜层111，以及位于有机膜层111之上的反射金属层112 ;薄膜晶体管区域13设置有薄膜晶体管131，薄膜晶体管131包括有机刻蚀阻挡层1311 ;有机膜层111与有机刻蚀阻挡层1311材料相同，且位于同一层，即在同一制作工艺步骤中形成。
[0028]值得说明的一点是，在图1所述的实施例中，薄膜晶体管区域13位于每一个像素单元10的左下方，反射区域11位于每一个像素单元10的右侧。这仅是本发明的一个具体示例，而非对本发明的限制。在每一个像素单元10内，反射区域11、透射区域12和薄膜晶体管区域13具体的分布方式还可以有多种。例如，图3示出了反射区域11、透射区域12和薄膜晶体管区域13在每一个像素区域的另一种分布方式。在图3中，薄膜晶体管区域13位于每一个像素单元10的左下方，反射区域11位于每一个像素单元10的上方，透射区域12位于薄膜晶体管区域13和反射区域11之间。图4示出了反射区域11、透射区域12和薄膜晶体管区域13在每一个像素区域分布的又一个具体示例。在图4中，薄膜晶体管区域13位于每一个像素单元10的左下方，反射区域11位于每一个像素单元10的右下方，并且直接与薄膜晶体管区域13相邻，透射区域12位于每一个像素单元10的上方。
[0029]另外，考虑到透视区域12和反射区域11的面积比是影响显示屏画质的重要因素，需要确保每一个像素单元10内的透射区域12和反射区域11都能获得良好的光效率。其中，根据应用的不同，透视区域12和反射区域11的面积比可以在2:8至8:2之间进行选择。
[0030]本发明实施例中，如图2所示，薄膜晶体管区域13中薄膜晶体管131可以为底栅式薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括:设置在衬底基板1上的栅极1312 ;设置在栅极1312上的栅极绝缘层1313，并且栅极绝缘层1313同时设置在反射区域11和透射区域12的衬底基板1上；设置在栅极绝缘层1313上的有源层1314，有源层1314可以为氧化物半导体；设置在有源层1314上的有机刻蚀阻挡层1311，有机刻蚀阻挡层1311为一种光敏的有机材料(如Toray公司生产的SL4100)，其通过曝光、显影进行图案化，然后通过加热烘烤进行固化后形成；设置在有机刻蚀阻挡层1311和有源层1314上的源极1315和漏极1316。
[0031]氧化物半导体与传统的非晶硅相比，具有较高的迀移率；与此同时，制作工艺与低温多晶硅相比较为简单，因此，氧化物半导体在半反半透型显示器有广泛的应用。对于有源层为氧化物半导体的阵列基板，在所述薄膜晶体管131中设置有机刻蚀阻挡层1311的原因是，有机刻蚀阻挡层1311成膜过程中，只需要曝光形成图形，不需要刻蚀过程，其对氧化物薄膜晶体管131的损伤比无机刻蚀阻挡层成膜过程对氧化物薄膜晶体管131的损伤小，而且成本更低。
[0032]但是考虑到有机刻蚀阻挡层1311对水、离子的隔绝能力较差，在薄膜晶体管区域13中的有机刻蚀阻挡层1311的厚度通常大于0.8微米。
[0033]本发明所提供的阵列基板通过将阵列基板中像素单元划分为反射区域、透视区域以及薄膜晶体管区域，并且将反射区域的有机膜层与薄膜晶体管区域的有机刻蚀阻挡层采用相同材料，且位于同一层，即在同一制作工艺步骤中形成，能够有效减少一道有机膜制程，简化了半反半透液晶显示面板的制作工艺，降低了制作