像素结构及液晶显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种像素结构及液晶显示装置，该像素结构包括多条数据线、多条主扫描线、多条分享电容扫描线以及多个呈阵列排布的像素组合，每一所述像素组合包括至少四个呈阵列排布的像素单元，每一所述像素单元包括至少三个子像素单元，每一所述子像素单元包括主区以及子区；该子区包括分享电容；同一像素单元的各个子像素单元的分享电容的电容值相等，在每一所述像素组合中，对角相邻的两个所述像素单元的子像素单元的分享电容的电容值不相等。本发明具有提高液晶显示装置开口率的有益效果。
【专利说明】
像素结构及液晶显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种像素结构及液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)是最广泛使用的平板显示器之一，LCD包括设置有场发生电极诸如像素电极和公共电极的一对面板以及设置在两个面板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)层。当电压被施加到场发生电极从而在LC层中产生电场，该电场决定了液晶层中的LC分子的取向，从而调整入射到液晶层的光的偏振，使LCD显示图像。
[0003]目前业界发展出一种称为高分子安定化垂直配向(PolymerStabilizedVertical Al ignment，PSVA)的技术，该技术是在液晶材料中掺入适当浓度的单体化合物(monomer)并且震荡均匀。接着，将混合后的液晶材料置于加热器上加温到达等向性(I sotropy)状态。当液晶混合物降至室温时，液晶混合物会回到向列型(nemat i c)状态。然后，将液晶混合物注入至液晶盒并施与电压。当施加电压使液晶分子排列稳定时，则使用紫外光或加热的方式让单体化合物进行聚合反应以成聚合物层，由此达到稳定配向的目的。
[0004]传统的VA模式液晶面板(如图1所示)在广视角观看时，往往会出现色偏的问题。为改善广视角面板的色偏，现有的广视角面板将像素分为两个区，面板工作时，一个主区(Main)的亮度较高，另外一个子区(Sub)亮度较低，以通过该两个亮度不同的区来改善面板的广视角特性。由于Sub区的面积较大(占像素开口区的60%左右)，整个像素单元的穿透率会有较大的牺牲，增加了背光的功耗，不符合现在绿色环保节能的理念。此外，由于Main区内均是高亮度像素，而Sub区内均是低亮度像素，高亮度像素和低亮度像素分别过于集中，使得两个区的亮度差异过于明显，导致视觉效果不佳。
[0005]因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种像素结构及液晶显示装置；以解决现有的像素结构及液晶显示装置穿透率不高的技术问题。
[0007]为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下:
[0008]本发明提供一种像素结构，包括多条数据线、多条主扫描线、多条分享电容扫描线以及多个呈阵列排布的像素组合，每一所述像素组合包括至少四个呈阵列排布的像素单元，每一所述像素单元包括至少三个子像素单元，每一所述子像素单元包括主区以及子区；该主区分别与一所述数据线以及一所述主扫描线连接；
[0009]该子区包括第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一液晶电容、第一存储电容以及分享电容，该第一薄膜晶体管的源极与一所述数据线连接，该第一薄膜晶体管的栅极与一所述主扫描线连接，该第一薄膜晶体管的漏极与该第三薄膜晶体管的输入端、该第一液晶电容、以及该第一存储电容连接，该第三薄膜晶体管的输出端与该分享电容的一端连接，该第三薄膜晶体管的栅极与一所述分享电容扫描线连接;同一像素单元的各个子像素单元的分享电容的电容值相等，在每一所述像素组合中，对角相邻的两个所述像素单元的子像素单元的分享电容的电容值不相等。
[0010]在本发明所述的像素结构中，在每一所述像素组合中，任意两个所述像素单元的子像素单元的分享电容的电容值不相等。
[0011]在本发明所述的像素结构中，所述主区包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容以及第二存储电容，该第二薄膜晶体管的栅极与所述主扫描线连接，该第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，该第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容以及第二液晶电容连接。
[0012]在本发明所述的像素结构中，每一所述像素单元包括三个子像素单元，该三个子像素单元为红色子像素单元、绿色子像素单元以及蓝色子像素单元。
[0013]在本发明所述的像素结构中，所述像素结构还包括公共线以及公共电极，所述子区包括第一像素电极以及第二像素电极，该第一像素电极与该公共电极局部相互正对以形成所述第一液晶电容，该第一像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述第一存储电容，该第二像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述分享电容。
[0014]在本发明所述的像素结构中，所述主区还包括第三像素电极，该第三像素电极与该公共电极局部相互正对以形成所述第二液晶电容，该第三像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述第二存储电容。
[0015]本发明还提供了一种液晶显示装置，包括像素结构，该像素结构包括多条数据线、多条主扫描线、多条分享电容扫描线以及多个呈阵列排布的像素组合，每一所述像素组合包括至少四个呈阵列排布的像素单元，每一所述像素单元包括至少三个子像素单元，每一所述子像素单元包括主区以及子区；该主区分别与一所述数据线以及一所述主扫描线连接；
[0016]该子区包括第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一液晶电容、第一存储电容以及分享电容，该第一薄膜晶体管的源极与一所述数据线连接，该第一薄膜晶体管的栅极与一所述主扫描线连接，该第一薄膜晶体管的漏极与该第三薄膜晶体管的输入端、该第一液晶电容、以及该第一存储电容连接，该第三薄膜晶体管的输出端与该分享电容的一端连接，该第三薄膜晶体管的栅极与一所述分享电容扫描线连接;同一像素单元的各个子像素单元的分享电容的电容值相等，在每一所述像素组合中，对角相邻的两个所述像素单元的子像素单元的分享电容的电容值不相等。
[0017]在本发明所述的液晶显示装置中，在每一所述像素组合中，任意两个所述像素单元的子像素单元的分享电容的电容值不相等。
[0018]在本发明所述的液晶显示装置中，所述主区包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容以及第二存储电容，该第二薄膜晶体管的栅极与所述主扫描线连接，该第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，该第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容以及第二液晶电容连接。
[0019]在本发明所述的液晶显示装置中，所述像素结构还包括公共线以及公共电极，所述子区包括第一像素电极以及第二像素电极，该第一像素电极与该公共电极局部相互正对以形成所述第一液晶电容，该第一像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述第一存储电容，该第二像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述分享电容。
[0020]与现有技术相比，本发明通过将像素结构分成多个呈阵列排布的像素组合，每一所述像素组合包括至少四个呈阵列排布的像素单元，每一所述像素单元包括至少三个子像素单元，在同一个像素组合内，对角相邻的两个像素单元的子像素单元的子区的分享电容不相等，实现该至少四个像素单元具有不同的拉低压差，进而避免高亮度像素单元和低亮度像素单元过于集中造成的穿透率低和画面闪烁的问题，同时设置不同大小的分享电容也能一定程度上提高开口率，使得液晶显面板穿透率进一步提升。
[0021]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:
【附图说明】
[0022]图1是本发明一优选实施例中的像素结构的结构图。
[0023]图2是本发明图1所示实施例中的像素结构的子像素单元的电路结构图。
【具体实施方式】
[0024]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
[0025]在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0026]请参照图1以及图2，图1是本发明一优选实施例中的像素结构的结构图，其主要应用于液晶显示装置中。在本实施例中，该像素结构包括多条数据线Dn、多条主扫描线Gn、多条分享电容扫描线Tn以及多个呈阵列排布的像素组合10，每一所述像素组合10包括至少四个呈阵列排布的像素单元11，每一所述像素单元11包括至少三个子像素单元111，每一所述子像素单元111包括主区1112以及子区1111;该主区1112分别与一所述数据线Dn以及一所述主扫描线Gn连接。
[0027]在本实施例中，每一像素单元11包括三个子像素单元111，该三个子像素单元111为红色子像素单元R1/R2、绿色子像素单元G1/G2以及蓝色子像素单元B1/B2。当然可以理解地，该像素单元11还可以包括四个子像素单元111，即分别为红绿蓝白四色子像素单元111。
[0028]该主区1112包括第二薄膜晶体管Q2、第二液晶电容Clcl以及第二存储电容Cst2，该第二薄膜晶体管Q2的栅极与所述主扫描线Gn连接，该第二薄膜晶体管Q2的源极与所述数据线Dn连接，该第二薄膜晶体管Q2的漏极与所述第二存储电容Cst2以及第二液晶电容Ccl2连接。
[0029]该子区1111包括第一薄膜晶体管Q1、第三薄膜晶体管Q3、第一液晶电容Clcl、第一存储电容Cstl以及分享电容Cs，该第一薄膜晶体管Ql的源极与一所述数据线Dn连接，该第一薄膜晶体管Ql的栅极与一所述主扫描线Gn连接，该第一薄膜晶体管Ql的漏极与该第三薄膜晶体管Q3的输入端、该第一液晶电容Clcl、以及该第一存储电容Cstl连接。该第三薄膜晶体管Q3的输出端与该分享电容Cs的一端连接，该第三薄膜晶体管Q3的栅极与一所述分享电容Cs的扫描线连接;同一像素单元11的各个子像素单元111的分享电容Cs的电容值相等，在每一所述像素组合10中，对角相邻的两个所述像素单元11的子像素单元111的分享电容Cs的电容值不相等。更进一步地，在每一像素组合10中，任意两个像素单元11的子像素单元111的分享电容Cs的电容值不相等。
[0030]进一步地，该像素结构还包括位于阵列基板上的公共线ARCom及彩膜基板上的公共电极CF Com。该子区1111包括第一像素电极以及第二像素电极，该第一像素电极与该公共电极CF Com局部相互正对以形成第一液晶电容Clcl，该第一像素电极与该公共线AR Com局部相互正对以形成所述第一存储电容Cstl，该第二像素电极与该公共线AR Com局部相互正对以形成所述分享电容Cs。
[0031]该主区1112还包括第三像素电极，该第三像素电极与该公共电极CF Com局部相互正对以形成所述第二液晶电容Clc2，该第三像素电极与该公共线AR Com相互正对以形成所述第二存储电容Cst2。
[0032]可以理解地，该每一像素组合10还可以包括例如8个像素单元11或者16个像素单元11，当然，其并不限于此。
[0033]本发明还提供了一种液晶显示装置，其包括像素结构，该像素结构包括多条数据线Dn、多条主扫描线Gn、多条分享电容扫描线Tn以及多个呈阵列排布的像素组合10，每一所述像素组合10包括至少四个呈阵列排布的像素单元11，每一所述像素单元11包括至少三个子像素单元111，每一所述子像素单元111包括主区1112以及子区1111;该主区分1111别与一所述数据线Dn以及一所述主扫描线Gn连接。
[0034]在本实施例中，每一像素单元11包括三个子像素单元111，该三个子像素单元111为红色子像素单元R1/R2、绿色子像素单元G1/G2以及蓝色子像素单元B1/B2。当然可以理解地，该像素单元11还可以包括四个子像素单元111，即分别为红绿蓝白四色子像素单元111。
[0035]该主区1112包括第二薄膜晶体管Q2、第二液晶电容Clcl以及第二存储电容Cst2，该第二薄膜晶体管Q2的栅极与所述主扫描线Gn连接，该第二薄膜晶体管Q2的源极与所述数据线Dn连接，该第二薄膜晶体管Q2的漏极与所述第二存储电容Cst2以及第二液晶电容Ccl2连接。
[0036]该子区1111包括第一薄膜晶体管Q1、第三薄膜晶体管Q3、第一液晶电容Clcl、第一存储电容Cstl以及分享电容Cs，该第一薄膜晶体管Ql的源极与一所述数据线Dn连接，该第一薄膜晶体管Ql的栅极与一所述主扫描线Gn连接，该第一薄膜晶体管Ql的漏极与该第三薄膜晶体管Q3的输入端、该第一液晶电容Clcl、以及该第一存储电容Cstl连接。该第三薄膜晶体管Q3的输出端与该分享电容Cs的一端连接，该第三薄膜晶体管Q3的栅极与一所述分享电容Cs的扫描线连接;同一像素单元11的各个子像素单元111的分享电容Cs的电容值相等，在每一所述像素组合10中，对角相邻的两个所述像素单元11的子像素单元111的分享电容Cs的电容值不相等。更进一步地，在每一像素组合10中，任意两个像素单元11的子像素单元111的分享电容Cs的电容值不相等。
[0037]进一步地，该像素结构还包括位于阵列基板上的公共线ARCom及彩膜基板上的公共电极CF Com。该子区1111包括第一像素电极以及第二像素电极，该第一像素电极与该公共电极CF Com局部相互正对以形成第一液晶电容Clcl，该第一像素电极与该公共线AR Com局部相互正对以形成所述第一存储电容Cstl，该第二像素电极与该公共线AR Com局部相互正对以形成所述分享电容Cs。
[0038]该主区1112还包括第三像素电极，该第三像素电极与该公共电极CF Com局部相互正对以形成所述第二液晶电容Clc2，该第三像素电极与该公共线AR Com相互正对以形成所述第二存储电容Cst2。
[0039]可以理解地，该每一像素组合10还可以包括例如8个像素单元11或者16个像素单元11，当然，其并不限于此。
[0040]由上可知，本发明通过将像素结构分成多个呈阵列排布的像素组合，每一所述像素组合包括至少四个呈阵列排布的像素单元，每一所述像素单元包括至少三个子像素单元，在同一个像素组合内，对角相邻的两个像素单元的子像素单元的子区的分享电容不相等，实现该至少四个像素单元具有不同的拉低压差，进而避免高亮度像素单元和低亮度像素单元过于集中造成的穿透率低和画面闪烁的问题，同时设置不同大小的分享电容也能一定程度上提高开口率，使得液晶显面板穿透率进一步提升。
[0041 ] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1.一种像素结构，其特征在于，包括多条数据线、多条主扫描线、多条分享电容扫描线以及多个呈阵列排布的像素组合，每一所述像素组合包括至少四个呈阵列排布的像素单元，每一所述像素单元包括至少三个子像素单元，每一所述子像素单元包括主区以及子区；该主区分别与一所述数据线以及一所述主扫描线连接； 该子区包括第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一液晶电容、第一存储电容以及分享电容，该第一薄膜晶体管的源极与一所述数据线连接，该第一薄膜晶体管的栅极与一所述主扫描线连接，该第一薄膜晶体管的漏极与该第三薄膜晶体管的输入端、该第一液晶电容、以及该第一存储电容连接，该第三薄膜晶体管的输出端与该分享电容的一端连接，该第三薄膜晶体管的栅极与一所述分享电容扫描线连接;同一像素单元的各个子像素单元的分享电容的电容值相等，在每一所述像素组合中，对角相邻的两个所述像素单元的子像素单元的分享电容的电容值不相等。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，在每一所述像素组合中，任意两个所述像素单元的子像素单元的分享电容的电容值不相等。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述主区包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容以及第二存储电容，该第二薄膜晶体管的栅极与所述主扫描线连接，该第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，该第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容以及第二液晶电容连接。4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每一所述像素单元包括三个子像素单元，该三个子像素单元为红色子像素单元、绿色子像素单元以及蓝色子像素单元。5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括公共线以及公共电极，所述子区包括第一像素电极以及第二像素电极，该第一像素电极与该公共电极局部相互正对以形成所述第一液晶电容，该第一像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述第一存储电容，该第二像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述分享电容。6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述主区还包括第三像素电极，该第三像素电极与该公共电极局部相互正对以形成所述第二液晶电容，该第三像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述第二存储电容。7.—种液晶显示装置，其特征在于，包括像素结构，该像素结构包括多条数据线、多条主扫描线、多条分享电容扫描线以及多个呈阵列排布的像素组合，每一所述像素组合包括至少四个呈阵列排布的像素单元，每一所述像素单元包括至少三个子像素单元，每一所述子像素单元包括主区以及子区；该主区分别与一所述数据线以及一所述主扫描线连接； 该子区包括第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一液晶电容、第一存储电容以及分享电容，该第一薄膜晶体管的源极与一所述数据线连接，该第一薄膜晶体管的栅极与一所述主扫描线连接，该第一薄膜晶体管的漏极与该第三薄膜晶体管的输入端、该第一液晶电容、以及该第一存储电容连接，该第三薄膜晶体管的输出端与该分享电容的一端连接，该第三薄膜晶体管的栅极与一所述分享电容扫描线连接;同一像素单元的各个子像素单元的分享电容的电容值相等，在每一所述像素组合中，对角相邻的两个所述像素单元的子像素单元的分享电容的电容值不相等。8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，在每一所述像素组合中，任意两个所述像素单元的子像素单元的分享电容的电容值不相等。9.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，所述主区包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容以及第二存储电容，该第二薄膜晶体管的栅极与所述主扫描线连接，该第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，该第二薄膜晶体管的漏极与所述第二存储电容以及第二液晶电容连接。10.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，所述像素结构还包括公共线以及公共电极，所述子区包括第一像素电极以及第二像素电极，该第一像素电极与该公共电极局部相互正对以形成所述第一液晶电容，该第一像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述第一存储电容，该第二像素电极与该公共线局部相互正对以形成所述分享电容。
【文档编号】G02F1/1362GK106054477SQ201610589334
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月25日 公开号201610589334.6, CN 106054477 A, CN 106054477A, CN 201610589334, CN-A-106054477, CN106054477 A, CN106054477A, CN201610589334, CN201610589334.6
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司