一种掩模板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种掩模板。
【背景技术】
[0002]在半导体制作工艺技术领域，通过掩模板对涂覆有光刻胶的目标基板进行光刻形成一种光刻图案，并对光刻图案进行刻蚀，实现将掩模板上的图案转移到目标基板上是非常重要的一个环节。
[0003]光刻过程是通过曝光机和具有狭缝状透光区域的掩模板对涂覆有光刻胶的目标基板进行掩模曝光的过程。最终将掩模板上的狭缝状透光区域形成的图案转移到目标基板上，对目标基板进行刻蚀，得到目标基板上一定宽度的狭缝状图形结构。
[0004]在微光刻领域，绘制到目标基板上的图形结构多数是线状，如电路线，由于半导体日渐趋于小型化，图形的线宽最小化成为各厂家的追求目标。但是由于曝光机曝光精度的制约，目前制作出的目标基板上的最小线宽的图案的宽度在3 μ m以上(大于3 μ m)，对应的掩模板上狭缝状透光区域的线宽为3-5 μπι。
[0005]对于尺寸较小的显示产品，如手机，减小电路之间的距离或减小电路线的宽度，对提高产品的分辨率或者像素的开口率都是至关重要的。
[0006]现有技术提供的狭缝状结构的掩模板，透光区域的边缘也具有凸起区域和凹陷区域，但是，凸起区域和凹陷区域为锯齿状，当缝状透光区域的两个边缘镜像对称的凸起部分之间的最小距离为I μπι，且镜像对称的凹进去部分之间最大的距离为3 μπι时，虽然可保证曝光得到正常的衍射条纹，但是，在实际应用过程中，该条件下曝光之后的曝光强度不够高，无法得到线宽为3 μπι以内的图形结构，此外，虽然现有技术也存在梯形状的凹陷区域，但是凸起区域仍然是锯齿状，由于凹陷区域的面积不等于凸起区域的面积，二者形状也不同，凹陷区域的透光量和凸起区域遮光量的不能完全抵消，因此，在目标基板上形成的狭缝状图形结构不是等宽的，即线宽不一致。
【实用新型内容】
[0007]本实用新型实施例提供一种掩模板，用以通过该掩模板实现目标基板上线宽更窄且线宽一致的图形结构。
[0008]本实用新型提供的一种掩模板，包括:
[0009]狭缝状透光区域和不透光区域，其特征在于，所述狭缝状透光区域的每一个边缘具有凸起区域和凹陷区域；
[0010]所述凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状；
[0011]所述两个边缘的凸起区域镜像对称，两个边缘的凹陷区域镜像对称；
[0012]每一个边缘中相邻的凹陷区域和凸起区域形状相同且大小相同；
[0013]两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1-3 μπι，以及凹陷区域之间的距离为 3-4 μm0
[0014]本实用新型实施例提供的掩模板，由于凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状，保证了较高的透光量，又由于所述凸起区域和凹陷区域为形状相同，相邻的凹陷区域的透光量和凸起区域的遮光量相同，凹陷区域的透光量和凸起区域遮光量的抵消，使得曝光区域的宽度等效于两个凸起区域之间的宽度，形成在目标基板上的狭缝的线宽一致。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型实施例提供的掩模板结构示意图；
[0016]图2为本实用新型实施例提供缝隙结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]本实用新型实施例提供的掩模板用以实现目标基板上线宽可达3 μπι以下且线宽一致的图形结构。本实用新型实施例提供的一种掩模板，包括:狭缝状透光区域和不透光区域，狭缝状透光区域的每一个边缘具有凸起区域和凹陷区域；凸起区域和凹陷区域为梯形状；两个边缘的凸起区域和凹陷区域镜像对称；凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状；凸起区域和凹陷区域为形状相同，大小相等的等腰梯形状；两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1-3 ym，以及凹陷区域之间的距离为3-4 μπι。
[0018]由于凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状，保证了较高的透光量，又由于所述凸起区域和凹陷区域为形状相同，相邻的凹陷区域的透光量和凸起区域的遮光量相同，凹陷区域的透光量和凸起区域遮光量的抵消，使得曝光区域的宽度等效于两个凸起区域之间的宽度，形成在目标基板上的狭缝的线宽一致。
[0019]下面对本实用新型实施例提供的掩模板进行说明。
[0020]参见图1，本实用新型提供的掩模板，包括:狭缝状透光区域(对应图1中非阴影区域)和不透光区域(对应图1中阴影区域)，狭缝状透光区域的每一个边缘具有凸起区域和凹陷区域；
[0021]凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状，如图1中闭合的虚线内的区域所示；
[0022]两个边缘的凸起区域镜像对称，两个边缘的凹陷区域镜像对称；
[0023]每一个边缘中相邻的凹陷区域和凸起区域形状相同且大小相同；
[0024]两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1-3 μπι，以及凹陷区域之间的距离为 3-4 μm0
[0025]本实用新型实施例掩模板上的狭缝状透光区域的两个边缘非锯齿状也非波浪状，而是等腰梯形状，可以提高照射到目标基板上的曝光强度，保证曝光得到正常的衍射条纹，同时可有效得到线宽为3 μπι以内的图形结构。此外，同一个边缘上相邻的凹陷区域和凸起区域，该凹陷区域正好完全补偿了凸起区域导致曝光强度降低的影响，解决了现有技术，凹陷区域和凸起区域的形状和大小不一致，凹陷区域可能无法完全补偿凸起区域导致曝光强度降低的影响。由于两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1-3 ym，以及凹陷区域之间的距离为3-4 μπι，通过该凸起区域的缝隙实现单缝衍射，并且单缝衍射后形成在目标基板上的缝隙为线宽一致且宽度小于3 μπι的缝隙。通过实验验证，本实用新型提供的掩模板，缝隙宽度最小可以达到I μ m，且缝隙线宽一致，如图2所示，缝隙宽度处处为d。
[0026]需要强调的是，本实用新型实施例掩模板上的狭缝状透光区域的两个边缘各凹陷区域均为等腰梯形状，而不是局部某一个凹陷区域或凸起区域为等腰梯形状，保证了整个狭缝状透光区域的两个边缘的各凹陷区域和凸起区域大小相同，形状相同，可以保证形成线宽一致的缝隙，或者说至少可有效保证缝隙的中间90%以上的区域线宽一致。
[0027]其中，如果目标基板上涂覆正性光刻胶，掩模板转移到目标基板上的狭缝状图案对应的膜层被显影液显影掉，该区域可以是半导体电路中隔离导电层之间的绝缘区域。如果目标基板上涂覆负性光刻胶，掩模板转移到目标基板上的狭缝状图案对应的膜层不会被显影液显影掉，其余区域会被显影掉。因此，留下来的图案对应的膜层可以是具有一定宽度的导线。
[0028]综上所述，本实用新型实施例提供的掩模板，由于凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状，保证了较高的透光量，又由于所述凸起区域和凹陷区域为形状相同，相邻的凹陷区域的透光量和凸起区域的遮光量相同，凹陷区域的透光量和凸起区域遮光量的抵消，使得曝光区域的宽度等效于两个凸起区域之间的宽度，形成在目标基板上的狭缝的线宽一致。
[0029]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种掩模板，包括:狭缝状透光区域和不透光区域，其特征在于，所述狭缝状透光区域的每一个边缘具有凸起区域和凹陷区域； 所述凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状； 所述两个边缘的凸起区域镜像对称，两个边缘的凹陷区域镜像对称； 每一个边缘中相邻的凹陷区域和凸起区域形状相同且大小相同； 两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1-3 μπι，以及凹陷区域之间的距离为3-4 μ m0
【专利摘要】本实用新型公开了一种掩模板，用以通过该掩模板实现目标基板上线宽更窄，线宽一致的图形结构。本实用新型提供的掩模板包括：狭缝状透光区域和不透光区域，所述狭缝状透光区域的每一个边缘具有凸起区域和凹陷区域；所述凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状；所述两个边缘的凸起区域镜像对称，两个边缘的凹陷区域镜像对称；每一个边缘中相邻的凹陷区域和凸起区域形状相同且大小相同；两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1-3μm，以及凹陷区域之间的距离为3-4μm。
【IPC分类】G03F1-26
【公开号】CN204374608
【申请号】CN201520054802
【发明人】高志翔, 刘丽想, 董丽娟, 刘艳红, 王萍, 杨春花, 石云龙
【申请人】山西大同大学
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年1月23日