过插入模造(Insert Molding)或注入模造(Inject1n Molding)制程直接地形成在发光二极管芯片110上，且包括底部126中心Cl以及对应于底部126形成的出光面124，其中发光二极管芯片110位于底部126的中心线Vp上，最佳是设置在底部中心Cl的位置。换句话说，模造透镜120包括底部126以及出光面124，其中，如图2所示，发光二极管芯片110埋在模造透镜120中，且出光面124的位置对应于底部126。出光面124包括凹部122、第一出光区124a以及第二出光区124b。第一出光区124a围绕凹部122，而第二出光区124b围绕第一出光区124a。第一出光区124a连接于凹部122与第二出光区124b之间。
[0033]具体的，凹部122可对称于底部126中心线Vp。更具体举例来说，凹部122可以是圆锥形凹部，其中圆锥形凹部的顶点朝向发光二极管芯片110。一般而言，圆锥形凹部的顶角Θ在45度至150度之间。在本实施例中，圆锥形凹部的顶角0在70度至120度之间可以得到较佳的出光效果。
[0034]请参照图2，沿第一出光区124a连接至凹部122的一端El到第一出光区124a连接至第二出光区124b的另一端E2的方向上，底部126中心Cl与出光面124之间的距离为平顺且逐渐地增加。第一出光区124a连接至凹部122的一端El与底部126中心Cl连成第一参考线，第一出光区124a连接至第二出光区124b的另一端E2与底部126中心Cl连成第二参考线，第一参考线与第二参考线的夹角Qtl在3度至70度之间。此外，沿第一出光区124a连接至第二出光区124b的一端E2到第二出光区124b连接至模造透镜120的底部126的另一端E3的方向上，底部126中心Cl与出光面124之间的距离可为平顺且逐渐地增加或减少。在本实施例中，沿一端E2到一端E3的方向上，底部126中心Cl与出光面124之间的距离为减少，但本发明不以此为限。
[0035]参看图3和图4，图3是图1中发光组件的光强度分布图，图4是图1中发光组件的光型分布图。在图3的光强度分布图中，纵轴代表光强度，单位为瓦特/球面度(W/sr)，横轴代表与发光二极管芯片110的中心轴的夹角。在图3与图4的光型分布图中，以粗线绘示的0.0方向对应于面对发光组件100的水平方向，以细线绘示的90.0方向对应于面对发光组件100的垂直方向，图4径向方向对应于光强度，且越远离中心光强度越高。如图所示，发光组件100的光强度分布实质上为具有多个峰值的多模态分布。因此，通过模造透镜120的配置，发光组件100能够提供广角出光效果及高出光均匀度。需说明的是，上述数值仅为示例，本发明并不限于此。
[0036]参看图5及图6，图5是本发明第二实施例的发光组件的示意图，图6是图5中发光组件的剖面示意图。值得注意的是，在图5及图6中的发光组件200包含与先前用图1及图2揭露之发光组件100相同或相似的许多特征。为简洁起见，相同或相似的许多特征的详细描述可省略，且在这些图示及描述中被使用的类似标号代表相同或相似的构件。
[0037]第二实施例的发光组件200与第一实施例的发光组件100的主要差异在于:在第二实施例中，如图5所示，凹部222可包括第一 V形凹部，第一 V形凹部包括以非共平面的方式互相连接的第一平面222a与第二平面222b，且在剖面视角上顶角(θ 1+ Θ 2)形成于第一平面222a与第二平面222b之间。
[0038]顶角(θ 1+ Θ 2)可在45度至150度之间。在第二实施例中，顶角(θ 1+ Θ 2)为在70度至120度之间。具体的，顶角(0片02)包括形成于第一平面222a与垂直面VP之间的第一顶角G1以及形成于第二平面222b与垂直面VP之间的第二顶角Θ 2。在第二实施例中，凹部222不对称于底部226中心线，且第一顶角Q1的角度与第二顶角Θ 2的角度不同。第一顶角Q1可在20度至75度之间，且第二顶角Θ 2可同样在20度至75度之间。在本实施例中，第一顶角Q1等于45度，且第二顶角Θ 2等于70度。需说明的是，上述数值范围仅为示例，本发明并不限于此。另外，在其他实施例中，凹部222可对称于底部226中心线。也就是说，第一顶角Q1的角度等于第二顶角Θ 2的角度。
[0039]参看图7和图8，图7是图5中发光组件的光强度分布图，图8是图5中发光组件的光型分布图。在图7的光强度分布图中，与图3类似地，纵轴代表光强度，单位为瓦特/球面度(W/sr)，横轴代表与发光二极管芯片210的中心轴的夹角。在图7与图8的光型分布图中，与图4类似地，以粗线绘示的0.0方向对应于面对发光组件200的水平方向，以细线绘示的90.0方向对应于面对发光组件200的垂直方向，图8径向方向对应于光强度，且越远离中心光强度越高。如图所示，发光组件200的光强度分布实质上为具有多个峰值的多模态分布。因此，通过模造透镜220的配置，发光组件200能够提供广角出光效果及高出光均匀度。
[0040]参看图9及图10，图9是本发明第三实施例的发光组件的示意图，图10是图9中发光组件的俯视图。值得注意的是，图9及图10所示的发光组件300包含与先前用图5及图6揭露的发光组件200相同或相似的许多特征。为简洁起见，相同或相似的许多特征的详细描述可省略，且在这些图示及描述中被使用的类似标号代表相同或相似的构件。
[0041]第三实施例的发光组件300与第二实施例的发光组件200的主要差异在于:凹部322不仅包括第一 V形凹部322a，还包括与第一 V形凹部322a相交的第二 V形凹部322b。具体的，第一 V形凹部322a的顶角包括图10所示的第一顶角Θ i与第二顶角Θ 2。在本实施例中，第一顶角G1的角度与第二顶角Θ 2的角度可不同。类似地，第二 V形凹部322b的顶角包括图10所示的第三顶角Θ/与第四顶角02’，且第三顶角O1’的角度与第四顶角θ2’的角度可不同。在本实施例中，第一 V形凹部322a的形状与第二 V形凹部322b的形状不同，也就是说，第一顶角Q1、第二顶角θ2、第三顶角O1’与第四顶角02’中的任一个可不同于第一顶角Q1、第二顶角θ2、第三顶角O1’与第四顶角02’中的其他一个。需说明的是，上述实施例仅为示例，本发明不限于此。另外，在其他实施例中，凹部322可为对称的。也就是，第一顶角Q1、第二顶角θ2、第三顶角O1’与第四顶角θ2’可相同，或其中部分顶角可相同，而部分顶角可不相同。本发明不以此为限。
[0042]参看图11及图12，图11是图9中发光组件的光强度分布图，图12是图9中发光组件的光型分布图。在图11的光强度分布图中，与图3及图7类似地，图11中的纵轴代表光强度，单位为瓦特/球面度(W/sr)，横轴代表与发光二极管芯片的中心轴的夹角。在图11与图12的光型分布图中，与图4及图8类似地，以粗线绘示的0.0方向对应于面对发光组件300的水平方向，以细线绘示的90.0方向对应于面对发光组件300的垂直方向，图12径向方向对应于光强度，且越远离中心光强度越高。如图所示，发光组件300的光强度分布实质上为具有多个峰值的多模态分布。因此，通过模造透镜320的配置，发光组件300能够提供广角出光效果及高出光均匀度。
[0043]参看图13，图13是本发明第四实施例的发光组件的剖面示意图。值得注意的是，图13所示的发光组件400包含与先前用图1揭露的发光组件100相同