专利名称：一种49u/s石英晶片倒边工艺的制作方法
技术领域：
本项发明涉及电子元件加工工艺领域，具体涉及一种49S石英晶片倒边工艺。
背景技术：
现在49U/S小公差石英晶片的倒边多采用干法倒边，未使用研磨液，现有的技术对于解决某一种49U/S小公差合格率偏低，生产效率低下，无法满足生产的需要。
发明内容
本发明的目的就是本实用新型的目的在于解决现在49U/S小公差晶片的倒边多采用干法倒边，不需要配制研磨液，现有的技术对于解决某一种49U/S小公差合格率偏低， 生产效率低下，无法满足生产的需要。而提供一种全新的工艺进行49U/S石英晶片加工。本发明工艺为将49U/S石英晶片放入直径80-90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片倒边机上，上转速控制在90-100转/分钟，环境湿度 40% -45%、环境温度25°C 士2°C，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，其重量份配比为水1000 碳化硅(800 井)20-30 防锈剂 8-12。本发明的优点是提高了 49U/S小公差晶片温度特性的一致性，提高了生产效率， 可用于8MHz-10MHz小公差晶片的倒边加工。
具体实施例方式1、本发明的工艺为将49U/S石英晶片放入直径80-90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片石英晶片倒边机上，上转速控制在90-100转/分钟，环境湿度40% -45%、环境温度25°C 士2°C，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，将水IOOOgJI 化硅25g、防锈剂IOg混合搅勻即成倒边研磨液。石英晶片倒边机水平安装在恒温(环境温度25 °C 士 2)恒湿(环境湿度 40% -45% )的工作间，装有倒边液和晶片的直筒放在石英晶片倒边机上按照设置的转速和时间转动，经过约12小时间，对倒边液进行更换，直到达到所需要的频率，倒边机上装有定时器。
权利要求
1. 一种49U/S石英晶片倒边工艺，其特征在于其工艺为将49U/S石英晶片放入直径80-90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片倒边机上，上转速控制在90-100转/分钟，环境湿度 40% -45%、环境温度25°C 士2°C，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，其重量份配比为水1000碳化硅20-30防锈剂8-12。
全文摘要
一种49U/S石英晶片倒边工艺,其工艺为:将49U/S石英晶片放入直径80-90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片倒边机上，上转速控制在90-100转/分钟，砂号采用GC800#-1000#，环境湿度40％-45％、环境温度25℃±2℃，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，其重量份配比为水1000 碳化硅20-30 防锈剂8-12。本发明的优点是提高了49U/S小公差晶片温度特性的一致性，提高了生产效率，可用于8MHz-10MHz小公差晶片的倒边加工。
文档编号B24B9/06GK102335855SQ20111014652
公开日2012年2月1日 申请日期2011年6月2日 优先权日2011年6月2日
发明者张 杰 申请人:湖北东光电子股份有限公司