专利名称：圆缺形石英晶片的大规模精确生产工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于通讯系统、导航系统、制导系统中的高稳晶体振 荡器的圆缺形石英晶片，具体地说，涉及了一种精密石英晶体谐振器用圆 缺形石英晶片的大规模精确生产工艺。
背景技术：
随着小型化及SMD晶体器件的不断发展，常规49U圆片市场不断縮小， 而在高端产品市场，随着科技发展的需要，高精密倒缺口圆形石英晶片在 振荡器中的应用越来越广泛，且市场需求越来越大。
现有的传统加工工艺一般使用外圆磨床进行单件晶砣逐个加工的方 式，其工艺如下如图1所示，将长宽为11*9 mm的石英晶片通过松香和 石蜡配置的粘接剂粘接成晶砣2，晶砣2两侧各加护边玻璃一块，晶砣2 长40mm;
磨圆如图2所示，将晶砣2夹持在外圆磨床的两个平面顶针3之间， 启动设备后，调整好外圆磨床的砂轮l的磨削位置，纵向进给砂轮l，磨 削开始，同时，砂轮1.和晶砣2同时互相高速旋转，晶砣2做横向缓慢移 动，晶砣2被金刚石砂轮1磨削为所要求尺寸的圆形，测量尺寸合格后， 准备磨圆缺；
磨圆缺如图3所示，晶砣2磨圆完成后，关闭平面顶针3的旋转开 关，同时，调整好晶砣2需磨缺口方位， 一般为x方向磨缺口，根据圆缺 高度，调整好砂轮1的纵向进给量， 一般为0.2mm，纵向进给砂轮l，磨削 开始，晶砣2在平面顶针3夹持下仅做横向缓慢移动，至缺口磨削完毕后， 砂轮l退回；如图3所示，砂轮1与晶砣2交叉黑色部分为晶砣2磨除部 分；如图4所示，圆缺型晶片4加工完成。在实际生产中发现，传统加工工艺存在着生产效率低下、平台定位控 制精度要求高的缺点，并由此带来技术水平要求高、设备占用时间长、加 工人员数量多和设备需求多的问题。
为了适应市场的需求，在提高生产效率的同时，又要实现产品质量的 可控和易控，作为生产企业急需开发一种新的圆片缺口的精确大批量高效 加工工艺。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种工艺简单、易于 操作、加工精度高、质量稳定、产品一致性好、适合大规模生产的圆缺形 石英晶片的大规模精确生产工艺。
为了实现上述目的，本发明提供一种圆缺形石英晶片的大规模精确生产 工艺，该生产工艺包括以下步骤
步骤l、将石英晶片粘接成砣体，在所述砣体两端侧面各粘接一块护边玻 璃，得到晶砣；
步骤2、将所述晶砣磨削成圆柱形晶砣，得到圆砣；
步骤3、将不少于两组的所述圆砣并列粘接在浮法玻璃上，得到圆砣磨削 载体；
步骤4、将不少于两组的所述圆砣磨削载体置入平面研磨设备内，然后， 启动所述平面研磨设备，对所述圆砣磨削载体的圆砣上端部进行统一磨削， 直至达到磨削要求，得到单缺口圆砣磨削载体；
步骤5、将所述单缺口圆砣磨削载体取出，化解开，得到单缺口圆缺形石 英晶片。
基于上述，在步骤1中，其中一块所述护边玻璃具有一条定位夹缝；在 步骤3中，使所有圆砣的定位夹缝在同一垂直面内保持同一个方向。
基于上述，在步骤3中，所述浮法玻璃的平行度和平面度均在0. Olmm内。 基于上述，在步骤3中，通过厌氧胶将所述圆砣并列粘接在浮法玻璃上，并通过厌氧胶将相邻圆砣粘接在一起。
本发明相对现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具体的说， 该生产工艺具有以下有益效果
1、 利用平面研磨设备进行倒平台圆片的精密磨削，大小及压力适中、 精度较高，完全满足新的工艺要求，具有精度高、尺寸一致性好、具备大 批量生产的优点；
2、 本发明采用的狭缝法平台方向定位工艺和机械化外型加工工艺，即有 效保证了方向准确，又达到了大规模、高精度加工的目的；
3、 采用传统工艺，单件产品是一个一个加工缺口的，工作效率低，劳动强 度大，而且缺口形状是一个弧形，而采用本发明的大批量加工工艺后，质量和 工作效率大幅提高，同时，缺口形状是一个理想的平面状态，产品质量一致性
达到最佳；
4、 采用该生产工艺使得生产效率大大提高，同时，产品质量大幅提高， 产品质量稳定，生产成本大幅降低，劳动强度降低，工作环境得到改善。
图1为本发明背景技术所述晶砣的结构示意图； 图2为本发明背景技术中晶砣被磨圆的状态示意图； 图3为本发明背景技术中晶砣被磨圆缺的状态示意图； 图4为本发明背景技术所述圆缺型晶片的结构示意图； 图5为本发明所述圆砣磨削载体的结构示意图； 图6为本发明所述单缺口圆砣磨削载体的结构示意图； 图7为本发明采用平面研磨设备进行研磨的状态示意图。
具体实施例方式
下面通过具体实施方式
，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
如图5、图6和图7所示， 一种圆缺形石英晶片的大规模精确生产工艺，
该生产工艺包括以下步骤步骤l、将石英晶片粘接成砣体，在所述砣体两端侧面各粘接一块护边玻
璃7，其中一块所述护边玻璃7具有一条定位夹缝8，得到晶砣；其中，在加
工缺口时，所述定位夹缝用于圆砣的精确定位，利于提高缺口加工精度和缺
口加工一致性；
步骤2、将所述晶砣磨削成圆柱形晶砣，得到圆砣；
步骤3、如图5所示，将不少于两组的所述圆砣6通过厌氧胶并列精密粘 接在一块浮法玻璃5上，并通过厌氧胶将相邻圆砣精密粘接在一起，并使所 有圆砣护边玻璃7的定位夹缝8在同一垂直面内保持同一个方向，最后，得 到圆砣磨削载体；所述浮法玻璃的平行度和平面度均在0. Olmm内；
步骤4、如图6所示，将不少于两组的所述圆砣6磨削载体置入平面研磨 设备内，然后，启动所述平面研磨设备，对所述圆砣磨削载体的圆砣上端部 进行统一磨削，直至达到磨削要求，使所述圆砣磨削载体的圆砣上端部形成 一平台面9，最后，得到单缺口圆砣磨削载体；即在磨削中，圆砣上端部位和 所述浮法玻璃底面参与磨削，而圆砣的其它部位不会参与磨削；
如图7所示，通常，所述平面研磨设备包括有上研磨盘10、下研磨盘 11、外齿圈13、中心轮14和游星轮12;采用所述平面研磨设备进行磨削 时，首先，升起平面研磨设备的上研磨盘10、将规格合适的游星轮12均 匀放入平面研磨设备的下研磨盘11上，将所述圆砣磨削载体放入游星轮 12的方孔内，应将所述圆砣磨削载体贴住下研磨盘11的表面，使得所述 圆砣6朝向上研磨盘10;摆放完毕后，缓慢落下上研磨盘IO，启动研磨液 沙泵，开机磨削缺口，直至磨削至规定深度后，提起上研磨盘IO，将得到 的单缺口圆砣磨削载体依次从游星轮12中取出，圆缺加工完毕。
步骤5、将所述单缺口圆砣磨削载体取出，化解开，得到单缺口圆缺形石 英晶片。
以上是单缺口圆缺形石英晶片的生产工艺，而双平台圆缺形石英晶片的
生产工艺在于在磨削完第一个平台后，即在上述步骤4中，去除所述单缺口圆砣磨削载体的浮法玻璃，并在所述平台面上粘接与前述浮法玻璃相同类 型的另一块浮法玻璃，得到二次磨削载体，然后，将不少于两组的所述二次 磨削载体置入平面研磨设备内，然后，启动所述平面研磨设备，对所述二次 磨削载体的圆砣另一端部进行统一磨削，直至达到磨削要求，并使所述二次磨削载体的圆砣另一端部形成另一平台面，最后，得到双平台圆砣磨削载体; 将所述双平台圆砣磨削载体取出，化解开，得到双平台圆缺形石英晶片。 采用本发明工艺加工出的产品主要应用于振荡器军品生产、出口高端产品领域。最后应当说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对 其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普 通技术人员应当理解依然可以对本发明的具体实施方式
进行修改或者对 部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵 盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。
权利要求
1、一种圆缺形石英晶片的大规模精确生产工艺，其特征在于，该生产工艺包括以下步骤步骤1、将石英晶片粘接成砣体，在所述砣体两端侧面各粘接一块护边玻璃，得到晶砣；步骤2、将所述晶砣磨削成圆柱形晶砣，得到圆砣；步骤3、将不少于两组的所述圆砣并列粘接在浮法玻璃上，得到圆砣磨削载体；步骤4、将不少于两组的所述圆砣磨削载体置入平面研磨设备内，然后，启动所述平面研磨设备，对所述圆砣磨削载体的圆砣上端部进行统一磨削，直至达到磨削要求，得到单缺口圆砣磨削载体；步骤5、将所述单缺口圆砣磨削载体取出，化解开，得到单缺口圆缺形石英晶片。
2、 根据权利要求l所述的圆缺形石英晶片的大规模精确生产工艺，其特 征在于在步骤1中，.其中一块所述护边玻璃具有一条定位夹缝；在步骤3 中，使所有圆砣的定位夹缝在同一垂直面内保持同一个方向。
3、 根据权利要求l所述的圆缺形石英晶片的大规模精确生产工艺，其特 征在于在步骤3中，所述浮法玻璃的平行度和平面度均在0.01mm内。
4、 根据权利要求l所述的圆缺形石英晶片的大规模精确生产工艺，其特 征在于在步骤3中，通过厌氧胶将所述圆砣并列粘接在浮法玻璃上，并通 过厌氧胶将相邻圆砣粘接在一起。
全文摘要
本发明提供一种圆缺形石英晶片的大规模精确生产工艺，该生产工艺包括以下步骤将石英晶片粘接成砣体，在所述砣体两端侧面各粘接一块护边玻璃，得到晶砣；将所述晶砣磨削成圆柱形晶砣，得到圆砣；将不少于两组的所述圆砣并列粘接在浮法玻璃上，得到圆砣磨削载体；将不少于两组的所述圆砣磨削载体置入平面研磨设备内，然后，启动所述平面研磨设备，对所述圆砣磨削载体的圆砣上端部进行统一磨削，直至达到磨削要求，得到单缺口圆砣磨削载体；将所述单缺口圆砣磨削载体取出，化解开，得到单缺口圆缺形石英晶片。采用该生产工艺使得生产效率大大提高，产品质量大幅提高，产品质量稳定，生产成本大幅降低，劳动强度降低，工作环境得到改善。
文档编号B24B5/01GK101518882SQ200910064239
公开日2009年9月2日 申请日期2009年2月19日 优先权日2009年2月19日
发明者李广辉 申请人:北京石晶光电科技股份有限公司济源分公司