1.一种用于在真空腔室中处理柔性基板(110)的处理设备(100)，所述处理设备包括：
处理滚筒(106)，所述处理滚筒用于当在所述处理滚筒上引导所述柔性基板时，处理所述柔性基板；
辊布置，所述辊布置具有一或多个辊(104；200)，所述一或多个辊被配置成当在所述处理滚筒上引导所述柔性基板之前，沿所述一或多个辊的一或多个圆周的一部分接触所述柔性基板，其中沿所述一或多个辊的所述一或多个圆周的一或多个部分的组合接触长度(40)为270毫米或更大，并且其中沿所述一或多个辊的所述一或多个圆周的所述一或多个部分中的每个部分的单独接触长度(40)为500毫米或更小；以及
一或多个温度调节元件，所述一或多个温度调节元件调节所述一或多个辊的温度。
2.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述温度调节元件包括加热装置(220；320；420)。
3.根据权利要求2所述的处理设备，其特征在于，所述加热装置包括第一端(250)和第二端(260)，并且其中所述加热装置被固持在所述第一端和所述第二端处，具体来说，其中所述加热装置被固定在所述真空腔室(120)中的第一端(250)和第二端(260)处。
4.根据权利要求书1至3中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述温度调节元件包括冷却装置(212)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理设备，其特征在于，沿所述一或多个辊(104；200)的所述一或多个圆周的所述一或多个部分的所述接触长度(40)为350毫米或更大。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述一或多个辊的第一辊(104；200)被配置成当在所述处理滚筒上引导所述柔性基板前，沿所述第一辊的第一圆周的第一部分直接接触所述柔性基板。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述柔性基板从所述第一辊到所述处理滚筒的自由跨距(50)为50毫米至600毫米。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述第一辊的直径为180毫米或更大。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述第一辊的直径为300毫米或更小。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述一或多个辊(104；200)是无源驱动的，具体来说，其中所述一或多个辊是由所述柔性基板(110)驱动。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述处理设备(100)进一步包括用于在所述真空腔室(120)中的所述一或多个辊外和所述一或多个辊内提供相同真空条件的真空产生布置。
12.一种在真空处理设备(100)中处理柔性基板(110)的方法，所述方法包括：
在真空腔室(120)中，使用所述真空腔室中的具有一或多个棍(104；200)的辊布置引导柔性基板(110)，其中所述引导包括270毫米或更大的沿所述一或多个辊的一或多个圆周的一或多个部分的组合接触长度(40)，其中沿所述一或多个辊的所述一或多个圆周的所述一或多个部分中的每个部分的单独接触长度(40)为500毫米或更小；以及
当所述柔性基板与所述一或多个辊中的每个接触时，将所述柔性基板的温度向处理滚筒的温度调节。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述调节所述温度包括加热所述柔性基板，或者其中所述调节所述温度包括冷却所述柔性基板。
14.根据权利要求12至13中任一项所述的方法，其特征在于，将所述柔性基板的温度调节到比所述处理滚筒的温度低20℃或更低，或者其中将所述柔性基板的温度调节到比所述处理滚筒的温度高20℃或更低。
15.根据权利要求12至13中任一项所述的方法，其进一步包括：
将所述处理滚筒加热到100℃或更高的温度；以及
当在所述处理滚筒上引导所述柔性基板时，使得所述柔性基板除气。