1.一种溅射沉积工艺，其特征在于，在溅射沉积工艺过程中，通过脉冲直流电源向靶材提供溅射功率；并且
预设用于承载基片的基座与射频电源电连接，或者，预设用于承载基片的基座通过电容接地，用以调节在所述基片表面形成的鞘层电压。
2.根据权利要求1所述的溅射沉积工艺，其特征在于，所述工艺压力的取值范围为10～100mT。
3.根据权利要求1所述的溅射沉积工艺，其特征在于，所述电容的容值大小不大于4000pF。
4.根据权利要求1所述的溅射沉积工艺，其特征在于，所述溅射沉积工艺用于沉积TiN膜层，工艺参数包括：工艺压力范围为10～100mT；所述溅射功率不大于20kW；所述靶材与基片之间的垂直距离范围为40～70mm。
5.根据权利要求4所述的溅射沉积工艺，其特征在于，所述工艺参数还包括：工艺温度大于300°。
6.根据权利要求1所述的溅射沉积工艺，其特征在于，所述溅射沉积工艺用于沉积AlN膜层，工艺参数包括：工艺压力范围10～100mT；所述溅射功率范围不大于40kW；所述靶材与基片之间的垂直距离范围为30～90mm。
7.一种溅射沉积设备，包括反应腔室，在反应腔室内的靠上位置设置有用于安装靶材的靶材位，在反应腔室内且位于所述靶材位下方的位置处设置有用于承载基片的基座，其特征在于，所述溅射沉积设 备还包括用于向所述靶材提供溅射功率的脉冲直流电源；并且
所述基座与射频电源电连接，或者，所述基座通过电容接地，用以调节在所述基片表面形成的鞘层电压。
8.根据权利要求7所述的溅射沉积设备，其特征在于，所述电容的容值大小不大于4000pF。