技术总结
本发明提供了一种溅射沉积工艺及设备，在溅射沉积工艺过程中，通过脉冲直流电源向靶材提供溅射功率；并且预设用于承载基片的基座与射频电源电连接，或者，预设用于承载基片的基座通过电容接地，用以调节在所述基片表面形成的鞘层电压。本发明提供的溅射沉积工艺及设备，同时能够实现成膜密度高和成膜均匀性好的优点。
技术研发人员：白志民;李强;张彦召;刘建生;王厚工;丁培军
受保护的技术使用者：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
文档号码：201510854884
技术研发日：2015.11.30
技术公布日：2017.06.09