1.一种等离子体化学气相沉淀成膜装置，其特征在于，具备：
真空腔室；
金属制的成膜辊，绕旋转轴旋转自如地安装在上述真空腔室内部，具有以该旋转轴为中心的圆筒状的外周面，在其外周面中的周向的一部分上卷绕带状的基材；
磁场生成部，配置在上述成膜辊的内部，在上述成膜辊的上述外周面中的被卷绕上述基材的部分的外侧生成磁场；
电源，连接在上述成膜辊上，对该成膜辊施加用来在上述磁场的区域内生成等离子体的交流电压；
罩，将上述成膜辊的上述外周面中的相对于卷绕上述基材的部分隔着该成膜辊的上述旋转轴位于相反侧且不与该基材接触的部分覆盖。
2.如权利要求1所述的等离子体化学气相沉淀成膜装置，其特征在于，
上述罩中的至少与上述成膜辊对置的部分包含绝缘材料。
3.如权利要求2所述的等离子体化学气相沉淀成膜装置，其特征在于，
上述罩具备：
金属制的主体部；
绝缘部，由上述绝缘材料构成，将该主体部的与上述成膜辊对置的部分覆盖。
4.如权利要求1所述的等离子体化学气相沉淀成膜装置，其特征在于，
上述罩是金属制；
上述等离子体化学气相沉淀成膜装置还具备辊绝缘部，上述辊绝缘部由绝缘材料构成，在上述成膜辊的上述外周面中的该成膜辊的轴向上至少将上述磁场生成部的配置区域的范围覆盖。
5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体化学气相沉淀成膜装置，其特征在于，
上述真空腔室具有成膜区和非成膜区，上述成膜区存在在上述磁场的区域内生成的上述等离子体，使用该等离子体进行上述基材的成膜，上述非成膜区不进行上述基材的成膜，
上述成膜辊具有配置在上述成膜区中的部分和配置在上述非成膜区中的部分，
上述罩配置在上述非成膜区中，将上述成膜辊的不与上述基材接触的部分覆盖。
6.如权利要求5所述的等离子体化学气相沉淀成膜装置，其特征在于，
上述等离子体化学气相沉淀成膜装置还具备隔壁，上述隔壁以相邻于上述成膜辊的方式配置，将上述成膜区和上述非成膜区划分，
上述非成膜区的压力被设定为比上述成膜区的压力高。