掩膜板及其制造方法、蒸镀方法与流程

本发明涉及显示技术领域，具体涉及蒸镀技术领域，尤其涉及一种掩膜板(mask)及其制造方法、蒸镀方法。

背景技术：

oled(organiclight-emittingdiode,有机电致发光二极管)是自发光器件，具有外观轻薄、功耗低、视角宽等优点，已成为显示领域极具发展潜力的技术。当前业界一般采用真空蒸镀技术制备oled。

如图1所示，通过磁铁的磁力将掩膜板11紧贴在tft基板12的一侧，掩膜板11上设有预先设计排版好的蒸镀孔111，蒸镀源13产生的有机材料通过掩膜板11上的蒸镀孔111沉积到tft基板12的子像素区域z1。尽管磁力可使掩膜板11与tft基板12紧密贴合，但由于tft基板12上存在ps(photospacer,间隔支撑物)121以及其他原因，例如局部磁力不足导致掩膜板11松弛等问题，仍会使得掩膜板11与tft基板12之间存在微米级的间隙，而在蒸镀过程中，有机材料会从该间隙处渗入，从而在子像素区域z1周围形成较大的外扩区z2，而当该外扩区z2扩大到相邻的子像素区域时会导致这相邻的两个像素出现混色，使得显示面板出现mura(显示不均匀)缺陷。

为了减小外扩区z2，结合图1和图2所示，蒸镀源13上可以设置限制板131来控制有机材料的扩散角度，但限制板131位于掩膜板11背向tft基板12的一侧，蒸镀源13和tft基板12之间具有一定距离，有机材料在传输到tft基板12的过程中扩散角度仍会变大，从而仍会在子像素区域z1周围形成较大的外扩区z2，蒸镀品质不高，对于减小相邻像素之间出现混色风险的作用十分有限。

技术实现要素：

鉴于此，本发明提供一种掩膜板及其制造方法、蒸镀方法，有利于减小子像素区域周围的外扩区，提高蒸镀品质，减小相邻像素混色风险。

本发明一实施例的掩膜板，包括掩膜板本体以及形成于掩膜板本体上的蒸镀孔和凸起，蒸镀孔贯穿掩膜板本体，凸起设置于蒸镀孔的边缘。

本发明一实施例的蒸镀方法，包括：

提供一掩膜板，掩膜板包括掩膜板本体以及形成于掩膜板本体上的蒸镀孔和凸起，蒸镀孔贯穿掩膜板本体，凸起设置于蒸镀孔的边缘；

将掩膜板与显示面板贴合，所述显示面板的子像素区域与蒸镀孔一一对应设置，且凸起位于相邻两个子像素区域之间；

在掩膜板背向显示面板的一侧进行蒸镀。

本发明一实施例的掩膜板的制造方法，包括：

在一衬底基材上形成贯穿衬底基材的蒸镀孔；

在衬底基材的表面覆盖一光阻层；

对光阻层曝光显影，形成位于蒸镀孔边缘的光阻区域；

对未被光阻区域遮盖的衬底基材进行刻蚀，使得刻蚀后的衬底基材的厚度小于被光阻区域遮盖的衬底基材的厚度；

去除光阻区域。

有益效果：本发明设计在掩膜板的蒸镀孔边缘设置凸起，在将掩膜板与待蒸镀基板贴合时凸起邻近待蒸镀基板设置，凸起朝向待蒸镀基板延伸，本发明相当于提高了掩膜板与待蒸镀基板的贴合紧密度，凸起能够阻挡有机材料的扩散角度，从而能够减少有机材料在待蒸镀基板上的扩散区域，有利于减小被蒸镀区域周围的外扩区，提高蒸镀品质，当在显示面板的子像素区域蒸镀oled时，能够减小相邻像素混色风险，降低显示面板出现mura缺陷的几率。

附图说明

图1是现有真空蒸镀技术的原理示意图；

图2是图1所示的蒸镀源的结构示意图；

图3是本发明一实施例的掩膜板的结构俯视图；

图4是图3所示的掩膜板的局部结构剖视图；

图5是本发明一实施例的蒸镀方法的流程示意图；

图6是基于图3所示掩膜板进行蒸镀的场景示意图；

图7为本发明一实施例的掩膜板的制造方法的流程示意图；

图8为本发明另一实施例的掩膜板的制造方法的流程示意图。

具体实施方式

本发明的主要目的是：在掩膜板的蒸镀孔边缘设置凸起，在将掩膜板与待蒸镀基板贴合时凸起邻近待蒸镀基板设置，凸起朝向待蒸镀基板延伸，本发明相当于提高了掩膜板与待蒸镀基板的贴合紧密度，凸起能够阻挡有机材料的扩散角度，从而能够减少有机材料在待蒸镀基板上的扩散区域，有利于减小被蒸镀区域周围的外扩区，提高蒸镀品质。

为了更好的说明与现有掩膜板的不同，本发明下文以在显示面板的子像素区域蒸镀oled为例进行描述，当然本发明的掩膜板还可以用于在其他类型的待蒸镀基板上蒸镀预设图案。

下面结合附图对本发明的各个实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述实施例及其技术特征可以相互组合。并且，以下全文所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述各个实施例，并非用于限制本发明的保护范围。

图3是本发明一实施例的掩膜板的结构俯视图，图4是图3所示的掩膜板的局部结构剖视图。请参阅图3和图4，本实施例的掩膜板30为板体，其包括掩膜板本体31，以及形成于掩膜板本体31上的呈阵列排布的多个蒸镀孔32和多个凸起(rib)33。

蒸镀孔32为贯穿掩膜板本体31的通孔，并且与所要制备的显示面板的子像素区域一一对应设置，所谓一一对应设置可以理解为：蒸镀孔32与子像素区域的开口形状及开口尺寸相同，并且在将掩膜板30与显示面板贴合时，每一蒸镀孔32与每一子像素区域重叠。

每一蒸镀孔32的边缘设置有凸起33，在将掩膜板30与显示面板贴合时，该凸起33对应位于相邻两个所述子像素区域之间。

如图5所示，本实施例采用掩膜板30进行蒸镀的方法包括：

s51：提供一掩膜板，掩膜板包括掩膜板本体及形成于掩膜板本体上的蒸镀孔和凸起，蒸镀孔贯穿掩膜板本体，凸起设置于蒸镀孔的边缘。

s52：将掩膜板与显示面板贴合，显示面板的子像素区域与蒸镀孔一一对应设置，且凸起位于相邻两个子像素区域之间。

s53：在掩膜板背向显示面板的一侧进行蒸镀。

结合图6所示，在将掩膜板30与显示面板贴合时，具体为将掩膜板30与tft(thinfilmtransistor,薄膜晶体管)基板60贴合时，凸起33朝向tft基板60延伸，其中凸起33的高度可以小于或等于tft基板60上ps61的高度，例如凸起33的高度为1～2毫米，相当于提高了掩膜板30与tft基板60的贴合紧密度。

在制备oled62的有机材料透过每一蒸镀孔32并朝向tft基板60扩散的过程中，凸起33可以阻挡有机材料向子像素区域63之外扩散，也就是说，凸起33能够阻挡有机材料的扩散角度，以此减少有机材料在tft基板60上的扩散区域，在子像素区域63形成oled62的同时减少其周围外扩区64的面积，从而提高蒸镀品质，减小相邻像素混色风险，由此降低显示面板60出现mura缺陷的几率。

在蒸镀过程中，本实施例可以采用与图2所示结构相同的蒸镀源13，鉴于蒸镀源13仅在其相对的两侧限制板131，本实施例可以仅在蒸镀源13的另外两侧设置凸起33。具体地，当每一限制板141与tft基板60的数据线平行，并且蒸镀源13沿平行于数据线的方向移动时，如图3所示，凸起33可以沿与tft基板60的扫描线平行的方向设置，例如掩膜板本体31上沿平行于扫描线的方向分布多个间隔设置的凸条，每一凸条位于上下两个蒸镀孔32之间，而每一凸起33的长度大于或等于蒸镀孔32在该方向上的长度。而当每一限制板141与tft基板60的扫描线平行，并且蒸镀源13沿平行于扫描线的方向移动时，凸起33可以沿与数据线平行的方向设置，例如掩膜板本体31上沿平行于数据线的方向分布多个间隔设置的凸条，每一凸条位于左右两个蒸镀孔32之间，而每一凸起33的长度大于或等于蒸镀孔32在该方向上的长度。

当然，为了进一步减少外扩区64的面积，凸起33也可以为围绕每一蒸镀孔32的环状凸起。另外，每一凸起33应尽量靠近蒸镀孔32的边缘设置，例如凸起33的边缘可以与蒸镀孔32的边缘平齐。

考虑到上述蒸镀可以在高温环境中进行，因此，本实施例的掩膜板本体31和凸起33均采用耐高温高压且不易变形的材质制得，例如凸起33可以采用因瓦合金(invar)材料形成。由于因瓦合金材料相对其他材料具有耐高温高压、膨胀系数小、形态稳定和不易发生形变等优点，因此在蒸镀过程中采用瓦合金材料制备的掩膜板本体31和凸起33不易发生形变。此外，掩膜板本体31和凸起33也可以采用其他金属材质制得，并且制造两者的材料可以相同，也可以不同。

图7为本发明一实施例的掩膜板的制造方法的流程示意图。该方法可用于制造上述实施例的掩膜板30。请参阅图7，所述方法包括：

s71：在一衬底基材上形成贯穿衬底基材的蒸镀孔。

本实施例可以通过包括涂布光阻、曝光、显影、刻蚀的图案化工艺在一整面衬底基材上形成贯穿衬底基材的蒸镀孔，该衬底基材与掩膜板本体31的制造材料相同。

s72：在衬底基材的表面覆盖一光阻层。

该光阻层可以覆盖蒸镀孔。

s73：对光阻层曝光显影，形成位于蒸镀孔边缘的光阻区域。

该光阻区域用于限定凸起33所在区域。

s74：对未被光阻区域遮盖的衬底基材进行刻蚀，使得刻蚀后的衬底基材的厚度小于被光阻区域遮盖的衬底基材的厚度。

s75：去除光阻区域。

本实施例是对一整块衬底基材进行曝光显影得到蒸镀孔32和凸起33。应理解，本发明还可以通过其他方式形成两者。

例如，参阅图8，本发明另一实施例的制造方法包括：

s81：在一衬底基材上形成贯穿衬底基材的蒸镀孔。

s82：在所述衬底基材上形成一金属层，该金属层暴露蒸镀孔。

s83：在金属层的表面覆盖一光阻层。

该光阻层可以覆盖蒸镀孔。

s84：对光阻层曝光显影，形成位于蒸镀孔边缘的光阻区域。

该光阻区域用于限定凸起33所在区域。

s85：对未被光阻区域遮盖的金属层进行刻蚀，去除未被光阻区域遮盖的金属层。

s86：去除光阻区域。

图7和图8所示实施例的方法可以用于制造具有上述结构的掩膜板30，因此具有与其相同的有益效果。

需要说明，以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。