技术特征：
技术总结
在化学气相沉积中校准温度的方法中，提供半导体基板。在半导体基板中定义至少一第一沟槽。此至少一第一沟槽具有第一深度(d1)。在设定一处理温度(T)下，使用至少一前驱物将涂布层沉积于半导体基板上。此涂布层定义出具有第二深度(d2)的至少一第二沟槽，且此至少一第二沟槽位于上述至少一第一沟槽上。决定第二深度(d2)相对于第一深度(d1)的深度参数(t)。然后，根据一预定标准参考曲线决定一处理温度(T)，其中此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度参数与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。
技术研发人员：陈治棻;刘宗颖;房业勳;黄邦育;彭垂亚
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.07.09
技术公布日：2019.02.05