在化学气相沉积中校准温度的方法与流程

关于一种校准温度的方法，特别是关于在化学气相沉积中校准温度的方法。

背景技术：

随着半导体装置的规模尺寸越来越小，目前正在研究新的材料和概念以达到先进的性能目标。每个步骤的制程条件对于控制半导体装置的品质也是非常重要的。

化学气相沉积(cvd)是一种通过使用热、电浆(plasma)、紫外线(ultraviolet)、或其他能源或其组合来分解气态化学物以形成稳定固体的方法。反应物气体通过晶圆上方，在晶圆上引起反应物材料的化学气相沉积而形成薄层。举例来说，硅的外延生长可以通过化学气相沉积来实现，此化学气相沉积是使用热作为能源，以分解一或多种气体化学物。cvd制程中的温度会影响沉积产物的生长速率(growthrate)和形态(morphology)。各种制程条件，例如温度的均匀性和反应气体的分布，必须仔细地控制以确保沉积层和形成半导体装置的高品质。

技术实现要素：

根据本揭露的一态样，提供一种用于半导体处理的方法。这种方法包含以下过程。提供一半导体基板。于半导体基板内定义出至少一第一沟槽。此至少一第一沟槽具有一第一深度(d1)。在一处理温度(t)的一设定下，使用至少一前驱物并通过化学气相沉积(cvd)沉积一涂布层于半导体基板上。涂布层填满至少一第一沟槽，并定义出具有一第二深度(d2)的至少一第二沟槽，且此至少一第二沟槽位于至少一第一沟槽上。决定相对于第一深度(d1)的第二深度(d2)的深度参数(t)。根据预定标准参考曲线决定一处理温度(t)的过程，此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度参数与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。

附图说明

当结合随附附图进行阅读时，本揭露发明实施例的详细描述将能被充分地理解。应注意，根据业界标准实务，各特征并非按比例绘制且仅用于图示目的。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。在说明书及附图中以相同的标号表示相似的特征。

图1绘示了根据一些实施方式中包含设置在半导体基板上的涂布层的示例性装置的一部分剖面示意图；

图2a绘示了根据一些实施方式的用于校准和调节用于制造涂布层的处理腔室温度的示例性方法的流程图；

图2b绘示了根据一些实施方式的用于产生预定标准参考曲线的示例性方法的流程图；

图3绘示了根据一些实施方式的在其中定义出至少一沟槽的示例性半导体基板的一部分剖面图；

图4绘示了具有设置在图3的半导体基板上的涂布层的示例性结构剖面图；

图5绘示了根据一些实施方式的位于半导体基板上的沟槽的示例性位置平面图；

图6绘示了根据一些实施方式的位于半导体基板上的多个沟槽的平面图；

图7绘示了具有不同尺寸标号的图4示例性结构的剖面图；

图8绘示了根据一些实施方式的用于在其中定义了至少一沟槽的半导体基板上外延生长硅的化学气相沉积(cvd)的示例性过程的示意图；

图9绘示了根据一些实施方式的示例性的预定标准参考曲线。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述元件和布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本揭露。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本揭露可以在多个实例中重复参考标号和/或字元。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所图示的一元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向上)且因此可同样解读本文所使用的空间相对性描述词。

在本揭露中，单数形式“一”、“一种”和“该”包括涉及的复数，以及涉及的一种特殊数值至少包含该特殊值，除非上下文清楚地描述了其它情况。因此，例如，提及的“纳米结构”是指一或多个此纳米结构和本领域技术人员所习知的等价物，等等。当数值使用前置的“约”来表示近似值时，它可以理解为该特殊值形成另一个实施方案。在此使用的“约x”(其中x是数值)优选指包括所述值的±10％。例如，惯用语“约8”优选指包括7.2至8.8的值；作为另一个实例，惯用语“约8％”优选(但不总是)指包括7.2％至8.8％的值。此时，所有的范围都是包含性的和可组合的。例如，提及范围“1至5”，所述范围应该认为是包括范围“1至4”、“1至3”、“1-2和4-5”、“1-3和5”、“2-5”等等。此外，当正面地提供一系列替换值时，这种系列可以被解释为任何所述替换值都可以被排除，例如在权利要求中的否定限制。例如，当提及“1至5”的范围时，所述范围可以被解释为包括负面排除1、2、3、4或5中的任一项的情况；因此，所述“1至5”可以认为是“1和3-5，但没有2”，或简单地认为“其中没有包括2”。意旨为，在权利要求中可以清楚地排除在此被正面叙述的任何部件、元件、特征或步骤，无论是否将此部件、元件、特征或步骤作为替换而列出或者是被独立地列举出来。

参阅图1，一示例性装置10包含一半导体基板12及一涂布层14设置于半导体基板12上。半导体基板12为一晶圆，其包含一半导体材料，并且可选择性地包含正在制造的晶体管和其他部件。用于基板12的合适材料的实例包含，但不限于，硅(silicon)、锗(germanium)、化合物半导体(compoundsemiconductor)和绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator，soi)基板。化合物半导体(compoundsemiconductor)可以是iii-v族半导体化合物，例如砷化镓(galliumarsenide，gaas)。soi基板可以包含一半导体位于诸如玻璃的绝缘体上。半导体基板12可以是任何尺寸(例如，直径300mm)的晶圆。

在一些实施方式中，涂布层14可以通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)制程使用一或多种气态前驱物(gaseousprecursors)来形成，其中气态前驱物在加热下分解以提供固体材料薄层作为涂布层14。在一些实施方式中，涂布层14包含硅，例如单晶硅(singlecrystalline)或多晶硅(polycrystallinesilicon)。通过使用至少一种含硅前驱物的热活化(heat-activated)cvd来实现硅的外延生长(epitaxialgrowth)。合适的含硅前驱物的实例包含，但不限于，硅烷(silane，sih4)、三氯硅烷(trichlorosilane，tcs)、甲基硅烷(methylsilane)、乙硅烷(disilane)、丙硅烷(trisilane)及其组合。可以使用诸如氢气的还原反应物。举例来说，在一些实施方式中，将包含三氯硅烷和氢气的混合物的气流引入处理腔室中，并在处理腔室内放置半导体基板12。气流在经加热反应后可以在半导体基板12上沉积硅。三氯硅烷和氢气的反应可以用下面的简化公式来说明：

sihcl3+h2→si+3hcl

在这种cvd制程中，温度会影响诸如硅的沉积产物的生长速率和型态(morphology)。举例来说，依据温度，所得到的产品可以是非晶(amorphous)、多晶(polycrystalline)或单晶(singlecrystalline)硅。包含针对目标温度设定的处理参数可以凭经验控制。实际的加工温度没有经过校准和控制。实际处理温度也可以通过量测涂布层14的厚度来校准。然而，有几个因素会影响涂布层14的厚度。举例来说，温度和沉积时间是两个关键的因素。根据发明人的研究，温度和沉积时间可以具有在比例3:1至4:1范围内的贡献因子。换句话说，温度对涂布层14厚度的影响为沉积时间的三倍至四倍。例如，温度对涂层厚度的影响大约是沉积时间对涂层厚度影响的3.6倍。总体而言，涂布层14的厚度对温度和沉积时间都非常敏感。温度和沉积时间的影响可能无法有效地区隔。

发明人已经确定了在cvd制程期间处理腔室内部的实际处理温度是确定沉积产品质量的一个因素。因此，在一些实施方式中，控制实际处理温度和温度均匀性以确保涂布层14(例如，硅)和所得半导体装置的高品质。

根据各种实施方式，本揭露提供一种用于半导体处理的方法，特别是用于校准和/或控制cvd制程或任何其他涂布制程中的实际温度的方法。参考如图3-7中描述的示例性结构来说明图2a-2b中记载的方法。在图3-7中，类似的特征以相同的图示标号表示，且为了简洁起见，不再重复前述图示提供的结构描述。

请参阅图2a，根据一些实施方式，示例性方法50可以用于校准和/或控制处理腔室中的温度。在过程(或步骤)52中，提供一半导体基板102。示例性的半导体基板102绘示在图3中。半导体基板102可以与前述的半导体基板12相同，只是半导体基板102其内定义了至少一第一沟槽106(图3)。半导体基板102可以是在制造半导体装置过程之前的试片(testpiece)，或者其上有构建半导体装置的晶圆(例如，工作晶圆(workingwafer))。假设半导体基板为工作晶圆，则至少一第一沟槽106可能设置在边缘(edges)附近。至少一第一沟槽106具有侧壁105和底壁107。至少一第一沟槽106可具有第一深度(d1)。至少一第一沟槽106可以使用任何合适的方法来形成。举例来说，可以使用光阻(photoresist)对半导体基板102进行图案化，然后，使用湿式法或干式法(例如，使用电浆)蚀刻半导体基板102以形成至少一第一沟槽106。可以量测和记录包含第一深度(d1)的至少一第一沟槽106的尺寸。在一些实施方式中，至少一第一沟槽106的宽度为从约5微米至约20微米的范围内(例如，从7微米至10微米)，且第一深度为从约50纳米至约300纳米的范围内(例如，从100nm至200nm)。

在步骤54中，在设定一处理温度(t)下，使用至少一前驱物通过化学气相沉积(cvd)将涂布层108沉积至半导体基板102上。所得到的结构200绘示在

图4中。除了由至少一第一沟槽106所造成的形状之外，涂布层108与前述的涂布层14相同。在一些实施方式中，涂布层108包含硅，举例来说，单晶硅或多晶硅。涂布层108可填满至少一第一沟槽106，并且共型地(conformally)形成在半导体基板102上。涂布层108定义出具有一第二深度(d2)的至少一第二沟槽116，其位于至少一第一沟槽106上。根据相对于至少一第一沟槽106的位置，涂布层108可以分为至少两部分，包含至少一第一沟槽106内的第一部分109以及位于半导体基板102上的第二部分110。如图4所示，至少一第二沟槽116具有侧壁112和底壁114。至少一第二沟槽116可以具有第二深度(d2)。涂布层108的第二部分110也包含位于底壁114上的肩部118。如图4所示，肩部118是涂布层108的一部分。

在一些实施方式中，涂布层108包含通过外延生长形成的硅(例如，单晶)。在一些实施方式中，硅的外延生长是通过使用至少一种含硅前驱物(silicon-containingprecursor)的热活化cvd来进行。至少一前驱物可以包含任何合适的化学物，其包含至少一含硅前驱物。举例来说，在一些实施方式中，至少一前驱物包含三氯硅烷(trichlorosilane，tcs)和氢气(hydrogen)。可以在合适范围的高温下进行cvd制程，举例来说，从约1,000℃至约1,500℃(例如，1,100℃至1,200℃)。tcs的流量可以在任何合适的范围内，举例来说，从约10,000sccm至约20,000sccm。氢气是一种反应物，也是一种气体载体。处理腔室内的气体压力可以在任何合适的范围内。在一些实施方式中，处理腔室内的气体压力为约1大气压。

包含第二深度(d2)的至少一第二沟槽116的尺寸可以在cvd制程离线之后或者在cvd制程在线期间量测和记录。在一些实施方式中，至少一第二沟槽116的宽度在约5微米至约20微米的范围内(例如，从7微米至10微米)，且第二深度在约50纳米至约300纳米的范围内(例如，从100nm至200nm)。涂布层108的厚度在约5微米至约50微米的范围内(例如，从5微米至约10微米)。

发明人已经确定了，处理温度是决定至少一第二沟槽116的第二深度(d2)相对于至少一第一沟槽106的第一深度(d1)的主要或关键的因素。然而，在一些实施方式中，为了保持一致的温度校准，涂布层108可以在每个实验中于相同的其他条件下沉积至半导体基板102上。举例来说，涂布层可以在处理腔室内以固定的气体压力和至少一种前驱体的固定进料速率于一段固定的时间内沉积。

图5中绘示了位于半导体基板102上的沟槽106和116的示例性位置。在一些实施方式中，半导体基板102为测试晶圆(或称为控片(controlwafer))，其是可以回收和再利用的。在一些其他的实施方式中，半导体基板102可以是其上制造有晶体管和装置的晶圆。在这些实施方式的任何一个中，至少一第一沟槽106可以形成在晶圆的任何位置。举例来说，至少一第一沟槽106可以形成在与半导体基板102的边缘210附近或相邻的区域中。至少一第一沟槽106可以形成在横跨半导体基板102的至少两个区域中(图5)，或者形成在沿着半导体基板102的边缘210均匀分布的多个(例如，3、4、5或6个)位置中。在一些实施方式中，至少一第一沟槽106也可以形成在半导体基板102的中间。图5仅绘示出两个第一沟槽106中的两个示例性位置以及具有两个第二沟槽116位于第一沟槽106上方的所形成的涂布层108。包含半导体基板102的结构200是投影至具有方格线222的观察面板220上，其仅用于目视检验的目的。每个相对应的区域可以在观察面板220上标记至少两个标记，以显示具有第二沟槽116位于第一沟槽106中的两个之上所形成的涂布层108。

参阅图6，在一些实施方式中，多个第一沟槽106和具有多个第二沟槽116的涂布层108可以形成在半导体基板102上。可以蚀刻半导体基板102以定义多个(例如，2、3、4、5、6个等)第一沟槽106，各个第一沟槽106可以彼此平行。多个第一沟槽可以具有相似或相同的尺寸，包含长度、宽度和深度。举例来说，每个沟槽106的宽度为在约5微米至约20微米的范围内(例如，从7微米至10微米)，且深度为在约50纳米至约300纳米的范围内(例如，从100nm至200nm)。多个第一沟槽106及多个第二沟槽116是用于在确定处理腔室内部的实际温度时产生多个数据点，以用于平均值。

在步骤52和54之后，可以收集和处理包含第一深度(d1)和第二深度(d2)的数据，以确定在步骤56中的cvd制程期间的实际处理温度。

在图2a的步骤56中，确定第二深度(d2)相对于第一深度(d1)的深度参数(t)。除非另有明确的指示，否则本揭露中提及的“第二深度(d2)相对于第一深度(d1)的深度参数(t)”将被理解为涵盖来自d1和d2的任何相对值，举例来说，差值(d2-d1)、比值(d2/d1)或只有d2，其中d1在所有的实验中为一个固定的常数。

在一些实施方式中，深度参数(t)是第二深度(d2)与第一深度(d1)之间的差值。或者，深度参数(t)可以由第二深度(d2)代表，其中第一深度(d1)为固定值。

当深度参数(t)为第二深度(d2)与第一深度(d1)之间的差值时，这种差异用来表示沉积涂布层108于至少一第一沟槽106上或内的相对趋势。请参阅图7，其标示了不同的尺寸参数。符号x1代表在涂布制程前基板102的厚度。符号y1是从沟槽106的底表面到基板102的底表面的尺寸。符号x2表示涂布层108的肩部118处的总厚度。符号y2是从沟槽116的底表面到基板102的底表面的尺寸。符号h1表示涂布层108在肩部118处的涂层厚度。符号h2表示涂布层108在沟槽部分109处的涂层厚度。

这些参数之间的关系可以用下面的等式来说明：

d1＝x1–y1

d2＝x2-y2

h1＝x2–x1

h2＝y2-y1

t＝d2–d1＝(x2-y2)-(x1–y1)＝(x2-x1)-(y2-y1)＝h1–h2

因此，作为第二深度(d2)和第一深度(d1)的差值的深度参数(t)也表示了肩部118(h1)的涂层厚度与涂布层108在沟槽部分109(h2)中的涂层厚度之间的差值。

发明人已经确定了，处理腔室内的实际处理温度为决定至少一第二沟槽116的第二深度(d2)相对于至少一第一沟槽106的第一深度(d1)的深度参数(t)的主要因素。根据发明人的实验发现，实际处理温度在深度参数(t)上的主要影响可以使用图8中的示意图500来解释。

请参阅图8，在一些实施方式中，示意图500显示出硅在半导体基板102上的外延生长的cvd示例性制程。当含硅前驱物tcs在高温(例如，约1100至1200℃)下加热时，tcs与氢气反应后会沉积硅。同时，tsc和氢气反应产生的副产物hcl可以蚀刻掉沉积的硅。

在cvd制程期间，当实际处理温度相对较低时，副产物hcl难以扩散到沟槽106中，因此硅的沉积在cvd制程期间占有主导权。在沉积涂布层108之后产生具有较低深度参数(t)(例如，d2相对于d1)的较浅的沟槽116。然而，在cvd制程期间，当实际处理温度相对较高时，副产物hcl可以扩散到沟槽106中以蚀刻沉积的硅，因此产生具有较大深度参数(t)(例如，d2相对于d1)的较深的沟槽116。因此，深度参数(t)(例如，d2相对于d1)可以用来校准实际处理温度。

在图2a的步骤60中，产生预定标准参考曲线。可在示例性方法50中选择性地执行步骤60。标准参考曲线可以建立在任何校准之前。步骤60也可以包含在建立标准参考曲线制程中的步骤52、54和56等等。在一些实施方式中，建立一次标准参考曲线作为通用工具。标准参考曲线可以在几次的实验中建立起来，其中量测每个实际处理温度以提供深度参数(t)与处理温度之间的关系。在半导体制造过程中不重复步骤60。

请参阅图2b，根据一些实施方式，用于产生预定标准参考曲线(步骤60)的示例性方法可以包含两个子过程(或子步骤)，例如62和64。

在步骤62中，使用至少一前驱物在被控制和量测的多个处理温度下通过cvd沉积多个参考涂布层108。多个参考涂布层108具有多个深度参数(t)落在第一范围(例如，50至300nm或100至200nm)。多个处理温度是落在第二范围(例如，1,000至1,500℃、1,100至1,200℃)。

在步骤64中，绘制在第一范围内多个深度参数(t)与多个处理温度之间关系的函数图，以提供标准参考曲线。根据一些实施方式，图9绘示出使用tsc和氢气通过cvd用于硅的外延生长的示例性预定标准参考曲线。在图9的标准参考曲线中，第一深度(d1)是固定的(约1,500埃(angstrom))，且深度参数(t)是由第二深度(d2)代表。

在图2a的步骤70中，接着，依据预定标准参考曲线确定在步骤54的cvd制程中的处理温度(t)，其中预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度参数与在第二范围内的多个参考处理温度之间的函数关系。在一次实验的进行中，得到相应的深度参数(t)后，依据预定标准参考曲线上相应的深度参数(t)来确定实际的处理温度。可以选择性地使用超过第一范围和第二范围的预定标准参考曲线的外推法(extrapolation)。当样品包含多个沟槽106和116时，则可以得到平均处理温度。在一些实施方式中，可以对应半导体基板102对映(mapped)出不同位置的温度和温度分布。

在步骤72中，在一些实施方式中，根据在步骤70中得到的结果，在步骤70之后，改变温度设定以调整实际处理温度至一期望水平。调整实际处理温度及其均匀性以提供具有优良品质的涂布层108所需的沉积速率和型态。

本揭露提供了一种用于半导体处理的方法。这种方法包含以下过程。提供一半导体基板。于半导体基板内定义出至少一第一沟槽。此至少一第一沟槽具有一第一深度(d1)。通过化学气相沉积(cvd)沉积一涂布层于半导体基板上，举例来说，在设定一处理温度(t)下，使用至少一前驱物。涂布层填满此至少一第一沟槽，并定义出具有一第二深度(d2)的至少一第二沟槽，且此至少一第二沟槽位于至少一第一沟槽上。决定相对于第一深度(d1)的第二深度(d2)的一深度参数(t)。此方法更包含根据预定标准参考曲线决定一处理温度(t)的过程，此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度参数与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。

在一些实施方式中，涂布层包含通过外延生长(epitaxialgrowth)形成的硅。此至少一前驱物可以包含任何合适的化学品，例如包含至少一含硅前驱物。举例来说，在一些实施方式中，此至少一前驱物包含三氯硅烷(trichlorosilane)以及氢(hydrogen)。

在一些实施方式中，深度参数(t)为第二深度(d2)与第一深度(d1)之间的差值。或者，深度参数(t)可以由第二深度(d2)代表，其中第一深度(d1)为固定值。

此方法可以进一步包含产生预定标准参考曲线的过程。在一些实施方式中，产生预定标准参考曲线的过程包含至少两个子步骤。首先，在第二范围内的多个处理温度下，使用至少一前驱物并通过化学气相沉积(cvd)沉积具有在第一范围内的多个深度参数的多个参考涂布层。其次，绘制第一范围内的多个深度参数与第二范围中的多个处理温度之间关系的函数图。

在一些实施方式中，在提供其中定义至少一第一沟槽的半导体基板的过程中包含蚀刻此半导体基板以定义出多个第一沟槽。在一些实施方式中，所述至少一第一沟槽的宽度在约5微米至约20微米的范围内(例如，从7微米至10微米)，且所述第一深度在约50纳米至约300纳米的范围内(例如，从100nm至200nm)。

可以在固定的压力和至少一前驱物的固定进料速率下，在固定的一段时间内将涂布层沉积于半导体基板上。在一些实施方式中，此方法还包含在根据预定标准参考曲线决定处理温度(t)的过程之后，改变此设定以调整处理温度至一期望水平。

在一些实施方式中，本揭露提供的方法包含以下过程。蚀刻半导体基板以在其中定义出至少一第一沟槽(例如，多个第一沟槽)。此至少一第一沟槽具有一第一深度(d1)。在一处理温度(t)的一设定下，使用至少一前驱物通过化学气相沉积(cvd)沉积一涂布层于半导体基板上。此涂布层定义出具有一第二深度(d2)的至少一第二沟槽，此至少一第二沟槽位于至少一第一沟槽上。然后，计算第二深度(d2)相对于第一深度(d1)的深度参数(t)。深度参数(t)为第二深度(d2)与第一深度(d1)之间的差值。处理温度(t)是根据预定标准参考曲线而决定的，此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。涂布层包含通过外延生长(epitaxialgrowth)形成的硅，且此至少一前驱物包含三氯硅烷(trichlorosilane)以及氢(hydrogen)。在一些实施方式中，在固定的压力和至少一前驱物的固定进料速率下，在固定的一段时间内将涂布层沉积于半导体基板上。此方法可以进一步包含在根据预定标准参考曲线决定处理温度(t)的过程之后，改变此设定以调整处理温度至一期望水平。

在一些实施方式中，本揭露提供的方法包含以下过程。蚀刻半导体基板以在其中定义出至少一第一沟槽(例如，多个第一沟槽)。此至少一第一沟槽具有一第一深度(d1)。在一处理温度(t)的一设定下，使用至少一前驱物通过化学气相沉积(cvd)沉积一涂布层于半导体基板上。此涂布层定义出具有一第二深度(d2)的至少一第二沟槽，此至少一第二沟槽位于至少一第一沟槽上。然后，决定第二深度(d2)相对于第一深度(d1)的深度参数(t)。在一些实施方式中，第一深度(d1)为一固定值，且深度参数(t)是由第二深度(d2)代表。此方法还包含根据预定标准参考曲线决定一处理温度(t)。此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。涂布层包含通过外延生长(epitaxialgrowth)形成的硅，且此至少一前驱物包含三氯硅烷(trichlorosilane)以及氢(hydrogen)。在一些实施方式中，此方法更包含在根据预定标准参考曲线决定处理温度(t)的过程之后，改变此设定以调整处理温度至一期望水平。

在此描述的方法和系统可以至少部分地以计算机应用程序和装置的形式来实现这些作业流程。本揭露方法也可以至少部分以计算机程序代码的形式实现，该计算机程序代码包含有形的、非临时性机器可读存储媒体(non-transientmachinereadablestoragemedia)。媒体可以包含，例如，ram、rom、cd-rom、dvd-rom、bd-rom、硬盘驱动器(harddiskdrive)、闪速记忆体(flashmemory)、或其他非临时性机器可读存储媒体中或这些媒体的任何组合，其中当将计算机程序代码载入计算机并且通过计算机执行时，计算机成为实践该方法的装置。不管是否将计算机程序代码装入计算机和/或通过计算机执行该计算机程序代码，该方法可以至少部分地以计算机程序代码的形式实现，从而使得当将计算机程序代码装入计算机并且通过该计算机执行该计算机程序代码时，计算机成为实施该方法的装置。当在通用处理器上实现计算机程序代码时，该计算机程序程序码片段配置处理器，从而制造专用逻辑电路。或者，该方法可以至少部分地包含在数字信号处理器中，该数字信号处理器由用于根据本揭露所公开的原理实施方法的专用集成电路形成。

前述内文概述了许多实施例的特征，使本技术领域中具有通常知识者可以从各个方面更加地了解本揭露。本技术领域中具有通常知识者应可理解，且可轻易地以本揭露为基础来设计或修饰其他制程及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与在此介绍的实施例等相同的优点。本技术领域中具有通常知识者也应了解这些相等的结构并未背离本揭露的发明精神与范围。在不背离本揭露的发明精神与范围的前提下，可对本揭露进行各种改变、置换或修改。