本实用新型涉及除膜技术领域，尤其涉及一种用于低辐射玻璃的除膜装置。
背景技术：
玻璃是由二氧化硅和其他化学物质熔融在一起形成的(主要生产原料为:纯碱、石灰石、石英)，在熔融时形成连续网络结构，冷却过程中粘度逐渐增大并硬化致使其结晶的硅酸盐类非金属材料，普通玻璃的化学组成是Na2SiO3、CaSiO3、SiO2或Na2O·CaO·6SiO2等，主要成分是硅酸盐复盐，是一种无规则结构的非晶态固体，广泛应用于建筑物，用来隔风透光，属于混合物，另有混入了某些金属的氧化物或者盐类而显现出颜色的有色玻璃，和通过物理或者化学的方法制得的钢化玻璃等，有时把一些透明的塑料(如聚甲基丙烯酸甲酯)也称作有机玻璃。
但是，现有的用于低辐射玻璃的除膜装置存在的功能不完善，工作效率低，使用不方便的问题，而提出的一种用于低辐射玻璃的除膜装置。
技术实现要素：
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种用于低辐射玻璃的除膜装置，包括磨轮结构、切削装配体、升降装配体、电动滑环，所述切削装配体下端设有大齿轮，所述大齿轮下端设有磨轮结构，所述磨轮结构与大齿轮之间设有垫片，所述切削装配体一端设有L型滑座，所述切削装配体上端设有电动滑环；所述升降装配体包括L型滑座与直线驱动器，所述直线驱动器上端设有电动推杆连接架，所述电动推杆连接架与直线驱动器通过连接头与第二连接头连接；所述直线驱动器下端设有关节接头，所述关节接头的下端设有气缸，所述切削装配体的一端设有接近开关，所述磨轮结构的外端设有吸尘装配体。
进一步地，所述磨轮结构包括磨轮，所述磨轮的一侧设有磨轮压盖，所述磨轮的外端设有磨轮垫片，所述磨轮垫片的上端设有磨轮压盖。
进一步地，所述气缸的上端设有气缸支架，所述气缸支架的上端设有气缸转接头，所述气缸转接头与关节接头连接。
进一步地，所述接近开关设置在接近开关支架上端。
与现有技术相比，本实用新型提供了一种用于低辐射玻璃的除膜装置，具备以下有益效果：
该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型通过磨轮护罩对磨轮具有保护左右，并且本实用新型，磨轮头下降接触到基准板之后，由电位计读取位置信息，经过程序计算确定磨轮的直径。及时知道磨轮的消耗量。可随时通过设定位置进行补偿，保证磨轮对玻璃的压力一致。大齿轮可以控制磨轮结构做360度运动，能够将磨削下来的膜废屑进行收集，从而完善功能多样性，便于推广和使用，达到最佳使用效果。
附图说明
图1为本实用新型提出的用于低辐射玻璃的除膜装置结构示意图；
图2为本实用新型提出的用于升降装配体结构示意图；
图中：1-切削装配体，2-大齿轮，3-磨轮压盖，4-电动滑环，5-磨轮，6-磨轮结构，7-吸尘装配体，8-升降装配体，81-直线驱动器，82-连接头，83-关节接头，84-气缸，85-第二连接头，86-电动推杆连接架，87-电位计，88-气缸转接头。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、 “顶”、“底”、“内”、 “外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
参照图1图2，一种用于低辐射玻璃的除膜装置，包括磨轮结构6、切削装配体1、升降装配体8、电动滑环4，所述切削装配体1下端设有大齿轮2，所述大齿轮2下端设有磨轮结构6，所述磨轮结构6与大齿轮2之间设有垫片，所述切削装配体1一端设有L型滑座，所述切削装配体1上端设有电动滑环4；所述升降装配体包括L型滑座与直线驱动器81，所述直线驱动器81上端设有电动推杆连接架86，所述电动推杆连接架86与直线驱动器81通过连接头82与第二连接头85连接；所述直线驱动器81下端设有关节接头83，所述关节接头83的下端设有气缸84，所述切削装配体1的一端设有接近开关9，所述磨轮结构6的外端设有吸尘装配体7。
其中，所述磨轮结构6包括磨轮5，所述磨轮5的一侧设有磨轮压盖6，所述磨轮6的外端设有磨轮垫片，所述磨轮垫片的上端设有磨轮压盖6。
其中，所述气缸84的上端设有气缸转接头88，所述气缸转接头88与关节接头83连接。
其中，所述接近开关设置在接近开关支架上端。
所述磨轮压盖3对磨轮4具有保护左右，当磨轮4下降接触到基准板之后，由电位计87读取位置信息，经过程序计算确定磨轮4的直径。及时知道磨轮4的消耗量。可随时通过设定位置进行补偿，保证磨轮对玻璃的压力一致。在机械运作的过程中，大齿轮可以控制磨轮结构做360度除膜运动。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。