6的实施方式。顶部框架836可以通过例如由两根横向条864保持在一起的两根纵向条862而制成。外掩模被保持在凹穴866内部。对正孔868被设置以便将顶部框架对齐至基座。
[0041]图9示出了具有例如被设计用于在晶片上制作多个触点的孔图案的内掩模的实例。这种内掩模可以与示于图10中的基座一起被使用，在图10中各磁体1034被分布在晶片表面的下方遍及整个区域。这些磁体以交替的极性被定向。在本实施方式中，在基座中没有必要具有凸起式框架，但其反而可以被形成为平坦的平台，如在图1OA的实例中所示。
[0042]图1OA示出了呈静电卡盘(ESC) 1080形式的基座1005的实施方式。在本实施方式中，ESC 1080的顶部为平坦的高台，并且没有凸起式框架且没有用于捕获破碎的基片碎块的凹穴。此外，在本实施方式中，弹簧加载的对正销1082被设置以便使得能够精确对正基片120。当掩模被放置在基片上时，其压缩对正销1082以便平放在基片上。这些对正销仅在两侧上被设置:在一侧上有一个销并且在以与第一侧成90度定向的另一侧上有两个销。于是基片可以被推动抵靠这些销以便对正基片。
[0043]如由上述的各实施方式可以被理解的，内磁性掩模应当是薄的，因而其是柔性的并且将顺应基片表面。基片保持器可以是框架、静电卡盘、平坦的板等等，只要其具有埋置在基片下方以保持内掩模与基片接触的磁体即可。这些磁体将沿着用于开放区域掩模(诸如仅掩蔽晶片的外边缘以用于边缘隔离的掩模)的掩模开口。对于具有遍及基片表面的孔的掩模，这些磁体将遍及该掩模的整个区域在该掩模下方成阵列。双掩模装置可被用于各种工艺，诸如，沉积，注入，RIE处理，等等。例如触摸屏可以通过覆盖沉积ITO继之以RIE处理以便穿过掩模形成ITO图案而被制成。
[0044]尽管本发明已在具体材料和具体步骤的示例性实施方式方面进行论述，但本领域的技术人员应理解的是，这些具体实例的变体可以被做出和/或被使用，并且这些结构和方法将根据由所描述和示出的实践给予的理解以及对操作的论述而得出，从而便于在不偏离由所附的权利要求限定的本发明的范围的情况下可以做出的修改。
【主权项】
1.用于掩蔽半导体晶片的两部分式掩蔽系统，其包括: 内掩模，其由平坦的金属片构成，所述金属片具有依照将被赋予晶片的期望图案而在其中切出的至少一个孔口，使得当所述内掩模被置于晶片上时所述内掩模覆盖晶片的一些部分；和， 外掩模，其被构造用于放置在所述内掩模上面并掩蔽所述内掩模，所述外掩模具有尺寸被设计成覆盖所述内掩模外周边缘的敞开式切口，所述外掩模具有大于所述内掩模厚度的厚度。
2.如权利要求1所述的两部分式掩蔽系统，其中内掩模的所述孔口被设计成仅覆盖晶片的外周边缘。
3.如权利要求1所述的两部分式掩蔽系统，其中所述内掩模包括多个孔口，所述多个孔口被设计成在晶片的一个表面上产生重复图案。
4.如权利要求1所述的两部分式掩蔽系统，其中所述内掩模由磁性材料制成。
5.如权利要求1所述的两部分式掩蔽系统，其中内掩模具有0.0Ol到0.003英寸的厚度。
6.如权利要求1所述的两部分式掩蔽系统，其中所述外掩模由磁性材料制成。
7.如权利要求1所述的两部分式掩蔽系统，其中所述外掩模由铝制成。
8.如权利要求1所述的两部分式掩蔽系统，其中所述内掩模由钢制成。
9.如权利要求1所述的两部分式掩蔽系统，还包括掩模框架，其被构造成支撑所述内掩模和外掩模，使得所述外掩模被夹在所述掩模框架和所述内掩模之间。
10.用于在处理期间支撑晶片的装置，其包括: 晶片承载器，其具有用于支撑晶片的平台； 内掩模，其被构造用于放置在晶片的顶部上，所述内掩模具有用于掩蔽晶片的一些部分并暴露晶片的剩余部分的开口图案； 外掩模，其被构造用于放置在所述承载器上面在所述内掩模的顶部上，所述外掩模具有被构造成部分地覆盖所述内掩模的开口。
11.如权利要求10所述的装置，其中所述内掩模由平坦的金属片构成，所述金属片具有尺寸略小于所述晶片的敞开式切口，使得当所述内掩模被置于所述晶片上时所述内掩模覆盖所述晶片的外周边缘。
12.如权利要求11所述的装置，其中所述内掩模由钢制成。
13.如权利要求11所述的装置，其中内掩模具有0.001到0.003英寸的厚度。
14.如权利要求10所述的装置，还包括多个磁体，其被埋置在所述承载器中并被构造成将所述内掩模牵引至与所述晶片接触。
15.如权利要求14所述的装置，其中所述外掩模由磁性材料制成以用于从所述磁体分流磁场并用于保持所述外掩模与所述内掩模接触。
16.如权利要求10所述的装置，其中所述外掩模由铝制成并且以物理接触地搁在所述内掩模的顶部上。
17.如权利要求10所述的装置，还包括承载器支座，其被构造用于同时支撑多个晶片承载器，每个晶片承载器均具有相应的内掩模和外掩模组件。
18.如权利要求17所述的装置，其中所述承载器支座包括保持所述多个晶片承载器的陶瓷条。
19.如权利要求17所述的装置，其中所述承载器支座还包括轨道，其被构造用于传输各晶片承载器通过处理系统。
20.如权利要求17所述的装置，其中所述承载器支座还包括掩模升降器，其被构造用于从所述晶片承载器升起所述外掩模和内掩模。
21.如权利要求17所述的装置，其中所述承载器支座还包括晶片举升销，其被构造用于从各晶片承载器升起晶片。
22.如权利要求10所述的装置，其中所述外掩模和内掩模被构造成仅通过磁性力而被保持至所述承载器，以便允许容易和快速地装载和卸载晶片。
23.如权利要求10所述的装置，其中所述承载器包括基座，所述基座具有带凹部的凸起式框架，所述框架限定出位于晶片下面的凹穴，使得晶片通过搁在所述凹部上的晶片外周而被悬置在所述凹穴上面。
24.如权利要求10所述的装置，其中所述承载器包括对正销并且所述外掩模具有相应的对正凹部。
25.如权利要求10所述的装置，其中所述外掩模包括折叠的铝片。
26.如权利要求14所述的装置，其中所述多个磁体由钐钴制成。
27.如权利要求10所述的装置，还包括掩模框架，其被构造成支撑所述内掩模和外掩模，使得所述内掩模被夹在所述掩模框架和所述外掩模之间。
28.如权利要求12所述的装置，其中所述磁体完全在所述框架周围以N-S-N-S-N的极性交替。
【专利摘要】用于在处理期间支撑基片的装置，其具有晶片承载器，所述晶片承载器具有用于支撑基片并将基片限制到预定位置的基座。内掩模被构造用于放置在基片的顶部上，所述内掩模具有用于掩蔽基片的未被处理的部分、但暴露基片的剩余部分以用于处理的开口图案。外掩模被构造用于放置在内掩模的顶部上，所述外掩模具有暴露内掩模的具有所述开口图案的那部分、但覆盖内掩模的外周的开口。
【IPC分类】C23C14-04
【公开号】CN104685095
【申请号】CN201380026127
【发明人】T·布卢克, I·拉奇福特, V·沙阿, A·里波萨恩
【申请人】因特瓦克公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年4月19日
【公告号】EP2839052A1, EP2839052A4, US20130276978, WO2013159050A1...