明不同实施方式的多个电极120的图案示意图，其中图4与图5的视角大致与载台110用以放置基材11的表面垂直。图3为尚未经过电极120改善薄膜13均匀度的示例。如图3所示，基材11上的薄膜13厚度并不均匀。薄膜13的中间部分较厚，而两侧较薄。简言之，图3中的基材11上的薄膜13的厚度大小以中心线X成对称分布。
[0034]有鉴于此，为了改善图3中薄膜13的均匀度，可将基材11放置在具有图4或图5的电极120图案的载台110上。如图4所示，各个电极120的图案可为环形，其中各个电极120实质上成同心圆分布于载台110上。如图5所示，多个电极120大致排列成环形图案。当基材11要进行镀膜作业时，基材11的背面(正面镀膜)是面对图4或图5中的环形图案。值得一提的是，图4与图5中各个电极120皆可被独立的控制。也就是说，使用者可以视情况需求只施加偏压至外围的电极120。控制电极120的偏压的方法可由图2的控制单元130实现，其中在图4与图5的实施方式中，控制单元(未绘示)的数目与电极120的数目一样，以独立的控制每个电极120，但本发明不以此为限。在另一实施方式中，控制单元的数目可能少于电极120的数目。此时，一个控制单元可以控制两个以上且位置相邻的电极120。
[0035]由于图4与图5中的各个电极120可被独立的控制，因此如果已知先前的薄膜13中间部分较厚(如图3所示)，则在进行新的镀膜作业时，可以独立的施加偏压至图4与图5中较远离中心地带的电极120，且较靠近中心地带的电极120不要施加偏压，以吸引带电离子至基材11的两侧，而改善先前的薄膜13中间部分较厚的问题。又或者在另一实施方式中，可以独立的施加较高的偏压至图4与图5较远离中心地带的电极120，且较靠近中心地带的电极120施加较低的偏压，以吸引较多带电离子至基材11的两侧，而改善先前的薄膜13中间部分较厚的问题。如此一来，在镀膜过程中，原本即将沉积至基材11中间位置的分子或原子可被电极120吸引至较两侧的位置，使得基材11中间位置的薄膜13厚度降低，借以改善图3中的薄膜13不均匀的问题。
[0036]请参考图6、图7与图8，其中图6为可以应用图7与图8的电极120图案来改善基材11上的薄膜13的均匀度的实施例，图7与图8分别为本发明不同实施方式的多个电极120的图案示意图，其中图7与图8的视角大致与载台110用以放置基材11的表面垂直。图6为尚未经过电极120改善薄膜13的均匀度的示例。如图6所示，基材11上的薄膜13厚度并不均匀。薄膜13的一侧较厚，另一侧较薄。
[0037]为了改善图6中薄膜13的均匀度，可将基材11放置在具有图7或图8的电极120图案的载台110上。如图7与图8所示，各个电极120为圆形。在图7中，多个电极120是均匀的分布于载台110内。在图8中，多个电极120在中心地带的分布较密集，在周围地带的分布较稀疏。类似于图4与图5，图7与图8中多个电极120皆可被独立的控制。因此，在本实施方式中，如果已知先前的薄膜13 —侧较厚，另一侧较薄(如图6所示)，则在进行新的镀膜作业时，可以在图7与图8中对应图6较薄一侧的区域所涵盖的电极120独立地施加偏压，且较厚的另一侧的电极120则不施加偏压，以吸引带电离子至有施加偏压的电极120上，而改善先前的薄膜13 —侧较厚且另一侧较薄的问题。又或者在另一实施方式中，可以在图7与图8中对应图6较薄一侧的区域所涵盖的电极120独立地施加较高的偏压，且较厚的另一侧的电极120施加较低的偏压，以吸引较多的带电离子至有施加较高偏压的电极120上，而改善先前的薄膜13 —侧较厚且另一侧较薄的问题。如此一来，在镀膜过程中，原本即将沉积至较厚一侧的带电离子可移动到较薄的一侧，而改善图6中薄膜13不均匀的问题。
[0038]应了解的是，在其他实施方式中，因为图5中的电极120也为两侧独立分布的实施例，所以为了改善图6中薄膜13的均匀度，也可将基材11放置在具有图5的电极120图案的载台110上。
[0039]请参考图9与图10，其分别为本发明不同实施方式的多个电极120的图案示意图，其中图9与图10的视角大致与载台110用以放置基材11的表面垂直。在图9中，各个电极120为扇形，且各个扇形的圆心角大致靠近中央分布。在图10中，多个电极120则排列成扇形图案，且当基材11要进行镀膜作业时，基材11是面对图9或图10中的扇形图案。在图9与图10的实施方式中，可针对基材11上的薄膜13的厚度大致一致的实施例进行改进。更确切而言，如果已知先前的薄膜13的厚度大致相等，则在进行新的镀膜作业时，可以选用图9与图10中多个电极120。图9与图10的各个电极120的面积大于图7?图8的各个电极120的面积，使得图9与图10的电极120被施加一偏压时，可以吸引大面积的带电离子，而提升薄膜13的沉积速率与致密度。
[0040]应了解的是，在图9与图10的实施方式中，由于电极120也为两侧独立分布的实施例，因此也可以用来改善图6中薄膜13的均匀度。另外，在图4?图5以及图7?图8的实施方式中，除了可以改善薄膜13的均匀度外，事实上也可以用来进一步提高薄膜13的沉积速率与致密度。
[0041]接着，请参考图11，其为本发明另一实施方式的镀膜装置20。图11的实施方式中的镀膜装置20与图1的实施方式中的镀膜装置20不同的地方在于，图11的镀膜装置20是利用化学方法(如化学气相沉积)将基材11镀上特定材料。更进一步而言，镀膜装置20包含有喷头210。喷头210配置于镀膜腔室100内的气体入口处G的位置。喷头210具有多个喷口 211。所述喷口 211面对载台110，其中气体入口处G提供的制程气体可经由喷口211朝向载台110移动，如图11中的箭头方向所示。在一实施方式中，制程气体可为有机或无机气体，其可与前驱物(precursor)反应而产生欲沉积的薄膜。反应过程中所产生的副产物则可由气体出口处O带走。
[0042]在图11的实施方式中，镀膜装置20可还包含等离子产生室200，等离子产生室200可利用微波或射频功率而产生等离子于其中。如图11所示，制程气体可先经由等离子产生室200离子化后才到达气体入口处G。离子化后的制程气体可被施加偏压的电极120所吸引。应了解的是，在其他实施方式中，镀膜装置20可不包含额外的等离子产生室200，即镀膜装置20可直接在镀膜腔室100内产生等离子，例如可配置用以产生等离子的射频电极于镀膜装置20的镀膜腔室100内。此外，类似于图1的实施方式，图11的实施方式的电极120可分别由独立地控制单元130所控制(如图2所示)。通过控制单元130独立地施加偏压至各个电极120上，可改善基材11上的薄膜13的均匀度与沉积效率。此外，图11的实施方式中的电极120图案可如图4?图5、图7?图8以及图9?图10所示，例如为环形、圆形或扇型等，在此便不赘述。
[0043]虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本
【发明内容】
，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本
【发明内容】
的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种镀膜装置，其特征在于，通过等离子在一基材上进行镀膜，该镀膜装置包含: 一镀膜腔室； 一载台，配置于该镀膜腔室内，该载台用以盛放该基材； 多个电极，配置于该载台；以及 多个控制单元，分别电性连接所述电极，其中所述控制单元用以分别施加一偏压于所述电极，以吸引该镀膜腔室内的用于镀膜的带电离子。2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，该偏压包含一直流电源。3.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，该偏压包含一具直流偏压的小信号交流电源。4.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，各该电极为圆形、环形及扇形。5.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述电极排列成一环形图案，且该环形图案面对该基材。6.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述电极排列成一扇形图案，且该扇形图案面对该基材。7.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，由垂直该载台的方向观之，所述电极均匀的分布于该载台内。8.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，还包含: 一靶材设置台，配置于该镀膜腔室内且面对该载台，该靶材设置台用以盛放一靶材。9.根据权利要求8所述的镀膜装置，其特征在于，还包含: 多个磁铁，配置于该镀膜腔室内，所述磁铁位于该靶材设置台远离该载台的一侧。10.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，还包含: 一喷头，配置于该镀膜腔室内的一气体入口处，且该喷头具有多个喷口，所述喷口面对该载台，其中该气体入口处提供的制程气体经由所述喷口而朝向该载台移动。
【专利摘要】一种镀膜装置，包含镀膜腔室、载台、多个电极以及多个控制单元。载台配置于镀膜腔室内，载台用以盛放基材。多个电极配置于载台。多个控制单元分别电性连接多个电极，其中多个控制单元用以分别施加一偏压于多个电极，以吸引镀膜腔室内用于镀膜的带电离子，借此改善基材的镀膜的均匀度。
【IPC分类】C23C16/44, C23C14/34
【公开号】CN104947048
【申请号】CN201510245444
【发明人】吴孝哲
【申请人】宁波时代全芯科技有限公司, 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年5月14日