)胺化合物的药液组成中，对钼的去除性不足。
[0152] 比较例3
[0153] 向容量IOL的聚丙烯容器中投入纯水7. 7kg、苹果酸0.5kg、乙酸铜（II) 一水合物 0. 3kg、咪唑0. 5kg和三乙醇胺I. 0kg。进行搅拌确认各成分溶解后，再次搅拌，制备液体组 合物。液体组合物的pH为6. 8。使用该液体组合物进行喷雾处理（50 %过蚀刻条件）。恰 当蚀刻时间为242秒，锥形角为80度，底部CD损失为4. 4 y m。将比较例3中得到的基板的 布线截面的二次电子显微镜像示于图6。底部CD损失大，无法得到良好的布线形状。另外， 在布线的横向确认到钼残留的样子。由以上可知，根据比较例3,不含（A)马来酸酐离子供 给源和（C)胺化合物的药液组成中，无法得到良好的布线形状，而且对钼的去除性不足。
[0154][表1]
[0155]
[0156] 实施例7~12
[0157] 使用表2所示的组成的液体组合物，与实施例1同样地对钼/铜/钼/玻璃基板 进行喷雾处理（50%过蚀刻条件）。将评价结果示于表2。使用扫描型二次电子显微镜观察 基板的截面和表面，结果关于利用任意液体组合物的处理后的基板，锥形角和底部CD损失 均良好，也没有观察到钼的残留。将实施例9中得到的基板的布线的截面的二次电子显微 镜像示于图7、基板的表面的的二次电子显微镜像示于图8。
[0158] 比较例4
[0159] 实施例12中，不包括作为（A)成分之一的马来酸酐、使作为（F)成分之一的硫酸 的配混量为0. 33kg，除此之外，与实施例12同样地制备蚀刻液，使用该蚀刻液进行喷雾处 理（50%过蚀刻条件）。即使进行处理400秒，钼/铜/钼基板也没有变透明，蚀刻没有完 成。以上可知，不含（A)成分的液体组合物中，无法对包含铜和钼的多层膜进行蚀刻。
[0160] 比较例5
[0161] 实施例12中，不包括作为（B)成分之一的氢氧化铜、不包括作为（E)成分之一的 钼酸铵、使作为（C)成分之一的1-氨基-2-丙醇的配混量为0. 99kg，除此之外，与实施例 12同样地制备蚀刻液，使用该蚀刻液进行喷雾处理（50%过蚀刻条件）。即使进行处理400 秒，钼/铜/钼基板也没有变透明，蚀刻没有完成。以上可知，不含（B)成分的液体组合物 中，无法对包含铜和钼的多层膜进行蚀刻。
[0162][表2]
[0163]
[0164] 实施例13~14
[0165] 使用表3所示的组成的液体组合物，与实施例1同样地对钼/铜/钼/玻璃基板 进行喷雾处理（50%过蚀刻条件）。将评价结果示于表3。关于利用任意液体组合物的处理 后的基板，锥形角和底部CD损失均良好，也没有观察到钼的残留。
[0166][表3]
[0167]
[0168] 实施例15~17
[0169] 使用表4所示的组成的液体组合物，使用该蚀刻液对参考例3中得到的形成有抗 蚀图案的钼/铜/钼/IGZO/玻璃基板进行喷雾处理（50%过蚀刻条件）。将评价结果示于 表4。关于利用任意液体组合物的处理后的基板，锥形角和底部CD损失均良好，也没有观察 到钼的残留。另外，也没有观察到对IGZO层的损伤。将实施例16中得到的基板的布线的 截面的二次电子显微镜像示于图9、基板的表面的二次电子显微镜像示于图10。
[0170] 进而，使用表4所示的组成的液体组合物，使用小型蚀刻机（关东机械工业制），对 参考例2得到的IGZO/玻璃基板在35°C下进行300秒的喷雾处理。通过n&k Technology Inc.制的光学式薄膜特性测定装置n&k Analyzer 1280测定处理前后的IGZO膜厚，处理前 后的膜厚差除以蚀刻时间，从而算出蚀刻速度。所得评价结果如表4所示，IGZO的E. R小 于l:〇A/分钟（lnm/分钟）。
[0171][表 4]
[0172]
[0173] 由以上的评价结果表明，实施例的液体组合物均能够以良好的蚀刻速度蚀刻包含 铜和钼的多层膜，且蚀刻后的布线形状也良好。即便在以IGZO为半导体层的钼/铜/钼/ IGZO/玻璃基板的蚀刻中，也可以选择性地以良好的蚀刻速度蚀刻包含铜和钼的多层膜，且 蚀刻后的布线形状也良好，也观察不到对IGZO的损伤。
[0174] 产业h的可利用件
[0175] 本发明的液体组合物可以适合用于包含铜和钼的多层膜的蚀刻，可以一并、且以 良好的蚀刻速度蚀刻由包含铜和钼的多层结构组成的布线，可以实现高的生产率。
【主权项】
1. 一种液体组合物，其为从基板上选择性地蚀刻由铜或包含铜作为主要成分的化合物 组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的液体组合物，所述基板层叠有 包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合 物组成的层的多层膜， 所述液体组合物包含： (A) 马来酸根离子供给源； (B) 铜离子供给源；以及 (C) 胺化合物，其为选自由卜氨基-2_丙醇、2_(甲基氨基）乙醇、2_(乙基氨基）乙 醇、2-( 丁基氨基）乙醇、2-(二甲基氨基）乙醇、2-(二乙基氨基）乙醇、2-甲氧基乙基胺、 3-甲氧基丙基胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲基氨基-2-丙醇、 2-(2-氨基乙氧基）乙醇、吗啉、和4-(2-羟基乙基）吗啉组成的组中的至少一种， 且所述液体组合物的PH值为4~9。2. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，由钼或包含钼作为主要成分的化合物组 成的层的膜厚（钼膜厚）相对于所述由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层的膜厚 (铜膜厚）的比率（钼膜厚/铜膜厚）为0.05~1，其中，在各层为多层的情况下，所述膜 厚为各自的总膜厚。3. 根据权利要求1或2所述的液体组合物，其中，所述（A)马来酸根离子供给源为选自 由马来酸和马来酸酐组成的组中的至少一种。4. 根据权利要求1~3中的任一项所述的液体组合物，其中，所述（B)铜离子供给源为 选自由铜、硫酸铜、硝酸铜、乙酸铜和氢氧化铜组成的组中的至少一种。5. 根据权利要求1~4中的任一项所述的液体组合物，其中，所述（A)马来酸根离子供 给源相对于所述（B)铜离子供给源的配混比以摩尔基准计为0. 1~10。6. 根据权利要求1~5中的任一项所述的液体组合物，其中，所述（C)胺化合物相对于 所述（B)铜离子供给源的配混比以摩尔基准计为2~20。7. 根据权利要求1~6中的任一项所述的液体组合物，其中，还包含（D)羧酸根离子供 给源。8. 根据权利要求7所述的液体组合物，其中，所述羧酸根离子供给源（D)为选自由乙 酸、乙醇酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸、柠檬酸和这些羧酸的盐、以及乙酸酐组成的组中的至少 一种。9. 根据权利要求7或8所述的液体组合物，其中，所述羧酸根离子供给源（D)相对于所 述铜离子供给源（B)的配混比以摩尔基准计为0. 1~10。10. 根据权利要求1~9中的任一项所述的液体组合物，其中，还包含钼酸根离子供给 源（E)。11. 根据权利要求1~10中的任一项所述的液体组合物，其中，从基板上选择性地蚀刻 由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组 成的层，所述基板是在基板上层叠有由铟、镓、和锌组成的氧化物层（IGZO)、进而在其上层 叠有包括由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的 化合物组成的层的多层膜的基板。12. -种蚀刻方法，其为从基板上选择性地蚀刻由铜或包含铜作为主要成分的化合物 组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的方法，所述基板层叠有包括由 铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成 的层的多层膜，所述蚀刻方法包括使权利要求1~11中的任一项所述的液体组合物与该多 层膜接触。13. 根据权利要求12所述的蚀刻方法，其中，所述多层膜是将由钼或包含钼作为主要 成分的化合物组成的层与由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层层叠而得到的二 层膜。14. 根据权利要求12所述的蚀刻方法，其中，所述多层膜是将钼或包含钼作为主要成 分的化合物的层、由铜或包含铜作为主要成分的化合物组成的层、和由钼或包含钼作为主 要成分的化合物组成的层依次层叠而得到的三层膜。15. -种多层膜布线基板的制造方法，其为制造在基板上设置有至少包括由铜或包含 铜作为主要成分的化合物组成的层和由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层的多 层膜的多层膜布线基板的方法，所述制造方法包括： 在基板上依次设置由钼或包含钼作为主要成分的化合物组成的层和由铜或包含铜作 为主要成分的化合物组成的层从而形成多层膜， 在所述多层膜上被覆抗蚀剂，形成抗蚀膜， 将该抗蚀膜进行曝光和显影，形成规定的抗蚀图案，从而形成蚀刻对象物， 使所述蚀刻对象物与权利要求1~11中的任一项所述的液体组合物接触，从而对所述 多层膜进行蚀刻形成多层膜布线。16. -种多层膜布线基板，其通过权利要求15所述的制造方法制造。
【专利摘要】本发明提供包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物和包含铜和钼的多层膜的蚀刻的蚀刻方法、以及基板。本发明中使用如下液体组合物，其包含：(A)马来酸根离子供给源；(B)铜离子供给源；以及(C)胺化合物，其为选自由1-氨基-2-丙醇、2-(甲基氨基)乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(丁基氨基)乙醇、2-(二甲基氨基)乙醇、2-(二乙基氨基)乙醇、2-甲氧基乙基胺、3-甲氧基丙基胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲基氨基-2-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、吗啉和4-(2-羟基乙基)吗啉组成的组中的至少一种，且所述液体组合物的pH值为4～9。
【IPC分类】C09K13/00, H01L21/306, H01L21/768, H01L23/532, C23F1/14, H01L21/3213, H01L21/3205, H01L21/308
【公开号】CN105121705
【申请号】CN201480022520
【发明人】玉井聪, 夕部邦夫
【申请人】三菱瓦斯化学株式会社
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年4月9日
【公告号】WO2014175071A1