一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于精细化工领域，特别涉及一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法。
【背景技术】
[0002]当前，等离子体显示面板介质保护膜主要由MgO构成，其具有耐溅射性能优良，电阻率高、二次电子发射系数高、可见光透过率高等特点。该介质保护膜能够有效保护前基板的电极和介质层、延长等离子显示器的使用寿命、降低电压，从而改善等离子显示器的放电性能。然而降低PDP屏的着火电压是PDP行业永恒的课题，因此当前的研究重点都集中在介质保护膜材料的改进上。
[0003]使用掺杂的氧化镁烧结体靶材是提高二次电子发射系数的有效途径，掺杂的元素一般有锆、钴、铈、钙、硅等，一般都以氧化物形态存在。目前，钙掺杂的氧化镁烧结体靶材被众多rop生产企业认可。
[0004]在钙镁烧结体靶材的制备过程中，采用的方法是用纳米级的氧化钙和氧化镁进行干法掺混。对于掺杂靶材而言，混合均匀对其成膜质量有很大影响。干法混合，需要使用纳米级粉体原料，掺杂均匀耗时较长，而且经常存在死角。使用该方法，不仅产品质量难以掌控，而且生产成本较高。因此在制备钙掺杂氧化镁烧结体靶材过程中，需要一种能够省时、高效、成本低廉的掺混方法。
【发明内容】
[0005]为了克服现有干法慘混过程中存在的缺点，本发明提供一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法。
[0006]本发明的目的是通过以下措施来达到:提供一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法。以氧化镁和氧化钙为原料，先将氧化镁进行水解，再分多次投放氧化钙进行水解来实现。
[0007]本发明中所使用原料为氧化镁和氧化钙，其粒度应小于ΙΟΟμπι。氧化镁进行水解的初始温度在65?95°C之间。所述水解采用行星式球磨机，其转速在150?400r/min之间，球磨时间在5?105分钟之间。此外水解过程中添加适量的分散剂、表面活性剂和消泡剂。
[0008]有益效果:本发明降低了对原料的技术要求，省时高效，成本低廉，能有效的实现惨杂体钙镁的均匀慘混。
【具体实施方式】
[0009]下面结合实施例对本发明进行详细说明。
[0010]在本实施例中，提供一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法。以氧化镁和氧化钙为原料，先将氧化镁进行水解，再分多次投放氧化钙进行水解来实现。
[0011 ]本发明中所使用原料为氧化镁和氧化钙，其粒度应小于ΙΟΟμπι。氧化镁进行水解的初始温度在65?95°C之间。所述水解采用行星式球磨机，其转速在150?400r/min之间，球磨时间在5?105分钟之间。所述水解过程中添加适量的分散剂、表面活性剂和消泡剂。
[0012]即将高纯氧化镁置于球磨罐中，并添加分散剂、表面活性剂、消泡剂，介质为电子级高纯水，一定温度下，在行星式球磨机中进行水解。运行一定时间后，投放氧化钙原料，继续运行。每次投放量介于氧化镁重量的5?15%，分多次投放。最后一次投放后，运行一定时间，即可得到均匀的钙掺杂靶材浆料。
[0013]实施例
[0014]将100g高纯氧化镁和85°C电子级高纯水500ml投放到球磨罐中，配以适量的分散剂、表面活性剂、和消泡剂。磨球直径为5臟、200〖，球磨机转速为3001'/111；[11。运行球磨3()分钟后，向球磨罐中添加10g氧化钙，继续运行30分钟。再添加15g氧化钙，运行30分钟，即可得到20 %氧化钙掺杂的氧化镁烧结体靶材浆料。
[0015]以上内容是结合优选技术方案对本发明所做的进一步详细说明，不能认定发明的具体实施仅限于这些说明。对本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的构思的前提下，还可以做出简单的推演及替换，都应当视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法，其特征在于，以氧化镁和氧化钙为原料，先将氧化镁进行水解，再分多次投放氧化钙进行水解来实现。2.根据权利要求1所述的一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法，其特征在于，所使用原料为氧化镁和氧化钙，其粒度应小于ΙΟΟμπι。3.根据权利要求1所述的一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法，其特征在于，氧化镁进行水解的初始温度在65?95°C之间。4.根据权利要求1所述一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法，其特征在于，所述水解采用行星式球磨机，其转速在150?400r/min之间，球磨时间在5?105分钟之间。5.根据权利要求1所述一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法，其特征在于，所述水解过程中添加适量的分散剂、表面活性剂和消泡剂。
【专利摘要】本发明公开了一种钙镁烧结体靶材浆料的制备方法。以氧化镁和氧化钙为原料，先将氧化镁进行水解，再分多次投放氧化钙进行水解来实现。本发明中所使用原料为氧化镁和氧化钙，其粒度应小于100μm。氧化镁进行水解的初始温度在65～95℃之间。所述水解采用行星式球磨机，其转速在150～400r/min之间，球磨时间在5～105分钟之间。水解过程中添加适量的分散剂、表面活性剂和消泡剂。本发明降低了对原料的技术要求，省时高效，成本低廉，能有效的实现惨杂体钙镁的均匀慘混。
【IPC分类】C23C14/34, H01J11/40
【公开号】CN105483627
【申请号】CN201510932620
【发明人】曾卫军
【申请人】营口镁质材料研究院有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月15日