1.一种用于多晶硅生产中的除尘系统，用于去除四氯化硅高温氢化反应生成物料中的硅粉，所述生成物料包括氯硅烷气体、氢气、微量氯化氢气体和硅粉的混合物，其特征在于，所述除尘系统包括冷却单元和过滤单元，所述冷却单元用于对所述生成物料进行冷凝处理，以分别形成含有硅粉的液相氯硅烷和未冷凝气，所述未冷凝气包括氢气和微量氯化氢气体的混合气，并将所述未冷凝气直接排出，将含有硅粉的液相氯硅烷输出至所述过滤单元；所述过滤单元用于对含有硅粉的液相氯硅烷进行过滤处理，以得到不含硅粉的液相氯硅烷，并将其作为干净物料输出至所述冷却单元，以使所述干净物料与所述生成物料在所述冷却单元内混合，所述冷却单元还用于对所述干净物料与所述生成物料的混合物进行冷凝处理，以分别形成含有硅粉的液相氯硅烷和所述未冷凝气，并将所述未冷凝气直接排出，将含有硅粉的液相氯硅烷输出至所述过滤单元，如此循环往复以去除所述生成物料中的硅粉。
2.根据权利要求1所述的除尘系统，其特征在于，所述冷却单元还包括喷淋子单元，其设置在所述冷却单元的内部，所述喷淋子单元用于向进入所述冷却单元内部的物料喷射冷液体，从而分别形成含有硅粉的液相氯硅烷、所述未冷凝气和汽化后的冷液体的混合气，而所述未冷凝气和汽化后的冷液体的混合气被直接排出。
3.根据权利要求1所述的除尘系统，其特征在于，所述过滤单元还用于在其进出口压差达到预设限值时进行排渣处理，从而将所述干净物料排至下游回收工序。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的除尘系统，其特征在于，所述除尘系统还包括增压单元，其设置在所述冷却单元和所述过 滤单元之间，用于将所述冷却单元输出的含有硅粉的液相氯硅烷进行增压处理以形成增压后的含硅粉的液相氯硅烷，并输出至所述过滤单元。
5.根据权利要求4所述的除尘系统，其特征在于，所述增压单元输出的增压后的含硅粉的液相氯硅烷的压力范围为2.5-3.5MPa。
6.一种用于多晶硅生产中的除尘方法，用于去除四氯化硅高温氢化反应生成物料中的硅粉，所述生成物料包括氯硅烷气体、氢气、微量氯化氢气体和硅粉的混合物，其特征在于，所述除尘方法包括如下步骤：
1)对所述生成物料进行冷凝处理，以分别形成含有硅粉的液相氯硅烷和未冷凝气，所述未冷凝气包括氢气和微量氯化氢气体的混合气，并将所述未冷凝气直接排出；
2)对含有硅粉的液相氯硅烷进行过滤处理，以得到不含硅粉的液相氯硅烷，将其作为干净物料并与所述生成物料混合；
3)对所述生成物料与所述干净物料的混合物进行冷凝处理，以分别形成含有硅粉的液相氯硅烷和所述未冷凝气，并将所述未冷凝气直接排出；
4)重复执行步骤2)和步骤3)，以去除所述生成物料中的硅粉。
7.根据权利要求6所述的除尘方法，其特征在于，
在步骤1)中，对所述生成物料进行冷凝处理具体为：向所述生成物料喷射冷液体，从而分别形成含有硅粉的液相氯硅烷、所述未冷凝气和汽化后的冷液体的混合气，而所述未冷凝气和汽化后的冷液体的混合气被直接排出；
在步骤3)中，对所述生成物料与所述干净物料的混合物进行冷凝处理具体为：向所述生成物料与所述干净物料的混合物喷 射冷液体，从而分别形成含有硅粉的液相氯硅烷、所述未冷凝气和汽化后的冷液体的混合气，而所述未冷凝气和汽化后的冷液体的混合气被直接排出。
8.根据权利要求6所述的除尘方法，其特征在于，步骤2)还包括：在对含有硅粉的液相氯硅烷进行过滤处理时，若过滤前的含有硅粉的液相氯硅烷与过滤后的不含硅粉的液相氯硅烷的压差达到预设限值，则进行排渣处理，从而将所述干净物料排至下游回收工序。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的除尘方法，其特征在于，步骤2)还包括：先对含有硅粉的液相氯硅烷进行增压处理，以形成增压后的含硅粉的液相氯硅烷，再对增压后的含有硅粉的液相氯硅烷进行过滤处理。
10.根据权利要求9所述的除尘方法，其特征在于，使增压后的含硅粉的液相氯硅烷的压力范围为2.5-3.5MPa。