1.一种用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，包括坩埚（1）以及控制系统，所述坩埚（1）内形成熔化区、液相区以及结晶区，所述熔化区和液相区的底部相通，所述结晶区与液相区相通；
所述坩埚（1）上设置有溶液控温系统，用于控制硅颗粒在熔化区内的熔化以及液相区内硅溶液基础温度；
所述钳锅上设置有用于结晶控温系统，用于控制硅片结晶所需要的温度梯度；
所述控制系统分别与溶液控温系统和结晶控温系统连接。
2.根据权利要求1所述的用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，所述的溶液控温系统包括至少一根石墨加热棒（2）、第一红外探测头（31）以及第二红外探测头（32），各所述石墨加热棒（2）、第一红外探测头（31）以及第二红外探测头（32）分别与控制系统连接；
所述石墨加热棒（2）的伸入坩埚（1）的熔化区和液相区内；所述石墨加热棒（2）上设置有若干个锯齿，所述熔化区内石墨加热棒（2）上的锯齿密度大于液相区内石墨加热棒（2）上的锯齿密度；
所述第一红外探测头（31）设置在熔化区底部的坩埚（1）上，用于探测熔化区内的温度；所述第二红外探测头（32）设置在液相区底部的坩埚（1）上，用于探测液相区内的温度。
3.根据权利要求2所述的用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，所述的石墨加热棒（2）为空心结构，在石墨加热棒（2）的中间开设有切槽，所述切槽沿石墨加热棒（2）长度方向设置。
4.根据权利要求1所述的用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，所述的结晶控温系统包括石墨加热板（4）、高温CCD探头（5）以及多组加热电极（6）；
所述的石墨加热板（4）固定设置在结晶区下方的坩埚（1）上；
高温CCD探头（5）固定设置并位于结晶区的上方，用于检测整个硅片结晶区域的温度梯度；
各组加热电极（6）固定设置在石墨加热板（4）的底部，各组加热电极（6）沿石墨加热板（4）长度方向等距排列分布；各组加热电极（6）分别与控制系统连接。
5.根据权利要求4所述的用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，每组加热电极（6）中，两端的加热电极（6）为主加热电极（61），两个主加热电极（61）之间的为辅助加热电极（62）；
所述的控制系统通过PWM控制各组加热电极（6）中的主加热电极（61）的加热功率，使各组加热电极（6）在结晶区由里向外方向的加热功率越来越低，形成一个温度梯度；
所述的控制系统通过PWM控制各组加热电极（6）中辅助加热电极（62）的加热功率，每组中的辅助加热电极（62）用来辅助主加热电极（61）以使该组加热温度平衡。
6.根据权利要求4所述的用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，相邻两组加热电极（6）之间的石墨加热板（4）上开设有凹槽（41），所述凹槽（41）内开设有多个通孔，各通孔位于相邻两个加热电极（6）之间。
7.根据权利要求6所述的用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，相邻两组加热电极（6）之间设置有绝缘垫（7）和保温石墨毡（8），所述绝缘垫（7）设置在凹槽（41）内。
8.根据权利要求4所述的用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，所述石墨加热板（4）的底部由内向外分布有4组加热电极（6），每组加热电极（6）中包括4个加热电极（6），外侧的两个加热电机为主加热电极（61），中间的两个加热电机为辅助加热电极（62）。
9.根据权利要求2所述的用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，所述石墨加热棒（2）的数量为2根。
10.根据权利要求2所述的用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，所述坩埚（1）底部用于安装红外探测头的区域的壁厚小于2mm。