技术总结
本发明涉及一种用于硅片水平提拉的加热装置，其特征是，包括坩埚以及控制系统，所述坩埚内形成熔化区、液相区以及结晶区，所述熔化区和液相区的底部相通，所述结晶区与液相区相通；坩埚上设置有溶液控温系统，用于控制硅颗粒在熔化区内的熔化以及液相区内硅溶液基础温度；钳锅上设置有用于结晶控温系统，用于控制硅片结晶所需要的温度梯度；控制系统分别与溶液控温系统和结晶控温系统连接。加热装置使用方便，对温度梯度控制精准，运行稳定，实现对硅片的水平提拉。
技术研发人员：徐晓东;丁建宁;袁宁一
受保护的技术使用者：常州大学
文档号码：201611186237
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.03.22