1.一种晶体生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：将晶体生长材料和含镱离子的化合物混合均匀后，压制成压片；
S2：将所述压片进行激光烧结生长，得到微晶或纳晶；
S3：调整激光光斑尺寸，使所述激光光斑覆盖整个种子晶体表面，进行原位退火，得到晶体。
2.如权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，步骤S2具体包括如下操作：
将所述压片放置于耐高温陶瓷容器中，并将输出激光光斑聚焦在压片表面上，然后调整激光器输出功率，使得激光聚焦处压片升温至熔融状态；
降低激光功率，进行原位退火；
待压片冷却至室温时，原熔融区域生长出微晶或纳晶。
3.如权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，步骤S3具体包括如下操作：
调节激光输出功率，也即改变激光功率密度，使得所述微晶或纳晶重新升温至熔融状态；
控制输出激光功率，使得熔融区域由微晶或纳晶处向外圈扩散，直至所设定的熔融范围；
再次降低激光功率，原位退火，避免因冷却速度过快而产生的热应力；
待压片冷却至室温时，原熔融区域即生长出所需晶体。
4.如权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，步骤S3中所需激光功率密度要远远低于步骤S2中激光烧结过程中所需的激光功率密度。
5.如权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，步骤S2和步骤S3中，激光烧结作用区的温度通过红外测温仪实时监测或通过敏化离子在共振激化烧结的激光作用下的上转换光谱强度分布实时监测。
6.如权利要求5所述的晶体生长方法，其特征在于，所述敏化离子为镱离子。
7.一种如权利要求1所述的晶体生长方法在陶瓷制备中的用途。