技术特征：
技术总结
本发明涉及Nb5+掺杂的单斜相VO2金属‑绝缘体相变陶瓷及其制备方法。该方法采用水热法以柠檬酸还原V2O5，经高温热处理得到单斜相VO2粉体原料，按不同掺杂比例掺入Nb5+混合研磨，经压片高温多次烧结得到金属‑绝缘体相变温度大大降低至室温乃至更低温度的VO2块体陶瓷材料。本发明工艺简单，制备效率高，烧结温度低，能耗小，成本低，环保无毒无污染，且制成的陶瓷相变性能好，结构稳定均匀，VO2块体陶瓷相变温度极大降低至室温25℃附近。在实际生产中具有巨大的利用价值。
技术研发人员：袁松柳;张润;尹重阳;符青山
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2017.03.28
技术公布日：2017.09.15