技术特征：
技术总结
本发明公开了一种双温区法晶体生长装置及DAST晶体生长工艺。双温区法晶体生长装置上部为低温区，具有杯状夹层结构；下部为高温区，呈球瓶形；上下温区间通过直管连接，并配有隔热挡板。过量的DAST源粉在下部高温区形成高温饱和溶液，通过连接直管向上部低温区传输，被上部低温区冷却后形成过饱和溶液，为DAST晶体生长提供了驱动力。该双温区法晶体生长装置结构简单、易于组建、便于操作。该双温区法DAST晶体生长工艺可避免自发成核对晶体生长过程的影响，实现DAST晶体稳定生长，有利于提高晶体质量。
技术研发人员：庞子博;王添依;刘金鑫;孟大磊;徐永宽;王利杰;武聪
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十六研究所
技术研发日：2017.09.12
技术公布日：2018.01.19