喷嘴的制作方法

本实用新型涉及多晶硅生产设备技术领域，尤其涉及一种喷嘴。

背景技术：

随着社会的快速发展，光伏领域得到越来越多的人的重视，而单晶硅成为太阳能电池板的主要材料。制作单晶硅的过程中，还原炉内通过通电高温硅芯将三氯氢硅与氢气的混和气体反应生成多晶硅并沉积在硅芯上，最终产物是沉积在硅芯上的多晶硅。由于还原炉内的进料气体是否分布均匀，以及气体的停留时间对多晶硅的生产质量和速度起到关键的作用，因此，一种能够使还原炉内进料气体分布均匀的喷嘴能够决定多晶硅的生产效率和生产质量。

现有的喷嘴通常采用通常由喷嘴芯体和外罩组成，芯体上设置进气孔，通过进气孔向还原炉内喷入三氯氢硅与氢气的混和气体，但是，由于芯体上的进气孔为直筒形状，当还原炉内的温度较高时，多晶硅会在进气孔的位置发生结硅的现象，导致进气孔阻塞，从而降低了多晶硅的生产效率和生产质量。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种喷嘴，主要目的是提供一种能够提高多晶硅生产效率的喷嘴。

为达到上述目的，本实用新型主要提供如下技术方案：

本实用新型实施例提供了一种喷嘴，包括：

芯体，所述芯体具有第一喷洒孔，所述第一喷洒孔的两端连通所述芯体的两端，所述芯体还具有多个第二喷洒孔，每个所述第二喷洒孔的两端连通所述芯体的两端，每个所述第二喷洒孔螺旋环绕设置在所述第一喷洒孔的边缘，并且与所述第一喷洒孔相互连通；

壳体，所述壳体套装在所述芯体上，用于固定所述芯体。

进一步的，所述第一喷洒孔的轴线与所述芯体的轴线相互重合。

进一步的，所述第一喷洒孔具有边缘侧面，每个所述第二喷洒孔的轴线分别与所述边缘侧面相互重合。

进一步的，所述芯体还具有底面和顶面，所述第一喷洒孔的两端连通所述底面和所述顶面，每个所述第二喷洒孔的两端连通所述底面和所述顶面。

进一步的，所述芯体还具有侧面，所述侧面具有螺纹，用于安装所述芯体。

进一步的，所述第二喷洒孔的轴线与所述底面之间形成第一角度，所述第一角度的范围为40度至60度。

进一步的，外罩，所述外罩的一端可拆卸连接于所述壳体，另一端朝向远离所述芯体的方向延伸。

进一步的，所述外罩的形状为梯形。

与现有技术相比，本实用新型具有如下技术效果：

本实用新型实施例提供的技术方案中，壳体的一端与进气管相连接，壳体套装在芯体上，用于固定芯体，芯体具有第一喷洒孔，第一喷洒孔的两端连通芯体的两端，芯体还具有多个第二喷洒孔，每个第二喷洒孔的两端连通芯体的两端，每个第二喷洒孔螺旋环绕设置在第一喷洒孔的边缘，并且与第一喷洒孔相互连通，三氯氢硅与氢气的混和气体通过进气管进入第一喷洒孔和多个第二喷洒孔，多个第二喷洒孔能够使混合气体螺旋进入还原炉内，提高了混合气体的流动速度，并且，每个第二喷洒孔螺旋环绕设置在第一喷洒孔的边缘，并且与第一喷洒孔相互连通，增加了第一喷洒孔的有效喷洒面积，相对于现有技术，芯体上设置进气孔，通过进气孔向还原炉内喷入三氯氢硅与氢气的混和气体，但是，由于芯体上的进气孔为直筒形状，当还原炉内的温度较高时，多晶硅会在进气孔的位置发生结硅的现象，导致进气孔阻塞，从而降低了多晶硅的生产效率和生产质量，本实用新型实施例中，通过在第一喷洒孔的边缘位置设置多个螺旋环绕的第二喷洒孔，提高了混合气体的流动速度，降低了多晶硅阻塞第一喷洒孔的可能性，同时增加了第一喷洒孔的有效喷洒面积，使喷嘴喷出的混合气体的分布更均匀，使还原炉内的多晶硅生长更均匀，从而达到提高多晶硅的质量的技术效果。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种喷嘴的结构示意图；

图2为图1中A-A处的剖面结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种芯体的立体结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

如图1、图2和图3所示，本实用新型实施例提供了一种喷嘴，包括：

芯体1，芯体1具有第一喷洒孔11，第一喷洒孔11的两端连通芯体1的两端，芯体1还具有多个第二喷洒孔12，每个第二喷洒孔12的两端连通芯体1的两端，每个第二喷洒孔12螺旋环绕设置在第一喷洒孔11的边缘，并且与第一喷洒孔11相互连通；

壳体2，壳体2套装在芯体1上，用于固定芯体1。

本实用新型实施例提供的技术方案中，壳体2的一端与进气管相连接，壳体2套装在芯体1上，用于固定芯体1，芯体1具有第一喷洒孔11，第一喷洒孔11的两端连通芯体1的两端，芯体1还具有多个第二喷洒孔12，每个第二喷洒孔12的两端连通芯体1的两端，每个第二喷洒孔12螺旋环绕设置在第一喷洒孔11的边缘，并且与第一喷洒孔11相互连通，三氯氢硅与氢气的混和气体通过进气管进入第一喷洒孔11和多个第二喷洒孔12，多个第二喷洒孔12能够使混合气体螺旋进入还原炉内，提高了混合气体的流动速度，并且，每个第二喷洒孔12螺旋环绕设置在第一喷洒孔11的边缘，并且与第一喷洒孔11相互连通，增加了第一喷洒孔11的有效喷洒面积，相对于现有技术，芯体1上设置进气孔，通过进气孔向还原炉内喷入三氯氢硅与氢气的混和气体，但是，由于芯体1上的进气孔为直筒形状，当还原炉内的温度较高时，多晶硅会在进气孔的位置发生结硅的现象，导致进气孔阻塞，从而降低了多晶硅的生产效率和生产质量，本实用新型实施例中，通过在第一喷洒孔11的边缘位置设置多个螺旋环绕的第二喷洒孔12，提高了混合气体的流动速度，降低了多晶硅阻塞第一喷洒孔11的可能性，同时增加了第一喷洒孔11的有效喷洒面积，使喷嘴喷出的混合气体的分布更均匀，使还原炉内的多晶硅生长更均匀，从而达到提高多晶硅的质量的技术效果。

上述壳体2的作用是固定芯体1，壳体2可以采用不锈钢或者其他材料，只要能够固定芯体1即可，芯体1通常采用不锈钢材料，芯体1的作用是喷出三氯氢硅与氢气的混和气体，芯体1具有第一喷洒孔11，第一喷洒孔11的两端连通芯体1的两端，第一喷洒孔11通常为直筒形状，芯体1的一端与进气管相连接，第一喷洒孔11与进气管的进气孔相互连通，混合气体依次通过进气管和第一喷洒孔11进入还原炉内，芯体1还具有多个第二喷洒孔12，每个第二喷洒孔12的两端连通芯体1的两端，每个第二喷洒孔12螺旋环绕设置在第一喷洒孔11的边缘，并且与第一喷洒孔11相互连通，也就是说，多个第二喷洒孔12设置在第一喷洒孔11的内壁的位置，并且，第一喷洒孔11分别与多个第二喷洒孔12相互连通，能够提高混合气体的进入量，由于第二喷洒孔12螺旋环绕设置在第一喷洒孔11的边缘，使得混合气体在进入第二喷洒孔12后，会产生加速的效果，提高了混合气体的流动速度，从而达到降低多晶硅在第一喷洒孔11或者第二喷洒孔12上发生结硅的可能性，同时，螺旋环绕设置的多个第二喷洒孔12能够使进入还原炉内的混合气体在还原炉内的分布更均匀，使还原炉内的硅棒的生长直径更均匀，从而达到提高硅棒的质量的技术效果。

进一步的，如图1、图2和图3所示，第一喷洒孔11的轴线与芯体1的轴线相互重合。本实施例中，进一步限定了第一喷洒孔11的位置，第一喷洒孔11的轴线与芯体1的轴线相互重合，也就是说，第一喷洒孔11位于芯体1的中心位置，芯体1通常是圆柱体，两端为平面，第一喷洒孔11连通芯体1的两端，进气管与芯体1的一端相连接，并且，进气管的轴线与芯体1的轴线相互重合，可以使混合气体均匀的进入第一喷洒孔11，从而达到使硅棒生长更均匀的技术效果。

进一步的，如图1、图2和图3所示，第一喷洒孔11具有边缘侧面13，每个第二喷洒孔12的轴线分别与边缘侧面13相互重合。本实施例中，进一步限定了第一喷洒孔11与每个第二喷洒孔12的位置，第一喷洒孔11具有边缘侧面13，每个第二喷洒孔12的轴线分别与边缘侧面13相互重合，也就是说，每个第二喷洒孔12的轴线位于第一喷洒孔11的边缘位置，可以增加第一喷洒孔11与多个第二喷洒孔12之间的连接空间，提高第一喷洒孔11和多个第二喷洒孔12的喷洒效率，并且，还能够更为均匀对还原炉内的硅棒进行喷洒，提高硅棒的质量。

进一步的，如图2所示，芯体1还具有底面14和顶面15，第一喷洒孔11的两端连通底面14和顶面15，每个第二喷洒孔12的两端连通底面14和顶面15。本实施例中，进一步限定了芯体1，芯体1具有底面14和顶面15，也就是说，芯体1为圆柱体、圆锥体、正方体或者长方体，第一喷洒孔11的两端连通底面14和顶面15，每个第二喷洒孔12的两端连通底面14和顶面15，只要具有底面14和顶面15的结构即可，第一喷洒孔11和第二喷洒孔12的两端分别连通底面14和顶面15，顶面15与进气管相互连接，底面14朝向还原炉的内部，混合气体通过进气管通入第一喷洒孔11和第二喷洒孔12，再进入还原炉内，从而达到方便混合气体进入还原炉的技术效果。

进一步的，如图2和图3所示，芯体1还具有侧面，侧面具有螺纹16，用于安装芯体1。本实施例中，进一步限定了芯体1的形状，芯体1具有侧面，并且在侧面设置螺纹16，也就是说，芯体1的形状为圆柱体或者圆锥体，侧面为圆弧形状，壳体2内侧设置与芯体1上的螺纹16相互配合的内螺纹，芯体1能够通过旋转安装在壳体2上，从而达到方便芯体1的拆卸和安装的技术效果。

进一步的，第二喷洒孔12的轴线与底面14之间形成第一角度，第一角度的范围为40度至60度。本实施例中，进一步限定了第二喷洒孔12，第二喷洒孔12与地面相互接触时，会形成一个夹角，如果夹角过大，混合气体通过第二喷洒孔12的时间较短，导致混合气体通过第二喷洒孔12的流动速度较慢，如果夹角过大，混合气体通过第二喷洒孔12的时间较长，会降低多晶硅的生产效率，通过实验得知，当第一角度为40度至60度时，混合气体的流动速度与通过第二喷洒孔12的时间比例较为合适，在提高混合气体的流动速度的同时，还能够提高多晶硅的生产效率。

进一步的，如图1和图2所示，增加了外罩3，外罩3的一端可拆卸连接于壳体2，另一端朝向远离芯体1的方向延伸。本实施例中，增加了外罩3，外罩3的作用是保护芯体1，可选的，可以在外罩3上设置多个通孔，使通过多个通孔的混合气体更为均匀的进入还原炉内，进一步达到提高硅棒的质量的技术效果。

进一步的，如图2所示，外罩3的形状为梯形。本实施例中，进一步限定了外罩3的形状，由于多个第二喷洒孔12螺旋环绕设置在第一喷洒孔11的边缘，因此，从第二喷洒孔12喷出的混合气体会旋转喷出芯体1，通过将外罩3的形状为梯形，可以使第二喷洒孔12喷出的混合气体朝向芯体1的侧面扩散，使混合气体更为均匀的进入还原炉内，进一步达到提高硅棒的质量的技术效果。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。