一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底的制作方法

文档序号:9559069阅读:391来源:国知局
一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,涉及玻璃制造领域。
【背景技术】
[0002]在光学玻璃的生产中,有时会需要生产大密度的光学玻璃,如含铅的火石玻璃等,其密度大部分在4.2g/cm3以上。而目前广泛使用的电气混合加热的瓷钼连熔窑炉所采用的铺底砖均为41#电熔锆刚玉砖,其密度在3.85 g/cm3—4.10 g/cm3之间。这样砖的密度小于所生产的玻璃的密度,生产过程中玻璃液在鼓泡器的作用下上下翻腾,一定炉龄期后可能导致中间的底砖发生悬浮错位,导致所生产玻璃出现内在瑕疵(如结石等),从而影响窑炉的使用,缩短窑炉的使用寿命。

【发明内容】

[0003]为解决上述技术问题,本发明提供一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,将中部底砖设计成“凸”字形,利用其与边部砖的咬合,将其压住以防止其悬浮错位。同时在其底部铺有一层捣打料层,以防止底部砖缝被侵蚀后玻璃液出现渗漏,从而大大提高窑炉的使用寿命。
[0004]本发明采取的技术方案为:一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,粘土大砖层与电熔锆刚玉底砖层之间铺设有锆质捣打料层。所述电熔锆刚玉底砖层为WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层,该电熔锆刚玉砖层设有凸起。所述锆质捣打料层为含锆64%的锆质捣打料层,厚度为10_。
[0005]所述WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层为7 ±夬,包括2块P01型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层、2块P02型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层、2块P03型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层、1块P04型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层,所述P03型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层、P04型WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层为凸字形,所述P01型WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层、P02型WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层靠内侧底部切角。
[0006]本发明一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层经过特殊加工,将其设计成“凸”字形咬合,利用炉体自重压紧咬合,防止其发生悬浮错位。中间铺设的锆质捣打料层在高温下烧结形成整块,防止玻璃从电熔锆刚玉层砖缝渗漏。
【附图说明】
[0007]图1为本发明结构示意图;
图2为本发明电熔锆刚玉底砖层组装示意图。
【具体实施方式】
[0008]如图1、图2所示,一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,粘土大砖层1与电熔锆刚玉底砖层3之间铺设有锆质捣打料层2。所述电熔锆刚玉底砖层3为WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层。所述锆质捣打料层2为含锆64%的锆质捣打料层,厚度为10mm。
[0009]所述WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层为7 ±夬,包括2块P01型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层、2块P02型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层、2块P03型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层、1块P04型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层。
[0010]所述P03型WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层、P04型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层为凸字形,底部高度为50mm,两边向内切去25mm。
[0011]所述P01型WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层、P02型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层靠内侧底部切角,同样向内切去25mm,距离底部50mm。
【主权项】
1.一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,其特征在于,粘土大砖层(1)与电熔错刚玉底砖层(3)之间铺设有锆质捣打料层(2);所述电熔锆刚玉底砖层(3)为WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层,该电熔锆刚玉砖层设有凸起层。2.根据权利要求1所述一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,其特征在于,所述锆质捣打料层(2)为含锆64%的锆质捣打料层,厚度为10mm。3.根据权利要求1所述一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,其特征在于,所述WSZ-41型电熔锆刚玉砖层为7块,包括2块P01型WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层、2块P02型WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层、2块P03型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层、1块P04型WSZ —41型电熔锆刚玉砖层,所述P03型WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层、P04型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层为凸字形,所述P01型WSZ - 41型电熔锆刚玉砖层、P02型WSZ — 41型电熔锆刚玉砖层靠内侧底部切角。
【专利摘要】一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,粘土大砖层与电熔锆刚玉底砖层之间铺设有锆质捣打料层。所述电熔锆刚玉底砖层为WSZ-41型电熔锆刚玉砖层。所述锆质捣打料层为含锆64%的锆质捣打料层,厚度为10mm。本发明一种用于光学玻璃熔炼窑炉的铺底,WSZ-41型电熔锆刚玉砖层经过特殊加工,将其设计成“凸”字形咬合,利用炉体自重压紧咬合,防止其发生悬浮错位。中间铺设的锆质捣打料层在高温下烧结形成整块,防止玻璃从电熔锆刚玉层砖缝渗漏。
【IPC分类】C03B5/42, C03B5/43
【公开号】CN105314820
【申请号】CN201410248844
【发明人】王鹏飞
【申请人】湖北戈碧迦光电科技股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年6月6日
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