碳纳米管的分拣的制作方法

文档序号：12554922阅读：332来源：国知局

取决于管直径和螺旋角(wrapping angle)，单壁碳纳米管(SWNT)显示出金属或半导体性质。SWNT的大量应用，例如有机光伏(OPV)器件和有机场效应晶体管(OFET)尤其需要具有最少金属性SWNT杂质的半导体SWNT。遗憾的是，SWNT的所有现有生长方法如电弧放电或激光烧蚀得到的是半导体和金属性SWNT的混合物。

已知若干种用于分离半导体SWNT和金属性SWNT的方法，然而它们中的大多数仍不适于大规模工业方法。有效的方法依赖于用聚合物分散半导体SWNT和金属性SWNT，随后离心。

Nish，A.；Hwang，J.-Y.；Doig，J.；Nicholas，R.J.Nat.Nano 2007，2，640-646描述了若干种用作SWNT分散剂的包含芴单元的聚合物和共聚物。聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)(PFO)作为分散剂显示出最高的选择性。

Berton，N.；Lemasson，F.；Tittmann，J.；Stürzl，N.；Hennrich，F.；Kappes，M.M.；Mayor，M.Chem.Mat.2011，23，2237-2249描述了若干种用作SWNT分散剂的包含由萘、蒽和蒽醌间隔基隔开的芴或咔唑单元的共聚物。

Tange，M.；Okazaki，T.；Iijima，S.J.Am.Chem.Soc.2011，133，11908-11911描述了用作SWNT分散剂的聚(9,9-二辛基芴-alt-苯并噻二唑)(F8BT)和聚(9,9-二正十二烷基芴)(PFD)。特别地，F8BT选择性地分离大(>1.3nm)直径SWNT。

Akazaki，K.；Toshimitsu，F.；Ozawa，H.；Fujigaya T.；Nakashima，N.J.Am.Chem.Soc.2012，134，12700-12707描述了12种用作SWNT分散剂的共聚物(9,9-二辛基芴-2,7-二基)_x((R)-或(S)-2,2’-二甲氧基-1,1’-联二萘-6,6-二基)_y，其中x和y为共聚物组成比。

Jakubka，F.；Schiessl，S.P.；Martin，S.；Englert，J.M.；Hauke，F.；Hirsch A.，Zaumseil，J.ACS Marco Lett.2012，1，815-819描述了用作SWNT分散剂的聚(9,9-二辛基芴)和聚(9,9-二辛基芴-共-苯并噻二唑)。

Mistry，K.S.；Larsen，B.A.；Blackburn，J.L.ACS Nano 2013，7，2231-2239描述了用作激光蒸发平均直径为1.3nm的SNWT的分散剂的聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-alt-共-(6,6’-(2,2’-联吡啶))]和聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-共-(9,10-蒽)]。

Qian，L.；Xu，W.；Fan，X.；Wang，C.；Zhang，J.；Zhao，J.；Cui，Z.J.Phys.Chem.2013，C117，18243-18250描述了9,9-二辛基芴-共-并噻吩，其用作SWNT分散剂以从商品电弧放电SWNT中选择性分离大直径SWNT。

Wang，H.；Mei，J.；Liu，P.；Schmidt，K.；Jimenez-Oses，G.；Osuna，S.；Fang，L.；Tassone，C.T.；Zoombelt，A.P.；Sokolov，A.N.；Houk K.N.；Toney，M.F.；Bao，Z.ACS Nano 2013，7，2659-2668描述了聚(二硫富瓦烯-芴-共-间噻吩)，其用作从电弧放电1.1-1.8nm SWNT中分离半导体SWNT的分散剂。

Berton，N.；Lemasson，F.；Poschlad，A.；Meded，V.；Tristram F.；Wenzel，W.；Hennrich，F.；Kappes，M.M.；Mayor，M.Small 2014，10，360-367描述了各自具有2,7-芴单元，但通过吡啶基的连接而变化的聚(芴-alt-吡啶)共聚物，以及聚(咔唑-alt-吡啶)共聚物，它们用作SWNT分散剂以选择性分离大(>1nm且至多1.3nm)直径SWNT。

在基于离心的分离方法中用作SWNT分散剂的半导体聚合物是特别有用的，因为包含半导体聚合物和半导体SWNT的离心方法产物可直接用于制备有机器件，如有机场效应晶体管(OFET)。

Lee，H.W.；Yoon，Y.；Park，S.；Oh，J.H.；Hong，S.；Liyanage，L.S.；Wan，H.；Morishita，S.；Patil，N.；Park，Y.J.；Park，J.J.；Spakowitz，A.；Galli，G.，Gygi,F.；Wong，P.H.-S.；Tok，J.B.-H.；Kim，J.M.；Bao，Z.Nat.Commun.2011，2，541-548描述了区域规整的聚(3-烷基噻吩)，其通常用作有机电子器件如有机场效应晶体管(OFET)中的半导体材料，用作SWNT分散剂。描述了包含区域规整聚(3-烷基噻吩)和半导体SWNT的晶体管。

US 2012/0104328描述了聚噻吩衍生物，其包含噻吩环和与噻吩环连接的烃侧链。描述了包含所述聚噻吩衍生物和半导体SWNT的晶体管。

Smithson，C；Wu,Y.；Wigglesworth，T.；Gardner，S.；Thu，S.；Nie H.-Y.Organic Electronics 2014，15，2639-2646描述了使用二酮基吡咯并吡咯-四噻吩的半导体共聚物和未分拣的SWNT制造有机薄膜晶体管。

本发明的目的是提供一种制备包含半导体单壁碳纳米管和半导体聚合物的组合物的方法，所述组合物适于形成电子器件，优选有机场效应晶体管(OFET)中的半导体层，且获得显示出高载流子迁移率和高开/关比的OFET。

该目的通过权利要求1的方法、权利要求14的组合物、权利要求15的方法、权利要求16的电子器件和权利要求18的用途实现。

本发明的方法是一种制备包含半导体单壁碳纳米管、半导体聚合物和溶剂A的组合物(组合物A)的方法，所述方法包括从包含半导体和金属性单壁碳纳米管、半导体聚合物和溶剂B的组合物(组合物B)中分离组合物A的步骤，其中所述半导体聚合物具有0.5-1.8eV的带隙，且溶剂A和溶剂B包含芳族或杂芳族溶剂。

带隙是最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)之间的能量差。带隙(Eg^opt)使用下述方程由半导体聚合物的吸收起始值(λ_起始)确定：

Eg^opt[eV]＝普朗克常数[eV s]×光速[nm s^-1]/λ_起始[nm]

其中半导体聚合物吸收起始值(λ_起始)由半导体聚合物在25℃下的薄膜UV-Vis-NIR谱确定，且表示吸收曲线和基线(吸收＝0)反射的最远红移点处切线相交处的波长。

图5显示了如何由半导体聚合物在25℃下的薄膜UV-Vis-NIR谱确定半导体聚合物的吸收起始值(λ_起始)。

优选地，所述半导体聚合物具有0.6-1.7eV的带隙。甚至更优选地，所述半导体聚合物具有0.8-1.6eV的带隙。最优选地，所述半导体聚合物具有1.0-1.5eV的带隙。

芳族溶剂可选自苯、萘、联苯及其混合物，所述苯、萘和联苯可被1-4个独立地选自如下组的取代基取代：卤素、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-12环烷基、CN、NO₂、OH、SH、NR¹⁰⁰⁰R²⁰⁰⁰、CHO、CO-C_1-20烷基、COO-C_1-20烷基、CONR¹⁰⁰⁰R²⁰⁰⁰、O-C_1-20烷基、S-C_1-20烷基、O-C_2-20链烯基和O-C_2-20炔基，且苯、萘和联苯可与–CH₂-CH₂-CH₂-或-CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-稠合，所述–CH₂-CH₂-CH₂-或-CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-可被C_1-20烷基或O-C_1-20烷基取代，或者其中–CH₂-CH₂-CH₂-或-CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-的一个或两个CH₂基团可被O、S或N-R¹⁰⁰⁰代替，其中R¹⁰⁰⁰和R²⁰⁰⁰独立且在每次出现为H或C_1-20烷基，其中C_1-20烷基可被一个或多个卤素取代。

芳族溶剂的实例为苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,3,5-三甲基苯1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、氯苯、1,2-二氯苯(邻二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、1,2-二氢化茚、1,2,3,4-四氢化萘、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、1,2-二乙基苯、1,3-二乙基苯、1,4-二乙基苯、丙苯、丁苯、叔丁基苯、异丙苯、1-甲基萘、2-甲基萘和1-氯萘。

杂芳族溶剂可选自噻吩、呋喃、吡啶、吡咯、嘧啶及其混合物，噻吩、呋喃、吡啶、吡咯和嘧啶可被1-4个独立地选自如下组的取代基取代：卤素、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-12环烷基、CN、NO₂、OH、SH、NR¹⁰⁰⁰R²⁰⁰⁰、CHO、CO-C_1-20烷基、COO-C_1-20烷基、CONR¹⁰⁰⁰R²⁰⁰⁰、O-C_1-20烷基、S-C_1-20烷基、O-C_2-20链烯基和O-C_2-20炔基，且噻吩、呋喃、吡啶、吡咯和嘧啶可与–CH₂-CH₂-CH₂-或CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-稠合，所述–CH₂-CH₂-CH₂-和CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-可被C_1-20烷基或O-C_1-20烷基取代，或者其中–CH₂-CH₂-CH₂-和CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-的一个或两个CH₂基团可被O、S或N-R¹⁰⁰⁰代替，其中R¹⁰⁰⁰和R²⁰⁰⁰独立且在每次出现时为H或C_1-20烷基，其中C_1-20烷基可被一个或两个卤素取代。

杂芳族溶剂的实例为噻吩、2-甲基噻吩、3-甲基噻吩、吡啶、2-甲基吡啶、3-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2,4-二甲基吡啶和2,4,6-三甲基吡啶。

优选地，溶剂B包含芳族溶剂。

更优选地，溶剂B包含基于溶剂B的重量为至少40重量％的芳族溶剂，所述芳族溶剂选自苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,3,5-三甲基苯1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、氯苯、1,2-二氯苯(邻二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、1,2-二氢化茚、1,2,3,4-四氢化萘、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、丙苯、丁苯、叔丁基苯、异丙苯及其混合物。

甚至更优选地，溶剂B包含基于溶剂B的重量为至少60重量％的芳族溶剂，所述芳族溶剂选自甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,3,5-三甲基苯氯苯、1,2-二氯苯(邻二氯苯)、1,2-二氢化茚、1,2,3,4-四氢化萘、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。

最优选地，溶剂B包含基于溶剂B的重量为至少80重量％的芳族溶剂，所述芳族溶剂选自甲苯、氯苯、邻二氯苯、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。

特别地，溶剂B为甲苯。

优选地，组合物B包含20-95重量％的半导体单壁碳纳米管和80-5重量％的金属性单壁碳纳米管，基于半导体和金属性单壁碳纳米管重量之和。

更优选地，组合物B包含50-90重量％的半导体单壁碳纳米管和50-10重量％的金属性单壁碳纳米管，基于半导体和金属性单壁碳纳米管重量之和。

最优选地，组合物B包含60-80重量％的半导体单壁碳纳米管和40-20重量％的金属性单壁碳纳米管，基于半导体和金属性单壁碳纳米管重量之和。

特别地，组合物B包含65-85重量％的半导体单壁碳纳米管和35-25重量％的金属性单壁碳纳米管，基于半导体和金属性单壁碳纳米管重量之和。

优选地，组合物B中的半导体和金属性单壁碳纳米管的直径为0.5-5nm。更优选地，组合物B中的半导体和金属性单壁碳纳米管的直径为0.8-2.5nm。最优选地，组合物B中的半导体和金属性单壁碳纳米管的直径为1.0-2.0nm。

优选地，组合物B中的半导体和金属性单壁碳纳米管之和的浓度基于组合物B的重量为0.001-3重量％。更优选地，组合物B中的半导体和金属性单壁碳纳米管之和的浓度基于组合物B的重量为0.01-2重量％。最优选地，组合物B中的半导体和金属性单壁碳纳米管之和的浓度基于组合物B的重量为0.1-1重量％。

优选地，组合物B中的半导体和金属性单壁碳纳米管之和/半导体聚合物的重量比为0.01/1-10/1。优选地，组合物B中的半导体和金属性单壁碳纳米管之和/半导体聚合物的重量比为0.05/1-5/1。更优选地，组合物B中的半导体和金属性单壁碳纳米管之和/半导体聚合物的重量比为0.25/1-3/1。

例如，组合物B可通过将溶剂B与半导体和金属性单壁碳纳米管的混合物混合而制备。半导体和金属性单壁碳纳米管的混合物可通过本领域已知的方法制备，例如电弧放电、激光烧蚀或含碳分子的催化分解(CVD)。

优选地，半导体和金属性单壁碳纳米管的混合物通过电弧放电制备。

通常，在分离步骤之前使用超声将组合物B混合。

优选地，通过离心方法将从组合物B中分离组合物A。优选地，离心方法中所用的角速度为1,000-100,000rpm。更优选地，离心方法中所用的角速度为5,000-50,000rpm。甚至更优选地，离心方法中所用的角速度为10,000-30,000rpm。最优选地，离心方法中所用的角速度为12,000-25,000rpm。

在离心方法中，可使用任何合适类型的离心机，例如微量离心机、高速离心机和超速离心机。优选使用高速离心机

离心方法通常在0-100℃，更优选0-50℃，甚至更优选0-30℃，最优选5-20℃，特别是10-20℃的温度下进行。

优选地，在离心方法之后收集上清液，可任选用溶剂将其稀释，从而获得组合物A。

优选地，溶剂A包含芳族溶剂。

更优选地，溶剂A包含基于溶剂A的重量为至少40重量％的芳族溶剂，所述芳族溶剂选自苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,3,5-三甲基苯1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、氯苯、1,2-二氯苯(邻二氯苯)、1,3-二氯苯、1,2,4-三氯苯、1,2-二氢化茚、1,2,3,4-四氢化萘、甲氧基苯(苯甲醚)、乙苯、丙苯、丁苯、叔丁基苯、异丙苯及其混合物。

甚至更优选地，溶剂A包含基于溶剂A的重量为至少60重量％的芳族溶剂，所述芳族溶剂选自甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,3,5-三甲基苯氯苯、1,2-二氯苯(邻二氯苯)、1,2-二氢化茚、1,2,3,4-四氢化萘、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。

最优选地，溶剂A包含基于溶剂A的重量为至少80重量％的芳族溶剂，所述芳族溶剂选自甲苯、氯苯、邻二氯苯、甲氧基苯(苯甲醚)及其混合物。

特别地，溶剂A为甲苯。

组合物A基本上不含金属性单壁碳纳米管，或者如果组合物A中存在金属性单壁碳纳米管，则组合物A的半导体单壁碳纳米管/金属性单壁碳纳米管重量比大于组合物B的半导体单壁碳纳米管/金属性单壁碳纳米管重量比。

优选地，所述半导体聚合物为包含至少一种式(1)或(5)单元的聚合物：

其中：

b和c彼此独立地为1、2、3、4、5或6，

a和d彼此独立地为0、1、2、3或4，

n和m彼此独立地为0、1、2、3或4，

R¹在每次出现时选自H、C_1-100烷基、C_2-100链烯基、C_2-100炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基、5-20元杂芳基、C(O)-C_1-100烷基、C(O)-C_5-12环烷基和C(O)-OC_1-100烷基，

其中：

C_1-100烷基、C_2-100链烯基和C_2-100炔基可被1-40个独立地选自如下组的取代基取代：C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^aR^b、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、N[C(O)R^a][C(O)R^b]、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、卤素、CN和NO₂；且C_1-100烷基、C_2-100链烯基和C_2-100炔基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12环烷基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^aR^b、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、N[C(O)R^a][C(O)R^b]、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、卤素、CN和NO₂；且C_5-12环烷基的一个或两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^a或NR^a-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元杂芳基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^aR^b、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、N[C(O)R^a][C(O)R^b]、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、卤素、CN和NO₂，

其中：

R^a和R^b独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、O-C_1-60烷基、O-C_2-60链烯基、O-C_2-60炔基、O-C_5-8环烷基、O-C_6-14芳基、O-5-14元杂芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif、NR⁵R⁶、卤素和O-C(O)-R⁵，

其中o为1-50的整数，

R^Sid、R^Sie、R^Sif独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、O-C_1-60烷基、O-C_2-60链烯基、O-C_2-60炔基、O-C_5-8环烷基、O-C_6-14芳基、O-5-14元杂芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii、NR⁵⁰R⁶⁰、卤素和O-C(O)-R⁵⁰；

其中：

p为1-50的整数，

R^Sig、R^Sih、R^Sii独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30链烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6环烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元杂芳基、O-Si(CH₃)₃、NR⁵⁰⁰R⁶⁰⁰、卤素和O-C(O)-R⁵⁰⁰，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

C_1-60烷基、C_2-60链烯基和C_2-60炔基可被1-20个选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NRcR^d、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、N[C(O)R^c][C(O)R^d]、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、卤素、CN和NO₂；且C_1-60烷基、C_2-60链烯基和C_2-60炔基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-8环烷基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^cR^d、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、N[C(O)R^c][C(O)R^d]、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、卤素、CN和NO₂；且C_5-8环烷基的一个或两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^c或NR^c-CO代替，

C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^cR^d、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、N[C(O)R^c][C(O)R^d]、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、卤素、CN和NO₂；

其中：

R^c和R^d独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30链烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6环烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元杂芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio、NR⁷R⁸、卤素和O-C(O)-R⁷，

其中：

q为1-50的整数，

R^Sim、R^Sin、R^Sio独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30链烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6环烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元杂芳基、-[O-SiR^SipR^Siq]_r-R^Sir、NR⁷⁰R⁸⁰、卤素和O-C(O)-R⁷⁰；

其中：

r为1-50的整数，

R^Sip、R^Siq、R^Sir独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、O-C_1-30烷基、O-C_2-30链烯基、O-C_2-30炔基、O-C_5-6环烷基、O-C_6-10芳基、O-5-10元杂芳基、O-Si(CH₃)₃、NR⁷⁰⁰R⁸⁰⁰、卤素和O-C(O)-R⁷⁰⁰，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基和5-10元杂芳基，

C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂，

L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自C_6-18亚芳基、5-20元亚杂芳基、

其中：

C_6-18亚芳基和5-20元亚杂芳基可被1-6个在每次出现时选自如下组的取代基R³取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基、OR³¹、OC(O)-R³¹、C(O)-OR³¹、C(O)-R³¹、NR³¹R³²、NR³¹-C(O)R³²、C(O)-NR³¹R³²、N[C(O)R³¹][C(O)R³²]、SR³¹、卤素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和OH，且

其中：

可被1或2个在每次出现时选自如下组的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基、C(O)-R⁴¹、C(O)-NR⁴¹R⁴²、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个独立地选自如下组的取代基取代：C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、卤素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12环烷基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、卤素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂；且C_5-12环烷基的一个或两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NRⁱ或NRⁱ-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元杂芳基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、卤素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂，

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、卤素、CN和NO₂；

C_5-8环烷基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、卤素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^k、OC(O)-R^l、C(O)-OR^k、C(O)-R^k、NR^kR^l、NR^k-C(O)R^l、C(O)-NR^kR^l、N[C(O)R^k][C(O)R^l]、SR^k、卤素、CN和NO₂；

其中：

R^k和R^l独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂，

L³和L⁴彼此独立且在每次出现时选自C_6-18亚芳基和5-20元亚杂芳基，

其中：

C_6-18亚芳基和5-20元亚杂芳基可被1-6个在每次出现时选自如下组的取代基R⁹取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基、OR⁹¹、OC(O)-R⁹¹、C(O)-OR⁹¹、C(O)-R⁹¹、NR⁹¹R⁹²、NR⁹¹-C(O)R⁹²、C(O)-NR⁹¹R⁹²、N[C(O)R⁹¹][C(O)R⁹²]、SR⁹¹、卤素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和OH，且

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

其中：

C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个独立地选自如下组的取代基取代：C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NRⁿR^m、N[C(O)Rⁿ][C(O)R^m]、SRⁿ、卤素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12环烷基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、卤素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_5-12环烷基的一个或两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^m或NR^m-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元杂芳基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、卤素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂，

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、

SR^o、卤素、CN和NO₂；

C_5-8环烷基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、卤素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^o、OC(O)-R^o、C(O)-OR^o、C(O)-R^o、NR^oR^p、NR^o-C(O)R^p、C(O)-NR^oR^p、N[C(O)R^o][C(O)R^p]、SR^o、卤素、CN和NO₂；

其中：

R^o和R^p独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂，

A选自如下组：

且

B选自如下组：

其中：

X在每次出现时为O、S或NR¹，

A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6或B7可被1-3个取代基R²取代，

R²在每次出现时选自C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基、5-20元杂芳基、OR²¹、OC(O)-R²¹、C(O)-OR²¹、C(O)-R²¹、NR²¹R²²、NR²¹-C(O)R²²、C(O)-NR²¹R²²、N[C(O)R²¹][C(O)R²²]、SR²¹、卤素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和OH，

其中：

R²¹和R²²独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个独立地选自如下组的取代基取代：C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、卤素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12环烷基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、卤素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_5-12环烷基的一个或两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^e或NR^e-CO代替，

C_6-18芳基和5-20元杂芳基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、卤素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂，

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^e和R^f独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、卤素、CN和NO₂；

C_5-8环烷基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、卤素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^g、OC(O)-R^g、C(O)-OR^g、C(O)-R^g、NR^gR^h、NR^g-C(O)R^h、C(O)-NR^gR^h、N[C(O)R^g][C(O)R^h]、SR^g、卤素、CN和NO₂；

其中：

R^g和R^h独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

卤素可为F、Cl、Br和I。

C_1-4烷基、C_1-10烷基、C_1-20烷基、C_1-30烷基、C_1-36烷基、C_1-50烷基、C_1-60烷基和C_1-100烷基可为支化或未支化的。C_1-4烷基的实例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基和叔丁基。C_1-10烷基的实例为C_1-4烷基、正戊基、新戊基、异戊基、正-(1-乙基)丙基、正己基、正庚基、正辛基、正-(2-乙基)己基、正壬基和正癸基。C_1-20烷基的实例为C_1-10烷基和正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基和正二十烷基(C₂₀)。C_1-30烷基、C_1-36烷基、C_1-50烷基、C_1-60烷基和C_1-100烷基的实例为C_1-20烷基和正二十二烷基(C₂₂)、正二十四烷基(C₂₄)、正二十六烷基(C₂₆)、正二十八烷基(C₂₈)和正三十烷基(C₃₀)。

C_2-10链烯基、C_2-20链烯基、C_2-30链烯基、C_2-60链烯基和C_2-100链烯基可为支化或未支化的。C_2-10链烯基的实例为乙烯基、丙烯基、顺-2-丁烯基、反-2-丁烯基、3-丁烯基、顺-2-戊烯基、反-2-戊烯基、顺-3-戊烯基、反-3-戊烯基、4-戊烯基、2-甲基-3-丁烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基和癸烯基。C_2-20链烯基的实例为C_2-10链烯基和亚油基(C₁₈)、亚麻基(C₁₈)、油基(C₁₈)和花生四烯基(arachidonyl，C₂₀)。C_2-30链烯基、C_2-60链烯基和C_2-100链烯基的实例为C_2-20链烯基和芥油基(erucyl，C₂₂)。

C_2-10炔基、C_2-20炔基、C_2-30炔基、C_2-60炔基和C_2-100炔基可为支化或未支化的。C_2-10炔基的实例为乙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、壬炔基和癸炔基。C_2-20炔基、C_2-30链烯基、C_2-60炔基和C_2-100炔基的实例为C_2-10炔基和十一炔基、十二炔基、十一炔基、十二炔基、十三炔基、十四炔基、十五炔基、十六炔基、十七炔基、十八炔基、十九炔基和二十炔基(C₂₀)。

C_5-6环烷基的实例为环戊基和环己基。C_5-8环烷基的实例为C_5-6环烷基和环庚基和环辛基。C_5-12环烷基的实例为C_5-8环烷基和环壬基、环癸基、环十一烷基和环十二烷基。

C_6-10芳基的实例为苯基、

C_6-14芳基的实例为C_6-10芳基和

C_6-18芳基的实例为C_6-14芳基和

5-10元杂芳基为5-10元单环或多环，例如双环、三环或四环的环体系，其包含至少一个杂芳族环，且还可包含非芳族环，其可被＝O取代。

5-14元杂芳基为5-14元单环或多环，例如双环、三环或四环的环体系，其包含至少一个杂芳族环，且还可包含非芳族环，其可被＝O取代。

5-20元杂芳基为5-20元单环或多环，例如双环、三环或四环的环体系，其包含至少一个杂芳族环，且还可包含非芳族环，其可被＝O取代。

5-10元杂芳基的实例为：

5-14元杂芳基的实例为对5-10元杂芳基所给的实例和

5-20元杂芳基的实例为对5-14元杂芳基所给的实例和

其中：

R¹⁰⁰和R¹⁰¹独立且在每次出现时选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，或者如果R¹⁰⁰和R¹⁰¹连接在同一原子上，则R¹⁰⁰和R¹⁰¹与它们所连接的原子一起形成5-12元环体系，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^q、OC(O)-R^q、C(O)-OR^q、C(O)-R^q、NR^qR^r、NR^q-C(O)R^r、C(O)-NR^qR^r、N[C(O)R^q][C(O)R^r]、SR^q、卤素、CN和NO₂；

C_5-8环烷基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^q、OC(O)-R^q、C(O)-OR^q、C(O)-R^q、NR^qR^r、NR^q-C(O)R^r、C(O)-NR^qR^r、N[C(O)R^q][C(O)R^r]、SR^q、卤素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^q、OC(O)-R^q、C(O)-OR^q、C(O)-R^q、NR^qR^r、NR^q-C(O)R^r、C(O)-NR^qR^r、N[C(O)R^q][C(O)R^r]、SR^q、卤素、CN和NO₂；

5-12元环体系可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^q、OC(O)-R^q、C(O)-OR^q、C(O)-R^q、NR^qR^r、NR^q-C(O)R^r、C(O)-NR^qR^r、N[C(O)R^q][C(O)R^r]、SR^q、卤素、CN和NO₂；

其中：

R^q和R^r独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

C_6-18亚芳基为6-18元单环或多环，例如双环、三环或四环的环体系，其包含至少一个C-芳环，且还可包含非芳族环，其可被＝O取代。

C_6-18亚芳基的实例为：

其中：

R¹⁰²和R¹⁰³独立且在每次出现时选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，或者如果R¹⁰²和R¹⁰³连接在同一原子上，则R¹⁰²和R¹⁰³与它们所连接的原子一起形成5-12元环体系，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^s、OC(O)-R^t、C(O)-OR^s、C(O)-R^s、NR^sR^t、NR^s-C(O)R^t、C(O)-NR^sR^t、N[C(O)R^s][C(O)R^t]、SR^s、卤素、CN和NO₂；

C_5-8环烷基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^s、OC(O)-R^t、C(O)-OR^s、C(O)-R^s、NR^sR^t、NR^s-C(O)R^t、C(O)-NR^sR^t、N[C(O)R^s][C(O)R^t]、SR^s、卤素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^s、OC(O)-R^t、C(O)-OR^s、C(O)-R^s、NR^sR^t、NR^s-C(O)R^t、C(O)-NR^sR^t、N[C(O)R^s][C(O)R^t]、SR^s、卤素、CN和NO₂；

5-12元环体系可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^s、OC(O)-R^t、C(O)-OR^s、C(O)-R^s、NR^sR^t、NR^s-C(O)R^t、C(O)-NR^sR^t、N[C(O)R^s][C(O)R^t]、SR^s、卤素、CN和NO₂；

其中：

R^s和R^t独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

5-20元亚杂芳基为5-20元单环或多环，例如双环、三环或四环的环体系，其包含至少一个杂芳族环，且还可包含非芳族环，其可被＝O取代。

5-20元亚杂芳基的实例为：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵独立且在每次出现时选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基、或者如果R¹⁰⁴和R¹⁰⁵连接在同一原子上，则R¹⁰⁴和R¹⁰⁵与它们所连接的原子一起形成5-12元环体系，

其中：

C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、卤素、CN和NO₂；

C_5-8环烷基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、卤素、CN和NO₂；

C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^u、OC(O)-R^v、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、卤素、CN和NO₂；

5-12元环体系可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、卤素、CN和NO₂；

其中：

R^u和R^v独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

除R¹⁰⁰和R¹⁰¹、分别地R¹⁰²和R¹⁰³、分别地R¹⁰⁴和R¹⁰⁵所连接的原子之外，所述5-12元环体系可包含选自如下组的环成员：CH₂、O、S和NR^w，其中R^w在每次出现时选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基。

优选地，具有0.5-1.8eV带隙的半导体聚合物包含基于所述聚合物的重量为至少60重量％的式(1)和/或(5)单元。

更优选地，具有0.5-1.8eV带隙的半导体聚合物包含基于所述聚合物的重量为至少80重量％的式(1)和/或(5)单元。

甚至更优选地，具有0.5-1.8eV带隙的半导体聚合物包含基于所述聚合物的重量为至少95重量％的式(1)和/或(5)单元。

最优选地，所述半导体聚合物基本上由式(1)和/或(5)单元组成。

优选地，b和c彼此独立地为1、2、3或4。更优选地，b和c彼此独立地为1、2或3。

优选地，a和d彼此独立地为0、1、2或3。更优选地，a和d彼此独立地为0、1或2。甚至更优选地，a和d彼此独立地为0或1。最优选地，a和d为0。

优选地，n为0、1或2，m为0、1或2。更优选地，n为0或1，m为0、1或2。最优选地，n为0，m为0、1或2。

优选地，R¹在每次出现时选自H、C_1-100烷基、C_2-100链烯基、C_2-100炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，

其中：

C_1-100烷基、C_2-100链烯基和C_2-100炔基可被1-40个独立地选自如下组的取代基取代：C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、卤素和CN；且C_1-100烷基、C_2-100链烯基和C_2-100炔基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

C_5-12环烷基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、卤素和CN；且C_5-12环烷基的一个或两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^a或NR^a-CO代替，C_6-18芳基和5-20元杂芳基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^a、OC(O)-R^a、C(O)-OR^a、C(O)-R^a、NR^a-C(O)R^b、C(O)-NR^aR^b、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、卤素和CN，

其中：

R^a和R^b独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、O-C_1-60烷基、O-C_2-60链烯基、O-C_2-60炔基、O-C_5-8环烷基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o为1-50的整数，

R^Sid、R^Sie和R^Sif独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p为1-50的整数，

R^Sig、R^Sih和R^Sii独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

C_1-60烷基、C_2-60链烯基和C_2-60炔基可被1-20个选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、卤素和CN；且C_1-60烷基、C_2-60链烯基和C_2-60炔基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、卤素和CN；

其中：

R^c和R^d独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio，

其中：

q为1-50的整数，

其中：

r为1-50的整数，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基和5-10元杂芳基，

C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个选自如下组的取代基取代：卤素和CN。

更优选地，R¹在每次出现时选自C_1-100烷基、C_2-100链烯基和C_2-100炔基，其中：

其中：

R^a和R^b独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif,

其中：

o为1-50的整数，

R^Sid、R^Sie和R^Sif独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p为1-50的整数，

R^Sig、R^Sih、R^Sii独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

C_5-8环烷基可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、卤素和CN；且C_5-8环烷基的一个或两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^c或NR^c-CO代替，C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、OR^c、OC(O)-R^c、C(O)-OR^c、C(O)-R^c、NR^c-C(O)R^d、C(O)-NR^cR^d、SR^c、Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、-O-Si(R^Sij)(R^Sik)(R^Sil)、卤素和CN；

其中：

R^c和R^d独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio，

其中：

q为1-50的整数，

R^Sim、R^Sin、R^Sio独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SipR^Siq]_r-R^Sir，

其中：

r为1-50的整数，

R^Sip、R^Siq、R^Sir独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基和5-10元杂芳基，C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个选自如下组的取代基取代：卤素和CN。

甚至更优选地，R¹在每次出现时选自C_1-50烷基、C_2-50链烯基和C_2-50炔基，

其中：

C_1-50烷基、C_2-50链烯基和C_2-50炔基可被1-20个独立地选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^a、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、卤素和CN；且C_1-50烷基、C_2-50链烯基和C_2-50炔基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^a和R^b独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基和C_6-10芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o为1-50的整数，

R^Sid、R^Sie、R^Sif独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p为1-50的整数，

R^Sig、R^Sih、R^Sii独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基和5-10元杂芳基，

C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个选自如下组的取代基取代：卤素和CN。

最优选地，R¹在每次出现时选自C_1-36烷基、C_2-36链烯基和C_2-36炔基，

其中：

C_1-36烷基、C_2-36链烯基和C_2-36炔基可被1-20个独立地选自如下组的取代基取代：C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^a、SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、卤素和CN；且C_1-36烷基、C_2-36链烯基和C_2-36炔基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^a和R^b独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基和C_6-10芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o为1-50的整数，

R^Sid、R^Sie、R^Sif独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p为1-50的整数，

R^Sig、R^Sih、R^Sii独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基和5-10元杂芳基，

C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基可被1-10个选自如下组的取代基取代：卤素和CN。

特别地，R¹在每次出现时为未取代的C_1-36烷基。

优选地，L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自C_6-18亚芳基、5-20元亚杂芳基，和

其中：

C_6-18亚芳基和5-20元亚杂芳基可被1-6个在每次出现时选自如下组的取代基R³取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基、OR³¹、OC(O)-R³¹、C(O)-OR³¹、C(O)-R³¹、NR³¹R³²、NR³¹-C(O)R³²、C(O)-NR³¹R³²、SR³¹、卤素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和OH，且

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^k和R^l独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

更优选地，L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自5-20元亚杂芳基和

其中：

5-20元亚杂芳基可被1-6个在每次出现时选自如下组的取代基R³取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基、OR³¹、OC(O)-R³¹、C(O)-OR³¹、C(O)-R³¹、NR³¹R³²、NR³¹-C(O)R³²、C(O)-NR³¹R³²、SR³¹、卤素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和OH，且

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

其中：

C_6-18芳基和5-20元杂芳基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：

C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、ORⁱ、OC(O)-R^j、C(O)-ORⁱ、C(O)-Rⁱ、NRⁱR^j、NRⁱ-C(O)R^j、C(O)-NRⁱR^j、N[C(O)Rⁱ][C(O)R^j]、SRⁱ、卤素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和NO₂，

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^k和R^l独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基

取代：卤素、CN和NO₂。

甚至更优选地，L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自5-20元亚杂芳基和

其中5-20元亚杂芳基选自如下组：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵独立且在每次出现时选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，或者如果R¹⁰⁴和R¹⁰⁵连接在同一原子上，则R¹⁰⁴和R¹⁰⁵与它们所连接的原子一起形成5-12元环体系，

其中：

C_6-14芳基和5-14元杂芳基可被1-5个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、卤素、CN和NO₂；

5-12元环体系可被1-5个选自如下组的取代基取代：C_1-10烷基、C_2-10链烯基、C_2-10炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、5-10元杂芳基、OR^u、OC(O)-R^u、C(O)-OR^u、C(O)-R^u、NR^uR^v、NR^u-C(O)R^v、C(O)-NR^uR^v、N[C(O)R^u][C(O)R^v]、SR^u、卤素、CN和NO₂；

其中：

R^u和R^v独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：

卤素、CN和NO₂，

其中：

5-20元亚杂芳基可被1-4个在每次出现时选自如下组的取代基R³取代：C_1-30烷基和卤素，且

其中：

可被1或2个在每次出现时选自如下组的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C(O)-R⁴¹、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R⁴¹在每次出现时为C_1-30烷基。

甚至更优选地，L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自5-20元亚杂芳基和

其中5-20元亚杂芳基选自如下组：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵独立且在每次出现时选自H和C_1-20烷基，

其中：

5-20元亚杂芳基可被1-4个在每次出现时选自如下组的取代基R³取代：C_1-30烷基和卤素，且

其中：

未被取代。

最优选地，L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自5-20元亚杂芳基和

其中5-20元亚杂芳基为：

其中5-20元亚杂芳基未被取代，且

其中未被取代。

特别地，L¹和L²彼此独立且在每次出现时为5-20元亚杂芳基，其中5-20元亚杂芳基为：

其中5-20元亚杂芳基未被取代。

优选地，L³和L⁴彼此独立且在每次出现时选自C_6-18亚芳基和5-20元亚杂芳基，

其中：

C_6-18亚芳基和5-20元亚杂芳基可被1-6个在每次出现时选自如下组的取代基R⁹取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基、OR⁹¹、OC(O)-R⁹¹、C(O)-OR⁹¹、C(O)-R⁹¹、NR⁹¹R⁹²、NR⁹¹-C(O)R⁹²、C(O)-NR⁹¹R⁹²、SR⁹¹、卤素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和OH，且

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

其中：

C_5-12环烷基可被1-6个独立地选自如下组的取代基取代：C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^m、OC(O)-R^m、C(O)-OR^m、C(O)-R^m、NR^mRⁿ、NR^m-C(O)Rⁿ、C(O)-NR^mRⁿ、N[C(O)R^m][C(O)Rⁿ]、SR^m、卤素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和NO₂；且C_5-12环烷基的一个或两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O、S、OC(O)、CO、NR^m或NR^m-CO代替，

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^o和R^p独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

更优选地，L³和L⁴彼此独立且在每次出现时为5-20元亚杂芳基，

其中：

5-20元亚杂芳基可被1-6个在每次出现时选自如下组的取代基R⁹取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基、OR⁹¹、OC(O)-R⁹¹、C(O)-OR⁹¹、C(O)-R⁹¹、NR⁹¹R⁹²、NR⁹¹-C(O)R⁹²、C(O)-NR⁹¹R⁹²、SR⁹¹、卤素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和OH，且

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^o和R^p独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

甚至更优选地，L³和L⁴彼此独立且在每次出现时为5-20元亚杂芳基，其中5-20元亚杂芳基选自如下组：

其中：

R^u和R^v独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂，

其中：

5-20元亚杂芳基可被1-3个在每次出现时选自C_1-30烷基和卤素的取代基R⁹取代。

最优选地，L³和L⁴彼此独立且在每次出现时为5-20元亚杂芳基，其中5-20元亚杂芳基选自如下组：

其中，5-20元亚杂芳基可被1个在每次出现时选自C_1-30烷基和卤素的取代基R⁹取代。

特别地，L³和L⁴彼此独立且在每次出现时为5-20元亚杂芳基，其中5-20元亚杂芳基为：

其中5-20元亚杂芳基未被取代。

优选地，A选自如下组：

其中：

X在每次出现时为O、S或NR¹，且

A1、A2、A3和A4可被1-3个取代基R²取代。

更优选地，A为：

其中：

X在每次出现时为S或NR¹，且

A1和A4可被1-3个取代基R²取代。

最优选地，A为：

其中A4未被取代。

优选地，B选自如下组：

其中：

X在每次出现时为O、S或NR¹，且

B1、B2、B3和B4可被1-3个取代基R²取代。

更优选地，B为：

其中：

X在每次出现时为S或NR¹，且

B1和B4可被1-3个取代基R²取代。

最优选地，B为：

其中B4未被取代。

优选地，R²在每次出现时选自C_1-30烷基和卤素，

其中：

C_1-30烷基可被1-10个独立地选自如下组的取代基取代：C_5-8环烷基、C_6-14芳基、5-14元杂芳基、OR^e、OC(O)-R^e、C(O)-OR^e、C(O)-R^e、NR^eR^f、NR^e-C(O)R^f、C(O)-NR^eR^f、N[C(O)R^e][C(O)R^f]、SR^e、卤素、CN、SiR^SisR^SitR^Siu和NO₂；且C_1-30烷基的至少两个CH₂基—但并非相邻的CH₂基—可被O或S代替，

其中：

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

R^e和R^f独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^g和R^h独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

更优选地，R²在每次出现时选自未取代的C_1-30烷基和卤素。

在优选的包含至少一种式(1)或(5)单元的聚合物中，

b和c彼此独立地为1、2、3、4、5或6，

a和d彼此独立地为0、1、2、3或4，

n和m彼此独立地为0、1、2、3或4，

R¹在每次出现时选自H、C_1-100烷基、C_2-100链烯基、C_2-100炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，

其中：

SR^a、Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、-O-Si(R^Sia)(R^Sib)(R^Sic)、卤素和CN，

其中：

R^a和R^b独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

o为1-50的整数，

R^Sid、R^Sie和R^Sif独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p为1-50的整数，

R^Sig、R^Sih和R^Sii独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^c和R^d独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio，

其中：

q为1-50的整数，

其中：

r为1-50的整数，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基和5-10元杂芳基，

C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个选自如下组的取代基取代：卤素和CN，

L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自C_6-18亚芳基、5-20元亚杂芳基和

其中：

C_6-18亚芳基和5-20元亚杂芳基可被1-6个在每次出现时选自如下组的取代基R³取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基、OR³¹、OC(O)-R³¹、C(O)-OR³¹、C(O)-R³¹、NR³¹R³²、NR³¹-C(O)R³²、C(O)-NR³¹R³²、SR³¹、卤素、CN、SiR^SivR^SiwR^Six和OH，且

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^k和R^l独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代

基取代：卤素、CN和NO₂，

L³和L⁴彼此独立且在每次出现时选自C_6-18亚芳基和5-20元亚杂芳基，

其中：

C_6-18亚芳基和5-20元亚杂芳基可被1-6个在每次出现时选自如下组的取代基R⁹取代：C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基、OR⁹¹、OC(O)-R⁹¹、C(O)-OR⁹¹、C(O)-R⁹¹、NR⁹¹R⁹²、NR⁹¹-C(O)R⁹²、C(O)-NR⁹¹R⁹²、SR⁹¹、卤素、CN、SiR^SiyR^SizR^Siaa和OH，且

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

其中：

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^o和R^p独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基

取代：卤素、CN和NO₂，

A选自如下组：

且

B选自如下组：

其中：

X在每次出现时为O、S或NR¹，

A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6或B7可被

1-3个取代基R²取代，

其中：

R²¹和R²²独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^e和R^f独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^g和R^h独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基

取代：卤素、CN和NO₂。

在更优选的包含至少一种式(1)或(5)单元的聚合物中，

b和c彼此独立地为1、2、3、4、5或6，

a和d彼此独立地为0、1、2或3，

n和m彼此独立地为0、1、2、3或4，

R¹在每次出现时选自C_1-100烷基、C_2-100链烯基和C_2-100炔基，

其中：

R^a和R^b独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o为1-50的整数，

R^Sid、R^Sie和R^Sif独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p为1-50的整数，

R^Sig、R^Sih、R^Sii独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰独立地选自H、C_1-60烷基、C_2-60链烯基、C_2-60炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^c和R^d独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基，

R^Sij、R^Sik和R^Sil独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SimR^Sin]_q-R^Sio，

其中：

q为1-50的整数，

R^Sim、R^Sin、R^Sio独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SipR^Siq]_r-R^Sir，

其中：

r为1-50的整数，

R^Sip、R^Siq、R^Sir独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁷、R⁸、R⁷⁰、R⁸⁰、R⁷⁰⁰和R⁸⁰⁰独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基和5-10元杂芳基，

C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个选自如下组的取代基取代：卤素和CN，

L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自5-20元亚杂芳基和

其中：

R³¹、R³²、R⁴¹和R⁴²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

其中：

R^Siv、R^Siw、R^Six彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

Rⁱ和R^j独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^k和R^l独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂，

L³和L⁴彼此独立且在每次出现时为5-20元亚杂芳基，

其中：

R⁹¹和R⁹²彼此独立且在每次出现时选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

R^Siy、R^Siz、R^Siaa彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^m和Rⁿ独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^o和R^p独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂，

A选自如下组：

且

B选自如下组：

其中：

X在每次出现时为O、S或NR¹，

A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3、B4、B5、B6或B7可被1-3个取代基R²取代，

其中：

R²¹和R²²独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-12环烷基、C_6-18芳基和5-20元杂芳基，且

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

其中：

R^e和R^f独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^g和R^h独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

在甚至更优选的包含至少一种式(1)或(5)单元的聚合物中，

b和c彼此独立地为1、2、3或4，

a和d彼此独立地为0、1或2，

n和m彼此独立地为0、1或2，

R¹在每次出现时选自C_1-50烷基、C_2-50链烯基和C_2-50炔基，

其中：

R^a和R^b独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基和C_6-10芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中o为1-50的整数，

R^Sid、R^Sie、R^Sif独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中p为1-50的整数，

R^Sig、R^Sih、R^Sii独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基和5-10元杂芳基，

C_1-30烷基、C_2-30链烯基和C_2-30炔基可被1-10个选自如下组的取代基取代：卤素和CN，

L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自5-20元亚杂芳基和其中5-20元亚杂芳基选自如下组：

其中：

R^u和R^v独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂，

其中：

5-20元亚杂芳基可被1-4个在每次出现时选自C_1-30烷基和卤素的取代基R³取代，且

其中：

可被1或2个在每次出现时选自如下组的取代基R⁴取代：C_1-30烷基、C(O)-R⁴¹、C(O)-OR⁴¹和CN，

其中：

R⁴¹在每次出现时为C_1-30烷基，

L³和L⁴彼此独立且在每次出现时为5-20元亚杂芳基，其中5-20元亚杂芳基选自如下组：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵独立且在每次出现时选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，或者如果R¹⁰⁴和R¹⁰⁵连接在同一原子上，则R¹⁰⁴和R¹⁰⁵与它们所连接的原子一起形成5-12元环体系，其中：

其中：

R^u和R^v独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂，

其中：

5-20元亚杂芳基可被1-3个在每次出现时选自C_1-30烷基和卤素的取代基R⁹取代，

A选自如下组：

其中：

X在每次出现时为O、S或NR¹，且

A1、A2、A3和A4可被1-3个取代基R²取代，

B选自如下组：

其中：

X在每次出现时为O、S或NR¹，且

B1、B2、B3和B4可被1-3个取代基R²取代，

其中：

R²在每次出现时选自C_1-30烷基和卤素,

其中：

R^Sis、R^Sit和R^Siu彼此独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、苯基和O-Si(CH₃)₃，

R^e和R^f独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-8环烷基、C_6-14芳基和5-14元杂芳基，

其中：

R^g和R^h独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基，

其中：

C_1-10烷基、C_2-10链烯基和C_2-10炔基可被1-5个选自如下组的取代基取代：卤素、CN和NO₂。

在甚至更优选的包含至少一种式(1)或(5)单元的聚合物中，

b和c彼此独立地为1、2或3，

a和d彼此独立地为0或1，

n为0或1,

m为0、1或2，

R¹在每次出现时选自C_1-36烷基、C_2-36链烯基和C_2-36炔基，

其中：

R^a和R^b独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基和C_6-10芳基，

R^Sia、R^Sib和R^Sic独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SidR^Sie]_o-R^Sif，

其中：

o为1-50的整数，

R^Sid、R^Sie、R^Sif独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、-[O-SiR^SigR^Sih]_p-R^Sii，

其中：

p为1-50的整数，

R^Sig、R^Sih、R^Sii独立地选自H、C_1-30烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基、O-Si(CH₃)₃，

R⁵、R⁶、R⁵⁰、R⁶⁰、R⁵⁰⁰和R⁶⁰⁰独立地选自H、C_1-20烷基、C_2-20链烯基、C_2-20炔基、C_5-6环烷基、C_6-10芳基和5-10元杂芳基，C_1-20烷基、C_2-20链烯基和C_2-20炔基可被1-10个选自如下组的取代基取代：卤素和CN，

L¹和L²彼此独立且在每次出现时选自5-20元亚杂芳基和

其中5-20元亚杂芳基选自如下组：

其中：

R¹⁰⁴和R¹⁰⁵独立且在每次出现时选自H和C_1-20烷基，

其中：

5-20元亚杂芳基可被1-4个在每次出现时选自如下组的取代基R³取代：

C_1-30烷基和卤素，且

其中未被取代，

L³和L⁴彼此独立且在每次出现时为5-20元亚杂芳基，

其中5-20元亚杂芳基选自如下组：

其中：

5-20元亚杂芳基可被1个在每次出现时选自C_1-30烷基和卤素的取代基R⁹取代，

A为

其中：

X在每次出现时为S或NR¹，且

A1和A4可被1-3个取代基R²取代，

B为

其中：

X在每次出现时为S或NR¹，且

B1和B4可被1-3个取代基R²取代，

其中：

R²在每次出现时选自未取代的C_1-30烷基和卤素。

在最优选的包含至少一种式(1)或(5)单元的聚合物中，

b和c彼此独立地为1、2或3，

a和d为0，

n为0，

m为0、1或2，

R¹在每次出现时为未取代的C_1-36烷基，

L²在每次出现时选自5-20元亚杂芳基和

其中5-20元亚杂芳基为

其中5-20元亚杂芳基未被取代，且

其中未被取代，

L³和L⁴彼此独立且在每次出现时为5-20元亚杂芳基，

其中5-20元亚杂芳基为

其中5-20元亚杂芳基未被取代，

A为

其中A4未被取代，

B为

其中B4未被取代。

所述包含至少一种式(1)单元的聚合物优选为包含至少一种式(5)单元的聚合物。

特别优选的包含式(1)单元的聚合物为包含至少一个下式单元的聚合物：

包含至少一种式(1)或(5)的聚合物可通过本领域已知的方法制备，例如使用Suzuki型或Stille型共聚条件：

其中a、b、c、d、n、m、R¹、L¹、L²、L³、L⁴、A和B如上文所定义。

例如，包含至少一种式(1)单元的聚合物可通过用式(2)和/或(4)的化合物处理式(3)的化合物而制备：

其中a、b、c、d、R¹、L¹、L²、L³和L⁴如上文所定义，

其中b、c、R¹、L³和L⁴如对式(1)单元所定义，且Y¹在每次出现时为I、Br、Cl或O-S(O)₂CF₃，

其中L¹、L²、a和d如对式(1)单元所定义，且Z^a和Z^b独立且在每次出现时选自B(OZ¹)(OZ²)、SnZ¹Z²Z³、

其中Z¹、Z²、Z³、Z⁴、Z⁵和Z⁶彼此独立且在每次出现时为H或C_1-4烷基。

例如，包含式(5)单元的聚合物可通过用式(8)和/或(9)的化合物处理式(6)的化合物而制备：

其中n、m、R¹、L¹、L²、A和B如上文所定义，

其中n、m、R¹、L¹、L²、A和B如对式(5)单元所定义，且Y²在每次出现时为I、Br、Cl或O-S(O)₂CF₃，

其中L¹、L²、n和m如对式(5)单元所定义，且Z^a和Z^b独立且在每次出现时选自B(OZ¹)(OZ²)、SnZ¹Z²Z³、

其中Z¹、Z²、Z³、Z⁴、Z⁵和Z⁶彼此独立且在每次出现时为H或C_1-4烷基。

当Z^a和Z^b独立且在每次出现时选自B(OZ¹)(OZ²)、

其中Z¹、Z²、Z³、Z⁴、Z⁵和⁶彼此独立且在每次出现时为H或C_1-4烷基时，

所述反应通常在催化剂，优选Pd催化剂如Pd(P(Ph)₃)₄、Pd(OAc)₂和Pd₂(dba)₃，以及碱如K₃PO₄、Na₂CO₃、K₂CO₃、LiOH和NaOMe存在下进行。取决于Pd催化剂，所述反应还可要求存在膦配体如P(Ph)₃、P(邻甲苯基)₃和P(tert-Bu)₃。所述反应还通常在升高的温度下，例如在40-250℃，优选60-200℃的温度下进行。所述反应可在合适的溶剂如四氢呋喃、甲苯或氯苯存在下进行。所述反应通常在惰性气体下进行。

当Z^a和Z^b独立地为SnZ¹Z²Z³(其中Z¹、Z²和Z³彼此独立且在每次出现时为C_1-4烷基)时，所述反应通常在催化剂，优选Pd催化剂如d(P(Ph)₃)₄和Pd₂(dba)₃存在下进行。取决于Pd催化剂，所述反应还可要求存在膦配体如P(Ph)₃、P(邻甲苯基)₃和P(tert-Bu)₃。所述反应还通常在升高的温度下，例如在40-250℃，优选60-200℃的温度下进行。所述反应可在合适的溶剂如甲苯或氯苯存在下进行。所述反应通常在惰性气体下进行。

本发明的一部分还为一种包含半导体单壁碳纳米管、半导体聚合物和溶剂A的组合物(组合物A)，其中所述半导体聚合物具有0.5-1.8eV的带隙，溶剂A包含芳族或杂芳族溶剂。

优选地，组合物A可通过本发明的方法获得。

本发明的一部分还为一种形成电子器件的方法，所述方法包括通过在电子器件的前体上施加包含半导体单壁碳纳米管、半导体聚合物和溶剂A的组合物(组合物A)而形成层的步骤，所述层包含半导体单壁碳纳米管和半导体聚合物，其中所述半导体聚合物具有0.5-1.8eV的带隙，溶剂A包含芳族或杂芳族溶剂。

所述层可通过使用任何合适的液体加工技术如旋涂、刮涂、缝形模头涂布、液滴流延、喷涂、喷墨或将电子器件的前体浸泡于组合物A中而施加至电子器件的前体上而形成。优选地，组合物A通过刮涂、缝形模头涂布、喷涂或将电子器件的前体浸泡于组合物A中而施加。更优选地，组合物A通过刮涂、缝形模头涂布或将电子器件的前体浸泡于组合物A中而施加。

所述电子器件可为有机光伏器件(OPV)、有机场效应晶体管(OFET)、有机发光二极管(OLED)或有机光电二极管(OPD)。

优选地，所述电子器件为有机光伏器件(OPV)、有机场效应晶体管(OFET)或有机光电二极管(OPD)。

更优选地，所述电子器件为有机场效应晶体管(OFET)。

优选地，所述电子器件有机场效应晶体管(OFET)且所述层为半导体层。

有机场效应晶体管通常包含介电层、半导体层和基材。此外，有机场效应晶体管通常包含栅极和源/漏极。

优选地，所述半导体层可具有5-500nm，优选10-100nm，更优选20-50nm的厚度。

所述介电层包含介电材料。所述介电材料可为二氧化硅或氧化铝，或者为有机聚合物如聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、苯并环丁烯(BCB)或聚酰亚胺(PI)。介电层可具有10-2000nm，优选50-1000nm，更优选100-800nm的厚度。

除介电材料之外，介电层可包含有机硅烷衍生物或有机磷酸衍生物的自组装单层。有机硅烷衍生物的实例为辛基三氯硅烷。有机磷酸衍生物的实例为辛基癸基磷酸。介电层中所含的自组装单层通常与半导体层接触。

源/漏极可由任何合适的有机或无机源/漏极材料制成。无机源/漏极材料的实例为金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)或铜(Cu)，以及包含这些金属中的至少一种的合金。源/漏极可具有1-100nm，优选20-70nm的厚度。

栅极可由任何合适的栅极材料制成，例如高度掺杂的硅、铝(Al)、钨(W)、氧化铟锡或金(Au)，或包含这些金属中的至少一种的合金。栅极可具有1-200nm，优选5-100nm的厚度。

基材可为任何合适的基材，例如玻璃，或塑料基材如聚醚砜、聚碳酸酯、聚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。取决于有机场效应晶体管的设计，栅极，例如高度掺杂的硅也可起基材作用。

有机场效应晶体管可通过本领域已知的方法制备。

例如，底栅顶接触有机场效应晶体管可如下制备：可通过合适的沉积方法，如原子层沉积或热蒸发将介电材料(如Al₂O₃或二氧化硅)以层形式施加至也起基材作用的栅极层(如高度掺杂的硅晶片)上。可将有机磷酸衍生物或有机硅烷衍生物的自组装单层施加至介电材料层上。例如，有机磷酸衍生物或有机硅烷衍生物可使用溶液沉积技术由溶液施加。半导体层可通过将组合物A溶液沉积如浸泡或真空热蒸发至有机磷酸衍生物或有机硅酸衍生物的自组装单层上而形成。源/漏极可通过将合适的源/漏极材料如钽(Ta)和/或金(Au)经阴影掩模沉积至半导体层上而形成。

例如，底栅底接触有机场效应晶体管可如下制备：可通过合适的沉积方法，如原子层沉积或热蒸发将介电材料(如二氧化硅)施加至也起基材作用的栅极层(如高度掺杂的硅晶片)上。源/漏极可通过将合适的源/漏极材料如金(Au)或铬(Cr)蒸发至位于介电层上的光刻限定的电极上而形成。半导体层可通过如下形成：将组合物A施加至源/漏极和介电层上，随后用合适的溶剂如甲苯清洗该层，并在升高的温度下，例如在80-360℃的温度下将该层退火。

沟道宽度(W)通常为10-2000μm，沟道长度(L)通常为5-100μm。

本发明的一部分还为一种可通过本发明的方法获得的电子器件。

本发明的一部分还为包含半导体单壁碳纳米管、半导体聚合物和溶剂A的组合物(组合物A)用于形成半导体层(优选在电子器件中)的用途，其中所述半导体聚合物具有0.5-1.8eV的带隙，溶剂A包含芳族或杂芳族溶剂。

本发明的方法提供了一种包含半导体单壁碳纳米管、半导体聚合物和溶剂A的组合物(组合物A)，其中所述半导体聚合物具有0.5-1.8eV的带隙，溶剂A包含芳族或杂芳族溶剂，所述组合物适于形成电子器件，优选有机场效应晶体管(OFET)中的半导体层。

本发明的制备组合物A的方法是特别有利的，因为其对大直径半导体单壁碳纳米管，例如直径为1.3-1.6nm，优选1.4-1.5nm的半导体单壁碳纳米管具有高选择性。与小直径(<1.3nm)半导体SWNT相比，大直径半导体SWNT由于其可忽略不计的肖特基势垒和高载流子迁移率，同时保持高开/关比而是逻辑电路应用所特别希望的。

此外，组合物A与液体加工技术相容。

本发明的包括由组合物A形成的半导体层的有机场效应晶体管(OFET)显示出高载流子迁移率和高开/关比。

图1显示了组合物A-1’、A-2’、A-3’和A-4’(全部包含半导体聚合物移除的半导体SWNT)的归一化UV-VIS谱，以及呈固态的SDBS移除的电弧放电SWNT的归一化UV-VIS谱。

图2显示了组合物A-3’、A-5’、A-6’和A-7’的UV-VIS谱，全部包含呈固态的半导体聚合物移除的半导体SWNT。

图3显示了包含半导体SWNT和聚合物Pc.的组合物A-6、初始的电弧放电SWNT(商品名“P2SWNT”，获自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT纯度90％)和聚合物Pc在785nm激发和100-300cm^-1拉曼位移下的拉曼光谱。

图4显示了包含半导体SWNT和聚合物Pc的组合物A-6的手性角(θ)对直径(d)的图。

图5显示了如何由半导体聚合物在25℃下的薄膜UV-Vis-NIR谱确定半导体聚合物的吸收起始值(λ_起始)。

图6显示了组合物A-8’、A-9’、A-10’、A-11’和A-12’(全部包含呈固态的半导体聚合物移除的半导体SWNT)的归一化UV-VIS谱。

图7显示了组合物A-13’、A-14’、A-15’和A-16’(全部包含半导体聚合物移除的半导体SWNT)的归一化UV-VIS谱，以及呈固态的SDBS移除的电弧放电SWNT的归一化UV-VIS谱。

实施例

实施例1

制备聚合物Pc

在氩气下，将815mg(2.423mmol)化合物2a、1972mg(2.181mmol)化合物3a、179mg(0.242mmol)化合物3b、78.30mg三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd₂(dba)₃)和48.15mg三叔丁基四氟硼酸盐((tert-Bu)₃P×HBF₄)一起置于50ml四氢呋喃中。将反应混合物加热至回流，然后加入处于5ml脱气水中的1600mg磷酸钾中。将反应混合物回流过夜。然后，将反应混合物倾至水上，过滤沉淀，用水和甲醇洗涤。然后用庚烷、四氢呋喃、甲苯、氯仿和氯苯将沉淀物索格利特分级。为了移除催化剂残留物，将所选级分蒸发，将残余物溶于150ml氯苯中。然后加入50ml 1％NaCN水溶液，将混合物加热并在回流下搅拌过夜。分离各相，且将有机相在回流下用10ml去离子水洗涤3次达3小时。然后通过加入甲醇将聚合物Pc从有机相中沉淀出。过滤沉淀的Pc，用甲醇洗涤并干燥。聚合物Pc为无规聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯标样)：M_n＝47.0kDa，M_w＝129.6kDa，PDI＝2.76。UV-VIS吸收谱：λ_最大：840nm(膜)和832nm(在甲苯中的10-⁵M溶液)。所述膜通过将5mg聚合物Pc于25ml甲苯中的溶液旋涂至玻璃基材上而制备。元素分析：C 71.60％，H 8.73％，N 3.59％，S 11.40％。带隙Eg^opt：1.35eV。

实施例2

制备聚合物Pa

聚合物Pa以类似于实施例1中的聚合物Pc的方式制备，不同之处在于使用733mg(2.181mmol)化合物2a和1972mg(2.181mmol)化合物3a，且不使用化合物3b。聚合物Pa为无规聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯标样)：M_n＝36.0kDa，M_w＝36.0kDa，PDI＝1.82。UV-VIS吸收谱：λ_最大：840nm(膜)和840nm(在甲苯中的10-⁵M溶液)。所述薄膜通过将5mg聚合物Pa于25ml甲苯中的溶液旋涂至玻璃基材上而制备。元素分析：C 72.50％，H 8.95％，N 3.66％，S 11.20％。带隙Eg^opt：1.36eV。

实施例3

制备聚合物Pb

聚合物Pb以类似于实施例1中的聚合物Pc的方式制备，不同之处在于722mg(2.296mmol)化合物2a、1972mg(2.181mmol)化合物3a和85mg(0.115mmol)化合物3b。聚合物Pb为无规聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯标样)：M_n＝43.7kDa，M_w＝150.7kDa，PDI＝3.45。UV-VIS吸收谱：λ_最大：836nm(膜)和828nm(在甲苯中的10^-5M溶液)。所述薄膜通过将5mg聚合物Pb于25ml甲苯中的溶液旋涂至玻璃基材上而制备。元素分析：C 72.85％，H 8.69％，N 3.61％，S 11.40％。带隙Eg^opt：1.35eV。

实施例4

制备聚合物Pd

聚合物Pd以类似于实施例1中的聚合物Pc的方式制备，不同之处在于使用916mg(2.726mmol)化合物2a、1972mg(2.181mmol)化合物3a和403mg(0.545mmol)化合物3b。聚合物Pd为无规聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯标样)：M_n＝30.7kDa，M_w＝80.2kDa，PDI＝2.61。UV-VIS吸收谱：λ_最大：844nm(膜)和848nm(在甲苯中的10^-5M溶液)。所述薄膜通过将5mg聚合物Pb于25ml甲苯中的溶液旋涂至玻璃基材上而制备。元素分析：C 72.45％，H 8.51％，N 3.79％，S 11.60％。带隙Eg^opt：1.35eV。

实施例5

制备聚合物Pe

聚合物Pe以类似于实施例2中的聚合物Pa的方式制备，不同之处在于使用739mg(1.768mmol)化合物2b和1995mg(1.768mmol)化合物3c。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯标样)：M_n＝63.8kDa，M_w＝64.9kDa，PDI＝1.76.

实施例6

制备包含半导体SWNT和分别地，聚合物Pa、Pb、Pc和Pd的组合物

分别将5mg聚合物Pa、Pb、Pc和Pd，以及3mg电弧放电SWNT(商品名“P2SWNT”，获自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT纯度90％，直径为约1.1-1.8nm，金属性SWNT的量为约30％)在25ml甲苯中混合，并在70％的振幅水平下超声30分钟(Cole Parmer超声发生器750W)。然后将该分散体在17 000rpm和16℃下离心30分钟(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液，分别表示为组合物A-1、A-2、A-3和A-4。

组合物A-1包含半导体SWNT和聚合物Pa。

组合物A-2包含半导体SWNT和聚合物Pb。

组合物A-3包含半导体SWNT和聚合物Pc。

组合物A-4包含半导体SWNT和聚合物Pd。

将组合物A-1、A-2、A-3和A-4液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氩气下退火1小时，从而得到聚合物移除的组合物A-1’、A-2’、A-3’和A-4’。

组合物A-1’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-1。

组合物A-2’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-2。

组合物A-3’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-3。

组合物A-4’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-4。

为了进行对比，将分散于1％十二烷基苯磺酸钠(SDBS)水溶液中的电弧放电SWNT(商品名“P2SWNT”，获自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT纯度90％)液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氩气下退火1小时，从而得到SDBS移除的电弧放电SWNT。

图1显示了组合物A-1’、A-2’、A-3’、A-4’和呈固态的SDBS移除的电弧放电SWNT的归一化UV-VIS谱。

金属性SWNT在600-850nm范围内吸收。半导体SWNT在900-1330nm范围内吸收。图1清楚显示了与SDBS移除的电弧放电SWNT在600-850nm范围内的吸收相比，组合物A-1’、A-2’、A-3’、A-4’在该波长范围内的吸收降低。因此，A-1’、A-2’、A-3’、A-4’组合物的半导体SWNT/金属性SWNT之比高于SDBS移除的电弧放电SWNT。组合物A-4’显示出最高的半导体SWNT/金属性SWNT之比。

实施例7

制备包含半导体SWNT和聚合物Pc的组合物

将5mg聚合物Pa，以及分别地3mg、5mg、7mg、10mg电弧放电SWNT(商品名“P2SWNT”，获自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT纯度90％)在25ml甲苯中混合，并在70％的振幅水平下超声30分钟(Cole Parmer超声发生器750W)。然后将该分散体在17 000rpm和16℃下离心30分钟(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液，分别表示为组合物A-3、A-5、A-6和A-7。

组合物A-3包含半导体SWNT和聚合物Pc，且衍生自5mg Pc和3mg电弧放电SWNT的分散体。

组合物A-5包含半导体SWNT和聚合物Pc，且衍生自5mg Pc和5mg电弧放电SWNT的分散体。

组合物A-6包含半导体SWNT和聚合物Pc，且衍生自5mg Pc和7mg电弧放电SWNT的分散体。

组合物A-7包含半导体SWNT和聚合物Pc，且衍生自5mg Pc和10mg电弧放电SWNT的分散体。

将组合物A-3、A-5、A-6和A-7液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氩气下退火1小时，从而得到聚合物移除的组合物A-3’、A-5’、A-6’和A-7’。

组合物A-3’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-3。

组合物A-5’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-5。

组合物A-6’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-6。

组合物A-7’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-7。

图2显示了呈固态的组合物A-3’、A-5’、A-6’和A-7’的归一化UV-VIS谱。

金属性SWNT在600-850nm范围内吸收。半导体SWNT在900-1330nm范围内吸收。图2显示了组合物A-6’在600-850nm范围内的吸收比A-3’、A-5’和A-7’在该波长范围内的吸收进一步降低。因此，5mg聚合物Pc和7mg电弧放电SWNT在25ml甲苯中的分散体给出了上清液中的最高半导体SWNT/金属性SWNT之比。

在1.58eV(785nm)激发和×100放大倍数及1μm光斑尺寸下测量组合物A-6(包含半导体SWNT和聚合物Pc)的拉曼光谱(型号：LabRam Aramis，获自Horiba Jobin Yvon)。峰位置使用521cm^-1处的Si线校准。

为了进行对比，还记录初始电弧放电SWNT(商品名“P2SWNT”，获自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT纯度90％)和聚合物Pc的拉曼光谱。

图3显示了组合物A-6、初始的电弧放电SWNT(商品名“P2SWNT”，获自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT纯度90％)和聚合物Pc在785nm激发和100-300cm^-1拉曼位移下的拉曼光谱。

图3显示在785nm激发下，在初始电弧放电SWNT中观察到位于162cm^-1处的强烈峰，这对应于金属性SWNT的径向呼吸模式；组合物A-6仅显示出位于162cm^-1处的极弱峰。聚合物Pc并未显示出任何位于162cm^-1处的峰。因此，A-6组合物中的半导体SWNT/金属性SWNT之比高于初始电弧放电SWNT。

在测量范围为1100-2100nm的自制NIR-II光谱仪装置上测量包含半导体SWNT和聚合物Pc的组合物A-6的光致发光激发/发射(PLE)谱。700-1080nm范围内的激发由200W总输出功率的无臭氧Hg/Xe灯(Oriel)的白光源提供。将灯光经UV滤光片(Thorlabs)过滤以消除紫外光，且经1100nm短波通滤光片(Omega)过滤以消除波长大于1100nm的NIR-II光。通过这些滤光片清洁的激发光被光栅基单色仪(Oriel)散射，从而产生带宽为15nm的用户指定的单波长下的激发线。然后，将该单色激发光汇聚至其内装有SWNT溶液的1mm光程石英比色皿(Starna Cells)上。以透射几何设置收集由该SWNT溶液发出的荧光，其中透射的激发光被1100nm的长程滤光片(Thorlabs)拒止。1100-2100nm范围内的荧光被允许通过该发射滤光片，且借助装备有一维(1D)铟-镓-砷化物(InGaAs)线阵列探测器(Princeton Instruments 1D OMA-V)的光栅基三塔光谱仪(Acton SP2300i)收集。在数据采集后收集粗PLE谱，从而使用MATLAB软件解释在不同波长下激发功率的不同、发射滤光片的消光谱和1D探测器的敏感谱。

根据PLE结果，由数据产生手性角(θ)对直径(d)的图。该图示于图4中。在该图中，圆形面积与分散体中的单一半导体SWNT的浓度成正比。图4表明，由聚合物Pc分散的半导体SWNT具有1.3-1.6nm的直径，由聚合物Pc分散的大部分半导体SWNT具有1.4-1.5nm的直径。

实施例8

制备有机场效应晶体管(OFET)，其中由包含半导体SWNT和聚合物Pc的组合物A-6形成半导体层

通过光刻在由300nm SiO₂高度掺杂的4英寸硅晶片上制造底接触器件电极的漏和源极。通过热蒸发沉积Cr(3nm)和Au(25nm)的双层以作为源-漏极，随后为在丙酮中进行的剥离(lift-off)工艺。然后将基材浸泡在如实施例7所述制备的包含半导体SWNT和聚合物Pc的组合物A-6的稀溶液中(1:5比例，甲苯)达5小时，然后将基材用甲苯清洗，在200℃下在环境条件下退火30分钟。

在大气中在探针阶段使用Keithley 4200SCS作为参数分析器来评价OFET(L＝100μm，W＝2000μm)。由饱和方案(V_DS＝-40V)中的数据计算载流子迁移率μ。该OFET同时证实41.2cm²V^–1s^–1的高空穴迁移率和3.6×10⁴的开/关比。

实施例9

制备包含半导体SWNT和聚合物Pe的组合物

将5mg聚合物Pe，以及分别地7mg、8mg、10mg、12mg电弧放电SWNT(商品名“P2SWNT”，获自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT纯度90％)在25ml甲苯中混合，并在70％的振幅水平下超声30分钟(Cole Parmer超声发生器750W)。然后将该分散体在17 000rpm和16℃下离心30分钟(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液，分别表示为组合物A-8、A-9、A-10、A-11和A-12。

组合物A-8包含半导体SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和5mg电弧放电SWNT的分散体。

组合物A-9包含半导体SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和7mg电弧放电SWNT的分散体。

组合物A-10包含半导体SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和8mg电弧放电SWNT的分散体。

组合物A-11包含半导体SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和10mg电弧放电SWNT的分散体。

组合物A-12包含半导体SWNT和聚合物Pe，且衍生自5mg Pe和12mg电弧放电SWNT的分散体。

将组合物A-8、A-9、A-10、A-11和A-12液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氩气下退火1小时，从而得到聚合物移除的组合物A-8’、A-9’、A-10’、A-11’和A-12’。

组合物A-8’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-8。

组合物A-9’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-9。

组合物A-10’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-10。

组合物A-11’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-11。

组合物A-12’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-12。

图6显示了呈固态的组合物A-8’、A-9’、A-10’、A-11’和A-12’的归一化UV-VIS谱。

金属性SWNT在600-850nm范围内吸收。半导体SWNT在900-1330nm范围内吸收。图6显示了组合物A-11’在600-850nm范围内的吸收比A-8’、A-9’、A-10’和A-12’在该波长范围内的吸收进一步降低。因此5mg聚合物Pe和10mg电弧放电SWNT在25ml甲苯中的分散体给出了上清液中的最高半导体SWNT/金属性SWNT之比。

实施例10

制备有机场效应晶体管(OFET)，其中分别由包含半导体SWNT和聚合物Pe的组合物A-8、A-9、A-10、A-11和A-12形成半导体层

通过光刻在由300nm SiO₂高度掺杂的4英寸硅晶片上制造底接触器件电极的漏和源极。通过热蒸发沉积Cr(3nm)和Au(25nm)的双层以作为源-漏极，随后为在丙酮中进行的剥离工艺。然后，在环境条件下通过溶液剪切(缝形模头涂布)分别沉积如实施例9所述制备的包含半导体SWNT和聚合物Pe的组合物A-8、A-9、A-10、A-11、A-12。首先将所述组合物(15μL)在基材上以0.05mm/s速度剪切。然后，将甲苯(20μL)在基材上以0.05mm/s速度剪切，从而移除大部分包覆的聚合物。重复该两种剪切过程5次，从而获得致密的SWNT。最后，将基材用甲苯清洗，用氮气流干燥，并在150℃下在环境条件下退火30分钟。

在大气中在探针阶段使用Keithley 4200SCS作为参数分析器来评价OFET(L＝20μm或30μm)。由饱和方案(V_DS＝-40V)中的数据计算载流子迁移率μ。该OFET同时证实约41-57cm²V^–1s^–1的高空穴迁移率和约10³-10⁴的开/关比。

使用组合物A-11获得了具有57cm²/Vs的最高迁移率的器件。所述器件具有30μm的沟道长度和600μm的沟道宽度，且开/关比为1.5×10³。

实施例11

制备聚合物Pf

聚合物Pf以类似于实施例5中的聚合物Pe的方式制备，不同之处在于使用821mg(1.962mmol)化合物2b和2000mg(1.962mmol)化合物3d。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯标样)：M_n＝13.2kDa，M_w＝26.7kDa，PDI＝2.03。

实施例12

制备聚合物Pg

聚合物Pg以类似于实施例1中的聚合物Pc的方式制备，不同之处在于使用1006mg(2.9mmol)化合物2a、137mg(0.3mmol)化合物2b和2989mg(3.2mmol)化合物3a。聚合物Pg为无规聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯标样)：M_n＝18.4kDa，M_w＝35.8kDa，PDI＝1.94。

实施例13

制备聚合物Ph

聚合物Ph以类似于实施例1中的聚合物Pc的方式制备，不同之处在于使用602mg(1.75mmol)化合物2a、184mg(0.4mmol)化合物2b和2011mg(2.15mmol)化合物3a。聚合物Ph为无规聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯标样)：M_n＝24.5kDa，M_w＝54.7kDa，PDI＝1.99。

实施例14

制备聚合物Pi

聚合物Pi以类似于实施例1中的聚合物Pc的方式制备，不同之处在于使用465mg(1.3mmol)化合物2a、379mg(0.9mmol)化合物2b和2067mg(2.2mmol)化合物3a。聚合物Pi为无规聚合物。GPC(1,2,4-三氯苯，150℃，聚苯乙烯标样)：M_n＝16.4kDa，M_w＝31.1kDa，PDI＝1.90。

实施例15

制备包含半导体SWNT和分别地，聚合物Pf、Pg、Ph、Pi的组合物

将5mg聚合物Pf、Pg、Ph、Pi和5mg电弧放电SWNT(商品名“P2SWNT”，获自Carbon Solutions Inc，Riverside，California；SWNT纯度90％)在25ml甲苯中混合，并在70％的振幅水平下超声30分钟(Cole Parmer超声发生器750W)。然后将该分散体在17 000rpm和16℃下离心30分钟(Sorvall RC5C-plus)。收集上清液，分别表示为组合物A-13、A-14、A-15、A-16。

组合物A-13包含半导体SWNT和聚合物Pf。

组合物A-14包含半导体SWNT和聚合物Pg。

组合物A-15包含半导体SWNT和聚合物Ph。

组合物A-16包含半导体SWNT和聚合物Pi。

将组合物A-13、A-14、A-15和A-16液滴流延至玻璃基材上，并在500℃和氩气下退火1小时，从而得到聚合物移除的组合物A-13’、A-14’、A-15’和A-16’。

组合物A-13’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-13。

组合物A-14’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-14。

组合物A-15’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-15。

组合物A-16’包含半导体SWNT且衍生自组合物A-16。

图7显示了组合物A-13’、A-14’、A-15’和A-16以及呈固态的SDBS移除的电弧放电SWNT的归一化UV-VIS谱。

金属性SWNT在600-850nm范围内吸收。半导体SWNT在900-1330nm范围内吸收。图7显示与SDBS移除的电弧放电SWNT在600-850nm范围内的吸收相比，组合物A-13’、A-14’、A-15’、A-16’在该波长范围内的吸收降低。图7还显示与SDBS移除的电弧放电SWNT在900-1330nm范围内的吸收相比，组合物A-13’、A-14’、A-15’、A-16’在该波长范围内的吸收增大。因此，A-13’、A-14’、A-15’、A-16’组合物中的半导体SWNT/金属性SWNT之比比SDBS移除的电弧放电SWNT高。组合物A-13’显示出最高的半导体SWNT/金属性SWNT之比。

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该技术已申请专利。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
技术研发人员：鲍哲南;L·庭;L·应-支;王辉亮;P·哈约兹;T·魏茨;
技术所有人：巴斯夫欧洲公司;利兰斯坦福青年大学托管委员会;
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