聚酰胺酰亚胺高分子、石墨膜及其制备方法
【专利说明】聚酰胺酰亚胺高分子、石墨膜及其制备方法 【技术领域】
[0001] 本发明关于一种聚酰胺酰亚胺高分子，特别关于一种导入二酸酐的聚酰胺酰亚胺 高分子及由该聚酰胺酰亚胺高分子所构成的石墨膜及其制备方法。 【【背景技术】】
[0002] 在电子产品不断走向轻、薄、短、小的趋势下，除了 3C产品的散热需求，在电池、储 能等产业，功率提高，散热需求也随之提升，由于人造石墨膜在平面方向具有很高的热传导 值，可作为一种散热零件用于各种发热元件。
[0003] 人造石墨膜的生产制作方式为使用特定的高分子膜材，分别经过1，000°C碳化 (氮气环境）与2, 40(TC石墨化（氩气环境）处理，再进行后续辗压制程，即可获得石墨膜。
[0004] 分析现有技术可发现，一般的聚酰胺酰亚胺膜（PAIfilm)，在经高温2, 400°C热处 理后，由于石墨化度低，无法形成人造石墨膜。 【
【发明内容】
】
[0005] 根据本发明一实施例，该聚酰胺酰亚胺高分子，具有如化学式（I)所示的化学结 构：
【主权项】
m:n= 8:2~6:4,所述高分子的重均分子量为20,OOO~60, 000。
2. 如权利要求1所述的聚酰胺酰亚胺高分子，其中m:n= 7. 5:2. 5~6. 5:3. 5,所述高 分子的重均分子量为30, 000~50, 000。
3. -种石墨膜，其通过对聚酰胺酰亚胺高分子进行热处理制程所制备，其中该热处理 制程的温度为25~2, 900°C，且该聚酰胺酰亚胺高分子具有下列化学式（I):
m:n= 8:2~6:4,所述高分子的重均分子量为20,OOO~60, 000。
4.如权利要求3所述的石墨膜，其中该聚酰胺酰亚胺高分子中的X2包括
5. -种石墨膜的制备方法，包括：对聚酰胺酰亚胺高分子进行热处理制程，以制备石 墨膜，其中该热处理制程的温度为25~2, 900°C，且该聚酰胺酰亚胺高分子具有下列化学 式⑴：
m:n= 8:2~6:4,所述高分子的重均分子量为20,OOO~60, 000。
6. 如权利要求5所述的石墨膜的制备方法，其中该热处理制程包括碳化制程与石墨化 制程。
7. 如权利要求6所述的石墨膜的制备方法，其中该碳化制程的温度为25~1，300°C。
8. 如权利要求6所述的石墨膜的制备方法，其中该石墨化制程的温度为1，800~ 2, 900。。。
9. 如权利要求6所述的石墨膜的制备方法，还包括导入氮气、氢气、氦气或氦气于该碳 化制程中。
10. 如权利要求6所述的石墨膜的制备方法，还包括导入氦气、氢气或氦气于该石墨化 制程中。
【专利摘要】本发明提供一种聚酰胺酰亚胺高分子，具有下列化学式(I)：化学式(I)中，X1包括X2包括以及m:n＝8:2～6:4，此高分子的重均分子量为20,000～60,000。
【IPC分类】C01B31-04, C08G73-14
【公开号】CN104710617
【申请号】CN201410335199
【发明人】林振隆, 刘彦群, 张惠雯, 邱国展, 胡宪霖
【申请人】财团法人工业技术研究院
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2014年7月15日
【公告号】US20150166347