芳基磺酸化合物及其利用

芳基磺酸化合物及其利用
【专利摘要】由式(A1)或(A2)表示的芳基磺酸化合物。[式中，Ar1表示被m个Z0取代且被氟原子取代的碳数6～20的1价的芳香族基团，Ar2表示被m个Z0取代且被氟原子取代的碳数6～20的2价的芳香族基团，L表示由式(P1)表示的基团，Z0表示氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基或者可被氟原子取代的碳数1～10的烷基、或者可被氟原子取代的碳数2～10的烯基，m表示0～2的整数。(式中，n表示1～4的整数。)]
【专利说明】
芳基横酸化合物及其利用
技术领域
[0001 ]本发明设及芳基横酸化合物及其利用，详细地说，设及具有横酷基巧基和氣代芳 基经由酸基连接的结构的芳基横酸化合物和该化合物的作为渗杂剂的利用。
【背景技术】
[0002] 对于有机电致发光化L)元件，期待在显示器、照明运样的领域中的实用化，W低电 压驱动、高亮度、高寿命等为目的，进行了与材料、元件结构有关的各种开发。
[0003] 有机化元件中使用多个功能性薄膜，作为其中之一的空穴注入层担负着阳极与空 穴传输层或发光层的电荷的授受，为了实现有机化元件的低电压驱动和高亮度，发挥重要 的功能。
[0004] 该空穴注入层的形成方法大致分为W蒸锻法为代表的干法和W旋涂法为代表的 湿法，将运些方法进行比较，湿法由于能够大面积地高效率地制造平坦性高的薄膜，因此特 别是在显示器的领域中经常采用湿法。
[0005] 在上述实际情况下，常常期待着开发能够实现有机化元件的高功能化的、可采用 湿法形成的空穴注入层。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[000引专利文献1:国际公开第2012/173011号
[0009] 专利文献2:日本特开2013-93541号公报
[0010] 非专利文献
[0011] 非专利文献1: J. Phys. Chem. B，2007，111，478-484

【发明内容】

[0012] 发明要解决的课题
[0013] 本发明鉴于上述实际情况而完成，其目的在于提供可给予优异的亮度特性的有机 化元件的材料。
[0014] 用于解决课题的手段
[0015] 本发明人为了实现上述目的反复深入研究，结果发现:具有横酷基巧基与氣代芳 基经由酸基连接的结构的芳基横酸化合物可作为渗杂剂发挥功能，不仅在室溫下显示非晶 性，而且显示对各种有机溶剂的高溶解性，由通过使该芳基横酸化合物与电荷传输性物质 一起溶解于有机溶剂而得到的清漆可得到具有高电荷传输性的薄膜，W及通过将该薄膜用 作空穴注入层，从而得到优异的亮度特性的有机化元件，完成了本发明。
[0016] 目P，本发明提供下述芳基横酸化合物等。
[0017] 1.由式(Al)或(A2)表示的芳基横酸化合物。
[001 引[化1]
[0019]
[0020] [式中，Ari表示被m个Z巧X代且被氣原子取代的碳数6~20的I价的芳香族基团，Ar2 表示被m个Z哨I代且被氣原子取代的碳数6~20的2价的芳香族基团，
[0021] L表示由式(Pl)表示的基团，
[0022] 2<^表示氯原子、漠原子、舰原子、氯基、硝基或可被氣原子取代的碳数1~10的烧 基、或可被氣原子取代的碳数2~10的締基，
[0023] m表示0~2的整数。
[0024] [化2]
[0025]
胃
[0026] (式中，n表示1~4的整数。）]
[0027] 2.渗杂剂，其包含1的芳基横酸化合物。
[0028] 3.电荷传输性清漆，其包含2的渗杂剂、电荷传输性物质、和有机溶剂。
[0029] 4.使用3的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜。
[0030] 5.有机EL元件，其具有4的电荷传输性薄膜。
[0031 ] 6.电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，使用3的电荷传输性清漆。
[0032] 7.有机EL元件的制造方法，其特征在于，使用3的电荷传输性清漆。
[0033] 8.1的芳基横酸化合物的制造方法，其特征在于，使由式化1)表示的径基巧化合物 与由式(Fl)或(F2)表示的面代芳基化合物反应，得到由式(Ar)或(A2'）表示的芳基横酸 盐，对该盐进行离子交换处理。
[0034] [化3]
[0035]
[0036] [式中，X表示面素原子，L'表示由式(Pr)表示的基团，Ari和Ar2表示与上述相同的 含义。
[0037] 「化"
[00；3 引
[0039] (式中，M表示碱金属原子，n表示与上述相同的含义。）]
[0040] 应予说明，专利文献1、2中公开了具有巧基与面代芳基经由酸基连接的结构的化 合物，非专利文献1中公开了具有用横酸钢基取代的巧基与氯基芳基经由酸基连接的结构 的化合物。但是，在运些文献中都没有具体地公开本发明的化合物。另外，也没有教导本发 明的芳基横酸化合物适合作为渗杂剂的记载。
[0041] 发明的效果
[0042] 本发明的芳基横酸化合物可作为渗杂剂发挥功能，不仅在室溫下显示非晶性，而 且对于各种有机溶剂的溶解性高，因此通过使其与例如包含苯胺衍生物的电荷传输性物质 一起溶解于有机溶剂，从而能够制备给予电荷传输性优异的薄膜的清漆，进而，通过使用运 样的薄膜作为空穴注入层，能够得到优异的亮度特性的有机化元件。
[0043] 另外，本发明的芳基横酸化合物可作为渗杂剂发挥功能，与电荷传输性物质一起 使用而形成的薄膜显示高传输性，因此也期待在电容器电极保护膜、抗静电膜、有机薄膜太 阳能电池的阳极缓冲层等中的应用。
【具体实施方式】
[0044] 本发明的芳基横酸化合物由式(Al)或(A2)表示。
[0045] 「"一
[0046]
[0047] Ari表示被m个Z哨I代且被氣原子取代的碳数6~20的1价的芳香族基团，Ar2表示被 m个Z哨I代且被氣原子取代的碳数6~20的2价的芳香族基团。
[004引作为构成运样的芳香族基团的芳香环，可列举出苯、糞、蔥、联苯、=联苯等，从提 高本发明的芳基横酸化合物的溶解性的观点出发，优选苯、蔥、联苯，更优选苯、联苯。
[0049] 2<^表示氯原子、漠原子、舰原子、氯基、硝基或可被面素原子取代的碳数1~20的烧 基、或可被面素原子取代的碳数2~20的締基。
[0050] 作为面素原子，可列举氣原子、氯原子、漠原子、舰原子，如果考虑作为渗杂剂的功 能性，氣原子最适合。
[0051] 作为运样的可被面素原子取代的碳数1~20的烷基，可列举出甲基、乙基、正丙基、 异丙基、正下基、异下基、仲下基、叔下基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基 等未取代烷基，S氣甲基、氣乙基、1，1，2,2,2-五氣乙基、3,3,3-S氣丙基、2,2,3， 3,3-五氣丙基、1，1，2,2,3,3,3-屯氣丙基、4,4,4-S氣下基、3,3,4,4,4-五氣下基、2,2,3， 3,4,4,4 -^h氣下基、1,1,2,2,3,3,4,4,4-九氣下基等面代烷基。
[0052] 作为运样的碳数2~20的締基的具体例，可列举出乙締基、正-1-丙締基、正-2-丙 締基、1-甲基乙締基、正-1-下締基、正-2-下締基、正-3-下締基、2-甲基-1-丙締基、2-甲基- 2-丙締基、1-乙基乙締基、1-甲基-1-丙締基、1-甲基-2-丙締基、正-1-戊締基、正-1-癸締基 等未取代締基、全氣乙締基、全氣丙締基(締丙基）、全氣下締基等面代締基。
[0053] 特别地，从提高本发明的芳基横酸化合物的在有机溶剂中的溶解性的观点出发， 烷基的碳数优选为5W下，更优选为3W下，进一步优选为2W下，进一步优选为1。另外，締基 的碳数优选为5 W下，更优选为3 W下，进一步优选为2。
[0054] 而且，如果考虑作为渗杂剂的功能性，优选烷基和締基被面素原子取代，更优选被 氣原子取代，进一步优选被氣原子全部取代(全氣代）。
[0055] 作为2*\如果考虑芳基横酸化合物在有机溶剂中的溶解性和其作为渗杂剂的功能 性的平衡，优选氯原子、漠原子、舰原子、硝基、氯基、全氣甲基、全氣締丙基，更优选硝基、氯 基、全氣甲基、全氣締丙基。
[0056] 111表示在芳香族基团上取代的2<^的数，为0~2的整数。其中，111为0时，意味着芳香族 基团不具有乍为取代基。
[0057] m的优选的值根据构成芳香族基团的芳香环的种类、在芳香族基团上取代的氣原 子的数、其取代位置等而变化，例如，如果考虑作为渗杂剂的功能性，2*^为未取代的烷基、未 取代的締基等比较弱的吸电子性的基团时，m优选IW下，更优选0。
[005引另外，2*^为氯原子、漠原子、舰原子、硝基、氯基、全氣甲基、全氣締丙基等比较强的 吸电子性的基团（原子)时，只要运些基团（原子)替代芳香环上的氨原子而与芳香环结合，m 优选IW上，更优选2。
[0059] 在碳数6~20的1价或2价的芳香族基团上取代的氣原子的数只要为IW上，则并无 特别限定，如果考虑作为渗杂剂的功能性，越高越优选，典型地，为最大的取代数是最佳的。
[0060] 目P，例如，构成1价的芳香族基团的芳香环为苯环的情况下，取代的氣原子数优选2 W上，更优选3W上，进一步优选4W上，最优选5。另外，构成2价的芳香族基团的芳香环为苯 环的情况下，取代的氣原子数优选2W上，更优选3W上，最优选4。
[0061] 同样地，例如，构成1价的芳香族基团的芳香环为糞、蔥、联苯和=联苯时，取代的 氣原子数分别为7、9、9和13是最佳的，构成2价的芳香族基团的芳香环为糞、蔥、联苯和=联 苯时，取代的氣原子数分别为6、8、8和12是最佳的。
[0062] 作为Ari的例子，可列举出W下所示的实例，但并不限定于运些。
[0072] 作为Ar^勺例子，可列举出W下所示的实例，但并不限定于运些。
[0063] 「八 C]
[0064]
[00 化]
[0066]
[0067]
[006引
[0069]
[0070]
[0071]
[0074
[0073][化 10]
[0082] L表示由式(Pl)表示的基团。[008；3][化 14]
[0075
[0076
[0077
[0078
[0079
[0080
[0081 r n 妒料
[0084] '
[0085] n表示在巧基上取代的横酸基的数，为I~4的整数，从提高本发明的芳基横酸化合 物的溶解性的观点出发，优选为2W上，更优选为3W上。
[0086] 应予说明，式(Pl)意味着n个横酸基在巧环上的任意的位置取代，意味着键合端也 位于巧环上的任意的位置。
[0087] 作为L，典型地，可列举出由式(P2)表示的基团。
[008引 「 1 ㈱
[0089]
[0090] 本发明的芳基横酸化合物可W通过使由式化1)表示的径基巧化合物和由式(Fl) 或(F2)表示的面代芳基化合物反应而得到由式(Ar)或(A2'）表示的芳基横酸盐，对该盐进 行离子交换处理而得到。
[0091]
[0092] 123456
[式中，X表示氣原子、氯原子、漠原子等面素原子，L'表示由式(Pr )表示的基团， Ari和Ar2表示与上述相同的含义。 2
[化 17] 3
[0095]
4 (式中，M表示钢、钟等碱金属原子，n表示与上述相同的含义。）] 5 作为由式化1)表示的径基巧化合物，可列举出8-径基-1，3,6-巧S横酸S钢等，但 并不限定于此。 6 作为由式(Fl)或(F2)表示的面代芳基化合物，可列举出全氣苯、全氣甲苯、3-(五 氣苯基)-五氣-1-丙締、五氣硝基苯、五氣苯甲腊、1,2-二氯基-3,4,5,6-四氣苯、3,4,5,6- 四氣-1,2-二硝基苯、五氣苯、1，2,4,5-四氣苯、五氣苯、2,3,4,5-四氣苯甲腊、2,3,5,6-四 氣苯甲腊、2,4,5-=氣苯甲腊、2,4,6-=氣苯甲腊、2,3,4-=氣苯甲腊、2,3,5-=氣苯甲腊、 2,3,6-S氣苯甲腊、1，3,4,5-四氣-2-硝基苯、1，2,3,4-四氣-5-硝基苯、3,4,5-S氣硝基 苯、2，4，6-=氣硝基苯、2，3，4-=氣硝基苯、2，3，5-=氣硝基苯、2，3，6-=氣硝基苯、2，4-二 硝基氣苯、1,4-二氯基四氣苯、全氣联苯、2,2'，4,4'，6,6'-六氣联苯、2,2'，3,4,5,6,6'-屯 氣-1,1'-联苯、4H，4'H-八氣联苯、全氣糞、1,2,3,4-四氣糞、1,2,4,5,6,8-六氣糞、1,2，3， 4.5.8- 六氣-6,7-二甲基糞、全氣蔥、1，2,3,4,5,6,7,8-八氣糞、9，10-二氯-1，2,3,4,5,6， 7.8- 八氣糞、1，2,3,4-四氣糞、1，2,3,4-四氣蔥等，但并不限定于运些。
[0099] 上述反应中，从高效率地得到芳基横酸盐的观点出发，优选使用碱。
[0100] 作为其具体例，可列举出裡、钢、钟、氨化裡、氨化钢、氨氧化裡、氨氧化钟、叔下氧 基裡、叔下氧基钢、叔下氧基钟、氨氧化钢、氨氧化钟、碳酸钢、碳酸钟、碳酸氨钢、碳酸氨钟 等碱金属单质、氨化碱金属、氨氧化碱金属、烷氧基碱金属、碳酸碱金属、碳酸氨碱金属;碳 酸巧等碳酸碱上金属；正下基裡、仲下基裡、叔下基裡等有机裡;=乙胺、二异丙基乙基胺、 四甲基乙二胺、=亚乙基二胺、化晚等胺类等，只要可用于运种反应，则并无特别限定。特别 地，从容易处理的角度出发，优选氨化钢、碳酸钢、碳酸钟。
[0101] 碱的使用量，通常，相对于由式化1)表示的径基巧化合物，为1.0~1.5当量左右就 足W，优选根据催化剂的种类适当地确定。
[0102] 由式化1)表示的径基巧化合物与由式(Fl)表示的面代芳基化合物的进料比，相对 于面代芳基化合物1摩尔，可W使径基巧化合物为0.5~2.0摩尔左右，从高效率地得到由式 (Ar)表示的芳基横酸盐的观点出发，优选为0.8~1.2左右。
[0103] 由式化1)表示的径基巧化合物与由式(F2)表示的面代芳基化合物的进料比，相对 于面代芳基化合物1摩尔，使径基巧化合物为1.0~4.0左右即可，从高效率地得到由式 (A2'）表示的芳基横酸盐的观点出发，优选化.6~2.4左右。
[0104] 反应溶剂优选非质子性极性有机溶剂，例如可列举出N，N-二甲基甲酯胺、N，N-二 甲基乙酷胺、N-甲基化咯烧酬、1,3-二甲基-2-咪挫嘟酬、二甲基亚讽、四氨巧喃、二嗯烧等。 从反应后的反应溶剂的除去容易性的观点出发，N，N-二甲基甲酯胺、N，N-二甲基乙酷胺、四 氨巧喃、二嗯烧等是适合的。
[0105] 反应溫度可考虑使用的溶剂、催化剂的种类、原料化合物的种类等，采用上述反应 可进行的溶剂的融点与沸点之间的溫度即可，通常，大致为50~120°C。反应时间因反应条 件而异，因此不能一概地规定，大致为0.1~100小时。
[0106] 反应结束后，通过过滤、反应溶剂的馈除等，将由式(Ar)或(A2'）所示的芳基横酸 盐回收，将该回收的盐通过例如阳离子交换树脂进行质子化，从而能够得到本发明的芳基 横酸化合物。
[0107] 应予说明，面代芳基化合物可使用市售品，也可使用采用公知的方法(参照例如日 本特开2002-179637号公报、日本特开2005-255531号公报、日本特开昭61-047426号公报、 J.Fluor.CHEM.第29(4)卷第417-424页等)合成的产品。另外，径基巧化合物可使用市售品， 也可使用采用公知的方法合成的产品。作为运样的公知的方法，可列举出例如将巧采用公 知的方法径基化，将其采用使用了浓硫酸、发烟硫酸、面代硫酸的一般的横酸化反应进行横 化，使其与碱金属盐反应的手法。
[0108] [电荷传输性清漆]
[0109] 本发明的电荷传输性清漆包含本发明的芳基横酸化合物作为渗杂剂，还包含电荷 传输性物质和有机溶剂。
[0110] 其中，所谓电荷传输性，与导电性同义，与空穴传输性同义。电荷传输性物质可W 是其自身具有电荷传输性的物质，也可W是与渗杂剂一起使用时具有电荷传输性的物质。 电荷传输性清漆可W是其自身具有电荷传输性的清漆，也可W是由其得到的固体膜具有电 荷传输性的清漆。
[0111] 作为运样的电荷传输性物质，能够使用W往在有机化的领域等中使用的电荷传输 性物质。作为其具体例，可列举出低聚苯胺衍生物、N，N'-二芳基联苯胺衍生物、N，N，N'，N'- 四芳基联苯胺衍生物等苯胺衍生物(芳基胺衍生物）、低聚嚷吩衍生物、嚷吩并嚷吩衍生物、 嚷吩并苯并嚷吩衍生物等嚷吩衍生物、低聚化咯等化咯衍生物等各种空穴传输性物质。运 些中，优选苯胺衍生物、嚷吩衍生物，更优选苯胺衍生物。
[0112] 电荷传输性物质的分子量，如果考虑电荷传输性物质的析出的抑制、清漆的涂布 性提高等，优选为9，000 W下，更优选为8，000 W下，更加优选为7，000 W下，进一步优选为6， OOOW下，更进一步优选为5,000W下，另一方面，如果考虑得到具有更高的电荷传输性的薄 膜，优选为300W上。再有，在薄膜化的情况下从防止电荷传输性物质分离的观点出发，电荷 传输性物质优选不具有分子量分布(分散度为1)(即，优选为单一的分子量）。
[0113] 特别地，本发明中，优选包含由式(1)表示的苯胺衍生物的电荷传输性物质。
[0114] 「化 181
[0115]
[0116] 式（1)中，Xi 表示-NY1-、-0-、-S-、-(CR'R°)i-或单键，j或 k 为加守，表示-NY1-。
[0117] Yi相互独立地表示氨原子、可被Zi取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的締基或 碳数2~20的烘基、或者可被Z2取代的、碳数6~20的芳香族基团或碳数2~20的杂芳香族基 团。
[0118] 作为式（1)中的碳数1~20的烷基，可W为直链状、分支链状、环状的任一种，可列 举出例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正下基、异下基、仲下基、叔下基、正戊基、正己基、正 庚基、正辛基、正壬基、正癸基等碳数1~20的直链或分支链状烷基；环丙基、环下基、环戊 基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环下基、双环戊基、双环己基、双环庚基、双 环辛基、双环壬基、双环癸基等碳数3~20的环状烷基等。
[0119] 作为式（1)中的碳数2~20的締基的具体例，可列举出乙締基、正-1-丙締基、正-2- 丙締基、1-甲基乙締基、正-1-下締基、正-2-下締基、正-3-下締基、2-甲基-1-丙締基、2-甲 基-2-丙締基、1-乙基乙締基、1-甲基-1-丙締基、1-甲基-2-丙締基、正-1-戊締基、正-1-癸 締基、正-1-二十碳締基等。
[0120] 作为式（1)中的碳数2~20的烘基的具体例，可列举出乙烘基、正-1-丙烘基、正-2- 丙烘基、正-1-下烘基、正-2-下烘基、正-3-下烘基、1-甲基-2-丙烘基、正-1-戊烘基、正-2- 戊烘基、正-3-戊烘基、正-4-戊烘基、1 -甲基-正-下烘基、2-甲基-正-下烘基、3-甲基-正-下 烘基、1,1-二甲基-正-丙烘基、正-1-己烘基、正-1-癸烘基、正-1-十五碳烘基、正-1-二十碳 烘基等。
[0121] 作为式（1)中的碳数6~20的芳香族基团的具体例，可列举出苯基、1-糞基、2-糞 基、1-蔥基、2-蔥基、9-蔥基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等。
[0122] 作为式（1)中的碳数2~20的杂芳香族基团的具体例，可列举出2-嚷吩基、3-嚷吩 基、2-巧喃基、3-巧喃基、2-嗯挫基、4-嗯挫基、5-嗯挫基、3-异嗯挫基、4-异嗯挫基、5-异嗯 挫基、2-嚷挫基、4-嚷挫基、5-嚷挫基、3-异嚷挫基、4-异嚷挫基、5-异嚷挫基、2-咪挫基、4- 咪挫基、2-化晚基、3-化晚基、4-化晚基等。
[0123] R7和R8相互独立地表示氨原子、面素原子、硝基、氯基、氨基、醒基、径基、硫醇基、横 酸基、簇酸基、可W被Zi取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的締基或碳数2~20的烘基、 可W被Z2取代的、碳数6~20的芳香族基团或碳数2~20的杂芳香族基团、-NHY2、-NY 3Y4、-C (0) ys、-OY?、-SY?、-s〇3y8、-C (0) oy9、-OC (0) yiD、-C (0)饥妒1、或-C (0) NYi2yi3 基，~Y"相互独 立地表示可被Zi取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的締基或碳数2~20的烘基、或者可 被Z2取代的、碳数6~20的芳香族基团或碳数2~20的杂芳香族基团。
[0124] 作为面素原子，可列举出氣原子、氯原子、漠原子、舰原子等。此外，作为R7~R8和Y2~Y"的烷基、締基、烘基、芳香族基团W及杂芳香族基团，可列举出与上述相同的基团。
[0125] 运些中，作为R7和R8,优选氨原子、或者可被Zi取代的碳数1~20的烷基，更优选氨 原子、或可被Zi取代的甲基，最优选都为氨原子。
[0126] 1表示由-(CR7R8)-表示的2价的亚烷基的重复单元数，为1~20的整数，优选1~10， 更优选1~5,进一步优选1~2,1为最佳。应予说明，1为2W上的情况下，多个R7可彼此相同 也可不同，多个R8也可彼此相同也可不同。
[0127] 尤其地，作为XI，优选-NYi-或单键。另外，作为Yi,优选氨原子、或者可被Zi取代的 碳数1~20的烷基，更优选氨原子、或可被Zi取代的甲基，最优选氨原子。
[0128] Ri~R6相互独立地表示氨原子、面素原子、硝基、氯基、氨基、醒基、径基、硫醇基、横 酸基、簇酸基、可用Zi取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的締基或碳数2~20的烘基、可 由Z2取代的、碳数6~20的芳香族基团或碳数2~20的杂芳香族基团、-NHY2、-NY 3Y4、-C(0) ￥5、-〇￥6、-5￥7、-5〇3￥8、-(：(〇)〇￥9、-〇(：(〇作10、-(：(〇)畑￥11、或-(：(〇)^呵13基(￥2~￥13表示与上 述相同的含义。），作为运些面素原子、烷基、締基、烘基、芳香族基团和杂芳香族基团，可列 举与上述相同的基团。
[0129] 特别地，式（1)中，作为Ri~R4,优选氨原子、面素原子、可被Zi取代的碳数1~10的 烷基、或可被Z2取代的碳数6~14的芳香族基团，更优选氨原子、氣原子、或可被氣原子取代 的碳数1~10的烷基，最优选全部为氨原子。
[0130] 另外，作为R5和R6,优选氨原子、面素原子、可被Zi取代的碳数1~10的烷基、可被Z 2取代的碳数6~14的芳香族基团、或可被Z2取代的二苯基氨基(Y3和Y4为可被Z 2取代的苯基 的-NY3Y4基），更优选氨原子、氣原子、或可被氣原子取代的二苯基氨基，同时为氨原子或二 苯基氨基更为优选。
[0131] 而且，运些中，优选下述组合:Ri~R4为氨原子、氣原子、可被氣原子取代的碳数1~ 10的烷基，R5和R6为氨原子、氣原子、可被氣原子取代的二苯基氨基，Xi为-NYi-或单键，并且 Yi为氨原子或甲基，更优选下述组合:Ri~R4为氨原子，R5和R6同时为氨原子或二苯基氨基， Xi为-NH-或单键。
[0132] 式（1)中，j和k相互独立地表示OW上的整数，满足1兰j+k兰20,如果考虑得到的薄 膜的电荷传输性和苯胺衍生物的溶解性的平衡，优选满足2 ^ j+k ^ 8，更优选满足2 ^ j+k ^ 6，进一步优选满足2兰j+k兰4。
[0133] 应予说明，上述Yi~YU和Ri~R8的烷基、締基W及烘基可W被作为面素原子、硝基、 氯基、氨基、醒基、径基、硫醇基、横酸基、簇酸基、或者可被Z3取代的、碳数6~20的芳香族基 团或碳数2~20的杂芳香族基团的Zi取代，上述Yi~yu和Ri~R8的芳香族基团和杂芳香族基 团可W被作为面素原子、硝基、氯基、氨基、醒基、径基、硫醇基、横酸基、簇酸基、或者可被Z3取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的締基或碳数2~20的烘基的Z2取代，运些基团可进 一步被作为面素原子、硝基、氯基、氨基、醒基、径基、硫醇基、横酸基、或簇酸基的Z3取代(作 为面素原子，可列举与上述同样的面素原子。）。
[0134] 特别地，Yi~Yi哺Ri~R8中，取代基Zi优选面素原子、或可由Z3取代的碳数6~20的 芳香族基团，更优选面素原子、或可被Z3取代的苯基，最优选不存在(即，为未取代）。
[0135] 另外，取代基Z2优选面素原子、或可被Z3取代的碳数1~20的烷基，更优选面素原 子、或可被Z3取代的碳数1~4的烷基，最优选不存在(即，为未取代）。
[0136] 而且，Z3优选面素原子，更优选氣，最优选不存在(即，为未取代）。
[0137] Yi~YU和Ri~R8中，烷基、締基和烘基的碳数优选为IOW下，更优选为6W下，进一 步优选为4W下。
[0138] 另外，芳香族基团和杂芳香族基团的碳数优选为14W下，更优选为IOW下，进一步 优选为6 W下。
[0139] 由式（1)表示的苯胺衍生物的分子量，从提高溶解性的观点出发，优选为9,000W 下，更优选为7，000 W下，进一步优选为5，000 W下。
[0140] 应予说明，作为本发明中使用的苯胺衍生物的合成法，并无特别限定，可列举出方 レテ^シ?才方? 力瓜?ッ哥工テ^ ?才方?ッ中パシ（Bulletin Of Chemical Society of Japan)(1994 年、第 67 卷、第 1749-1752 页）、シシ^rテ4y 夕? 夕瓜乂 (Synthetic Metals)(1997年、第84卷、第 119-120页）、シシ?ッリッK ? 厶乂（TMn Solid FiIms)(2012年、520(24)、7157-7163)、国际公开第2008/032617号、国际公开第 2008-032616号、国际公开第2008-129947号、国际公开第2014/148415号等中记载的方法。
[0141] W下列举出本发明中优选的苯胺衍生物，但并不限定于运些。
[0142] [化 19]
[0143：
[0144；
[0145：
[0146：
[0147] (式中，Ph表示苯基，TPA表示对-(二苯基氨基)苯基。）
[0148] 本发明的电荷传输性清漆可包含其他的渗杂剂，特别地，从与本发明的芳基横酸 化合物的相容性、得到的薄膜的电荷传输性的观点出发，作为优选的一例，可列举杂多酸化 合物。
[0149]杂多酸化合物为具有代表性地由式（2)表示的Keggin型或由式(3)表示的化wson 型的化学结构表示的、杂原子位于分子的中屯、的结构，作为饥(V)、钢(Mo)、鹤(W)等的含氧 酸的同多酸与异种元素的含氧酸缩合而成的多酸。作为运样的异种元素的含氧酸，主要可 列举出娃(Si)、憐(P)、神(As)的含氧酸。
[0150] 「化 211
[0151]
[0152] 作为杂多酸化合物的具体例，可列举出憐钢酸、娃钢酸、憐鹤酸、娃鹤酸、憐鹤钢酸 等。运些可W单独使用，也可W将巧巾W上组合使用。应予说明，杂多酸化合物可作为市售品 获得，另外，也可W采用公知的方法合成。
[0153] 特别地，如果考虑得到的薄膜的电荷传输性，优选憐鹤酸或憐钢酸，更优选憐鹤 酸。
[0154] 应予说明，杂多酸在元素分析等的定量分析中，即使相对于由通式表示的结构，元 素的数多或少，只要其是作为市售品获得的产品或者按照公知的合成方法适当地合成的产 物，都能够在本发明中使用。
[0155] 旨P，例如，一般地，憐鹤酸用化学式出（PWi2〇4D) . nH2〇表示，憐钢酸用化学式出 (PMoi2〇4〇) -n此0表示，在定量分析中，即使该式中的P(憐）、0(氧)或W(鹤)或Mo(钢）的数多 或者少，只要其为作为市售品获得的产品或者按照公知的合成方法适当地合成的产物，贝U 都能够在本发明中使用。运种情况下，本发明中规定的杂多酸的质量，不是合成物、市售品 中的纯粹的憐鹤酸的质量(憐鹤酸含量），而是意味着作为市售品可获得的形态和采用公知 的合成法可分离的形态下包含水合水、其他杂质等的状态下的总质量。
[0156] 本发明中，电荷传输性清漆中的芳基横酸的量W物质比表示，相对于电荷传输性 物质1，通常为0.5~10左右，优选为0.75~5左右。
[0157] 本发明的电荷传输性清漆，W清漆在基板上的涂布性的调节、得到的薄膜的电离 电位的调整等为目的，可包含有机硅烷化合物。
[0158] 作为该有机硅烷化合物，可列举出二烷氧基硅烷化合物、=烷氧基硅烷化合物或 四烷氧基硅烷化合物，运些可单独地使用，也可将巧巾W上组合使用。
[0159] 特别地，作为有机硅烷化合物，优选二烷氧基硅烷化合物或=烷氧基硅烷化合物， 更优选=烷氧基硅烷化合物。
[0160] 作为四烷氧基硅烷化合物、=烷氧基硅烷化合物和二烷氧基硅烷化合物，例如可 列举出由式(4)~(6)表示的化合物。
[0161] SK〇r9)4 (4)
[0162] SiRi〇(OR9)3 (5)
[0163] SKr1〇)2(OR9)2 (B)
[0164] 式中，R9相互独立地表示可被Z4取代的、碳数I~20的烷基、碳数2~20的締基或碳 数2~20的烘基、或者可被Z5取代的、碳数6~20的芳香族基团或碳数2~20的杂芳香族基 团，RU相互独立地表示可被Z6取代的、碳数I~20的烷基、碳数2~20的締基或碳数2~20的 烘基、或者可被Z7取代的、碳数6~20的芳香族基团或碳数2~20的杂芳香族基团。
[0165] Z4表示面素原子、或者可被Z8取代的、碳数6~20的芳香族基团或碳数2~20的杂芳 香族基团，Z5表示面素原子、或者可被Z8取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的締基或碳数 2~20的烘基。
[0166] Z6表示面素原子、可被Z8取代的、碳数6~20的芳香族基团或碳数2~20的杂芳香族 基团、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙締酷氧基、丙締酷氧基、脈基(-NHC0N此）、硫醇基、 异氯酸醋基(-NCO)、氨基、-NHYi4基、或-NYiSyis基。
[0167] Z7表示面素原子、可被Z8取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的締基或碳数2~20 的烘基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙締酷氧基、丙締酷氧基、脈基(-NHC0N此）、硫醇 基、异氯酸醋基(-NCO )、氨基、-NHYi4基、或-NYiSyis基，Yi4~Yis相互独立地表示可被Z 8取代 的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的締基、碳数2~20的烘基、碳数6~20的芳香族基团、或碳 数2~20的杂芳香族基团。
[0168] Z8表示面素原子、氨基、硝基、氯基、或硫醇基。
[0169] 作为式(4)~(6)中的、面素原子、碳数1~20的烷基、碳数2~20的締基、碳数2~20 的烘基、碳数6~20的芳香族基团、和碳数2~20的杂芳香族基团，可列举出与上述同样的基 团。
[0170] R9和RW中，烷基、締基和烘基的碳数优选为IOW下，更优选为6W下，进一步优选为 4W下。
[0171] 另外，芳香族基团和杂芳香族基团的碳数优选为14W下，更优选为IOW下，进一步 优选为6 W下。
[0172] 作为R9,优选可被Z4取代的、碳数1~20的烷基或碳数2~20的締基、或可被Z5取代 的碳数6~20的芳香族基团，更优选可被Z4取代的、碳数1~6的烷基或碳数2~6的締基、或 者可被Z5取代的苯基，进一步优选可被Z4取代的碳数1~4的烷基、或者可被Z5取代的苯基， 进一步优选可被Z4取代的、甲基或乙基。
[017引另外，作为RiM尤选可被Z6取代的碳数1~20的烷基、或者可被Z7取代的碳数6~20 的芳香族基团，更优选可被Z6取代的碳数1~10的烷基、或者可被Z7取代的碳数6~14的芳香 族基团，进一步优选可被Z6取代的碳数1~6的烷基、或者可被Z7取代的碳数6~10的芳香族 基团，进一步优选可被Z6取代的碳数1~4的烷基、或者可被Z7取代的苯基。
[0174] 应予说明，多个R9可全部相同也可不同，多个RW也可全部相同也可不同。
[0175] 作为Z4,优选面素原子、或者可被Z8取代的碳数6~20的芳香族基团，更优选氣原 子、或者可被Z8取代的苯基，最优选不存在(即，为未取代）。
[0176] 另外，作为Z5,优选面素原子、或者可被Z8取代的碳数6~20的烷基，更优选氣原子、 或者可被Z8取代的碳数1~10的烷基，最优选不存在(即，为未取代）。
[0177] 另一方面，作为Z6,优选面素原子、可被Z8取代的苯基、可被Z8取代的巧喃基、环氧 环己基、缩水甘油氧基、甲基丙締酷氧基、丙締酷氧基、脈基、硫醇基、异氯酸醋基、氨基、可 被Z8取代的苯基氨基、或者可被Z8取代的二苯基氨基，更优选面素原子，进一步优选氣原子、 或不存在(即，为未取代）。
[0178] 另外，作为Z7,优选面素原子、可被Z8取代的碳数1~20的烷基、可被Z8取代的巧喃 基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙締酷氧基、丙締酷氧基、脈基、硫醇基、异氯酸醋基、 氨基、可被Z8取代的苯基氨基、或可被Z8取代的二苯基氨基，更优选面素原子，进一步优选氣 原子、或不存在(即，为未取代）。
[0179] 而且，作为Z8,优选面素原子，更优选氣原子或不存在(即，为未取代）。
[0180] W下列举出本发明中可使用的有机硅烷化合物的具体例，但并不限定于运些。
[0181] 作为二烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举出二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙 氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、甲基丙基 二甲氧基硅烷、甲基丙基二乙氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、 乙締基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基 甲基二乙氧基硅烷、3-(3,4-环氧环己基）乙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基 甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-琉基丙基甲基二甲氧基 硅烷、3-氨基丙基甲基^乙氧基硅烷、N-( 2-氨基乙基)氨基丙基甲基^甲氧基硅烷、3,3,3- 二氣丙基甲基二甲氧基硅烷等。
[0182] 作为=烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举出甲基=甲氧基硅烷、甲基=乙氧基 硅烷、乙基二甲氧基硅烷、乙基二乙氧基硅烷、丙基二甲氧基硅烷、丙基二乙氧基硅烷、了基 二甲氧基硅烷、下基二乙氧基硅烷、戊基二甲氧基硅烷、戊基二乙氧基硅烷、庚基二甲氧基 硅烷、庚基=乙氧基硅烷、辛基=甲氧基硅烷、辛基=乙氧基硅烷、十二烷基=甲氧基硅烷、 十二烷基二乙氧基硅烷、十六烷基二甲氧基硅烷、十六烷基二乙氧基硅烷、十八烷基二甲氧 基硅烷、十八烷基二乙氧基硅烷、苯基二甲氧基硅烷、苯基二乙氧基硅烷、乙締基二甲氧基 硅烷、乙締基二乙氧基硅烷、3-氨基丙基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二乙氧基硅烷、3-缩水 甘油氧基丙基=甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基=乙氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基 =甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基=乙氧基硅烷、=乙氧基(4-(=氣甲基)苯基)硅烷、 十^烷基二乙氧基硅烷、3,3,3-二氣丙基二甲氧基硅烷、（二乙氧基甲娃烷基)环己烧、全氣 辛基乙基=乙氧基硅烷、=乙氧基氣硅烷、十=氣-1,1，2,2-四氨辛基=乙氧基硅烷、五氣 苯基=甲氧基硅烷、五氣苯基=乙氧基硅烷、3-(屯氣异丙氧基）丙基=乙氧基硅烷、十屯 氣-1,1，2,2-四氨癸基=乙氧基硅烷、=乙氧基-2-嚷吩基硅烷、3-( =乙氧基甲娃烷基）巧 喃等。
[0183] 作为四烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙 氧基硅烷等。
[0184] 运些中，优选3,3,3-S氣丙基甲基二甲氧基硅烷、S乙氧基(4-(S氣甲基）苯基） 硅烷、3，3,3-=氣丙基=甲氧基硅烷、全氣辛基乙基=乙氧基硅烷、五氣苯基=甲氧基娃 烧、五氣苯基二乙氧基硅烷等。
[0185] 本发明的电荷传输性清漆中的有机硅烷化合物的含量，如果考虑维持得到的薄膜 的高电荷传输性的方面，相对于电荷传输性物质和渗杂剂的总质量，通常为0.1~50质量％ 左右，优选为0.5~40质量％左右，更优选为0.8~30质量％左右，进一步优选为1~20质 量％。
[0186] 作为制备电荷传输性清漆时使用的有机溶剂，能够使用可良好地溶解电荷传输性 物质和渗杂剂的高溶解性溶剂。
[0187] 作为运样的高溶解性溶剂，可W使用例如N，N-二甲基甲酯胺、N，N-二甲基乙酷胺、 N-甲基化咯烧酬、I，3-二甲基-2-咪挫嘟酬、二甘醇单甲基酸等有机溶剂。运些溶剂可巧中单 独地使用或者将巧巾W上混合使用，其使用量相对于清漆中使用的全部溶剂，可W设为5~ 100质量％。
[0188] 再有，电荷传输性物质和渗杂剂优选均成为了在上述溶剂中完全地溶解、或者均 匀地分散的状态，更优选完全地溶解。
[0189] 另外，本发明中，通过使清漆中含有至少巧中25°C下具有10~200mPa ? S、特别地35 ~ISOmPa ? S的粘度、常压(大气压)下沸点50~300°C、特别地150~250°C的高粘度有机溶 剂，清漆的粘度的调节变得容易，其结果，可制备再现性良好地给予平坦性高的薄膜的、适 于采用的涂布方法的清漆。
[0190] 作为高粘度有机溶剂，并无特别限定，例如可列举出环己醇、乙二醇、乙二醇二缩 水甘油酸、1，3-辛二醇、二甘醇、二丙二醇、=甘醇、=丙二醇、1，3-下二醇、2，3-下二醇、1， 4-下二醇、丙二醇、己二醇等。运些溶剂可Wl种单独地使用或者将巧巾W上混合使用。
[0191] 相对于本发明的清漆中使用的溶剂整体的高粘度有机溶剂的添加比例，优选为固 体不析出的范围内，只要固体不析出，添加比例优选5~80质量％。
[0192] 进而，为了对于基板的润湿性的提高、溶剂的表面张力的调节、极性的调节、沸点 的调节等，相对于清漆中使用的溶剂整体，也可W W1~90质量％、优选地1~50质量％的比 例混合其他溶剂。
[0193] 作为运样的溶剂，例如可列举出乙二醇单下基酸、二甘醇二乙基酸、二甘醇二甲基 酸、二甘醇单乙基酸乙酸醋、二甘醇单下基酸乙酸醋、二丙二醇单甲基酸、丙二醇单甲基酸 乙酸醋、二甘醇单乙基酸、双丙酬醇、丫-下内醋、乳酸乙醋、乙酸正己醋、丙二醇单甲基酸 等，但并不限定于运些。运些溶剂可Wl种单独地使用或者将巧巾W上混合使用。
[0194] 本发明的清漆的粘度根据制作的薄膜的厚度等、固体成分浓度适当地设定，通常， 在25°C下为 1 ~50mPa ? S。
[0195] 另外，本发明中的电荷传输性清漆的固体成分浓度考虑清漆的粘度和表面张力 等、制作的薄膜的厚度等适当地设定，通常为0.1~10.0质量％左右，如果考虑提高清漆的 涂布性，优选为0.5~5.0质量％左右，更优选为1.0~3.0质量％左右。
[0196] 作为电荷传输性清漆的制备方法，并无特别限定，例如可列举出先使本发明的芳 基横酸化合物溶解于溶剂，向其中加入电荷传输性物质的方法;使本发明的芳基横酸化合 物和电荷传输性物质的混合物溶解于溶剂的方法。有多种有机溶剂的情况下，可W在将本 发明的芳基横酸、电荷传输性物质良好地溶解的溶剂中，首先使它们溶解，向其中加入其他 溶剂，也可在多种有机溶剂的混合溶剂中使本发明的芳基横酸、电荷传输性物质依次溶解， 或者使它们同时溶解。
[0197] 本发明中，对于电荷传输性清漆，从再现性良好地得到高平坦性薄膜的观点出发， 希望使包含本发明芳基横酸化合物的渗杂剂、电荷传输性物质等溶解于有机溶剂后，使用 亚微米级的过滤器等进行过滤。
[0198] 通过将本发明的电荷传输性清漆在基材上涂布、烧成，从而能够在基材上形成电 荷传输性薄膜。作为清漆的涂布方法，可列举出浸溃法、旋涂法、转印印刷法、漉涂法、毛刷 涂布、喷墨法、喷涂法、狭缝涂布等，但并不限定于运些。优选根据涂布方法来调节清漆的粘 度和表面张力。
[0199] 另外，本发明中，烧成不仅可W在大气气氛下进行，而且也可W在氮等非活性气 体、真空中进行，如果考虑再现性良好地得到具有均匀的成膜面和高电荷传输性的薄膜，优 选考虑使用的电荷传输性物质、溶剂的种类来确定。
[0200] 对电荷传输性薄膜的膜厚并无特别限定，用作有机化元件的空穴注入层的情况 下，优选5~200nm。作为使膜厚变化的方法，有使清漆中的固体成分浓度变化、或者使涂布 时的基板上的溶液量变化等的方法。
[0201] 本发明的电荷传输性薄膜在有机化元件中可W适合用作空穴注入层，但也可W作 为空穴注入传输层等电荷传输性功能层使用。
[0202] [有机EL元件]
[0203] 本发明的有机化元件具有一对电极，在运些电极之间具有上述的本发明的电荷传 输性薄膜。
[0204] 作为有机化元件的代表性的构成，可列举出下述(a)~(f)，但并不限定于运些。应 予说明，下述构成中，根据需要也可W在发光层与阳极之间设置电子阻挡层等，在发光层与 阴极之间设置空穴(空穴)阻挡层等。另外，空穴注入层、空穴传输层或空穴注入传输层可兼 具作为电子阻挡层等的功能，电子注入层、电子传输层或电子注入传输层可兼具作为空穴 (空穴)阻挡层等的功能。
[0205] (a)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
[0206] (b)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入传输层/阴极
[0207] (C)阳极/空穴注入传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
[0208] (d)阳极/空穴注入传输层/发光层/电子注入传输层/阴极
[0209] (e)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极
[0210] (f)阳极/空穴注入传输层/发光层/阴极
[0211] "空穴注入层"、"空穴传输层"和"空穴注入传输层"是在发光层与阳极之间形成的 层，具有将空穴从阳极传输到发光层的功能。在发光层与阳极之间只设置1层空穴传输性材 料的层的情况下，其为"空穴注入传输层"，在发光层与阳极之间设置2层W上的空穴传输性 材料的层的情况下，接近阳极的层为"空穴注入层"，其W外的层为"空穴传输层"。特别地， 空穴注入层和空穴注入传输层可使用不仅来自阳极的空穴接受性优异、而且分别向空穴传 输层和发光层的空穴注入性也优异的薄膜。
[0212] "电子注入层"、"电子传输层"和"电子注入传输层"为在发光层与阴极之间形成的 层，具有将电子从阴极传输到发光层的功能。在发光层与阴极之间只设置1层电子传输性材 料的层的情况下，其为"电子注入传输层"，在发光层与阴极之间设置了2层W上的电子传输 性材料的层的情况下，接近阴极的层为"电子注入层"，其W外的层为"电子传输层"。
[0213] "发光层"为具有发光功能的有机层，采用渗杂体系的情况下，含有主体材料和渗 杂剂材料。此时，主体材料主要具有促进电子与空穴的复合、将激子封闭在发光层内的功 能，渗杂剂材料具有使通过复合而得到的激子有效地发光的功能。憐光元件的情况下，主体 材料主要具有将由渗杂剂生成的激子封闭在发光层内的功能。
[0214] 作为使用本发明的电荷传输性清漆制作有机化元件时的使用材料、制作方法，可 列举出下述的使用材料、制作方法，但并不限定于运些。
[0215] 使用的电极基板优选通过预先进行采用洗剂、醇、纯水等的液体清洗而净化，例 如，对于阳极基板，优选在即将使用前进行UV臭氧处理、氧-等离子体处理等表面处理。不 过，阳极材料W有机物作为主成分的情况下，也可不进行表面处理。
[0216] 由本发明的电荷传输性清漆得到的薄膜为空穴注入层时的、本发明的有机化元件 的制作方法的一例如W下所述。
[0217] 采用上述的方法，在阳极基板上涂布本发明的电荷传输性清漆，烧成，在电极上形 成空穴注入层。在该空穴注入层上依次设置空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、 阴极。空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层可根据使用的材料的特性等，采用蒸 锻法或涂布法(湿法)的任一种形成。
[0218] 作为阳极材料，可列举出W铜锡氧化物（ITO)、铜锋氧化物（IZO)为代表的透明电 极、由W侣为代表的金属、它们的合金等构成的金属阳极，优选进行了平坦化处理的阳极材 料。也可W使用具有高电荷传输性的聚嚷吩衍生物、聚苯胺衍生物。
[0219] 再有，作为构成金属阳极的其他金属，可列举出筑、铁、饥、铭、儘、铁、钻、儀、铜、 锋、嫁、锭、错、妮、钢、钉、锭、钮、儒、铜、筑、铜、姉、错、钦、银、衫、館、礼、铺、铺、铁、巧、镑、 镜、给、巧、鹤、鍊、饿、银、销、金、铁、铅、祕、它们的合金等，但并不限定于运些。
[0220] 作为形成空穴传输层的材料，可列举出苯基胺)二聚体衍生物、[(=苯基胺)二 聚体]螺二聚体、N，N'-双(糞-1-基)-N，N'-双(苯基)-联苯胺(a-NPD)、N，N'-双(糞-2-基)- N，N'-双(苯基)-联苯胺、N，N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-双(苯基)-联苯胺、N，N'-双(3-甲基 苯基)-N，N'-双(苯基)-9,9-螺双巧、N，N'-双(糞-1-基)-N，N'-双(苯基)-9,9-螺双巧、N, N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-双(苯基)-9,9-二甲基-巧、N，N'-双(糞-1-基)-N，N'-双(苯基)- 9,9-二甲基-巧、N，N'-双（3-甲基苯基)-N，N'-双（苯基）-9,9-二苯基-巧、N，N'-双（糞-1- 基)-N，N'-双(苯基)-9,9-二苯基-巧、N，N'-双(糞-1-基)-N，N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联 苯胺、2,2'，7,7'-四（N，N-二苯基氨基)-9,9-螺双巧、9,9-双[4-(N，N-双-联苯-4-基-氨基） 苯基]-9H-巧、9，9-双[4-(N，N-双-糞-2-基-氨基)苯基]-9H-巧、9，9-双[4-(N-糞-1-基-N- 苯基氨基)-苯基]-9H-巧、2,2'，7,7'-四[N-糞基(苯基)-氨基]-9,9-螺双巧、N，N'-双（菲- 9-基)-N，N'-双(苯基)-联苯胺、2,2'-双[N，N-双(联苯-4-基)氨基]-9,9-螺双巧、2,2'-双 (N，N-二苯基氨基)-9,9-螺双巧、二-[4-(N，N-二(对-甲苯基)氨基)-苯基]环己烧、2,2'，7， 7'-四（N，N-二(对-甲苯基)氨基)-9,9-螺双巧、N，N，N'，N'-四-糞-2-基-联苯胺、N，N，N'， N'-四-(3-甲基苯基)-3,3'-二甲基联苯胺、N，N'-二(糞基)-N，N'-二(糞-2-基)-联苯胺、N, N，N'，N'-四樓基)-联苯胺、N，N'-二樓-2-基)-N，N'-二苯基联苯胺-1,4-二胺、n1，n4-二苯 基-Ni，n4-二（间-甲苯基）苯-1，4-二胺、护，护，妒，妒-四苯基糞-2，6-二胺、S (4-(哇嘟-8- 基)苯基)胺、2,2'-双(3-(N，N-二(对-甲苯基)氨基)苯基）联苯、4,4'，4"-S[3-甲基苯基 (苯基)氨基]S苯基胺(m-MTDATA)、4，4 '，4" -S [ 1 -糞基(苯基)氨基]S苯基胺（1-TNATA)等 S芳基胺类、5，5"-双-{4-[双(4-甲基苯基)氨基]苯基} -2，2 ' ： 5 '，2" -S联嚷吩(BMA-3T)等 低聚嚷吩类等空穴传输性低分子材料等。
[0221] 作为形成发光层的材料，可列举出=(8-径基哇嘟)侣（III) (Alqs)、双(8-径基哇 嘟)锋（II)(Znqs)、双(2-甲基-8-径基哇嘟)-4-(对-苯基苯酪)侣（III) (BAlq)、4,4'-双(2，2-二苯基乙締基）联苯、9,10-二（糞-S-基）蔥、2-叔-下基- 9,10-二（糞-S-基）蔥、2，7-双[9， 9-二(4-甲基苯基)-巧-2-基]-9,9-二(4-甲基苯基)巧、2-甲基-9,10-双（糞-2-基）蔥、2- (9，9-螺双巧-2-基)-9，9-螺双巧、2，7-双(9，9-螺双巧-2-基)-9，9-螺双巧、2-[ 9，9-二(4- 甲基苯基)-巧-2-基]-9,9-二(4-甲基苯基)巧、2,2'-二巧基-9,9-螺双巧、1，3,5-S(巧-1- 基）苯、9,9-双[4-(巧基）苯基]-9H-巧、2,2'-联(9,10-二苯基蔥）、2,7-二巧基-9,9-螺双 巧、1,4-二(巧-1-基)苯、1,3-二(巧-1-基)苯、6,13-二(联苯-4-基)并五苯、3,9-二(糞-2- 基)巧、3，10-二(糞-2-基)巧、^[4-(巧基)-苯基]胺、10，10'-二(联苯-4-基)-9,9'-联蔥、 N，N'-二（糞-1-基）-N，N'-二苯基-[1，1'：4'，1":4"，1"'-四联苯]-4,4"'-二胺、4,4'-二 [10-(糞-1-基）蔥-9-基]联苯、二苯并{[f，f']-4,4'，7,7'-四苯基}二巧并[l，2,3-cd:^， 2'，3'-lm]巧、1-(7-(9,9'-联蔥-10-基）-9,9-二甲基-9H-巧-2-基）巧、1-(7-(9,9'-联蔥- 10-基)-9，9-二己基-9H-巧-2-基）巧、1，3-双（巧挫-9-基）苯、1，3，5-S (巧挫-9-基）苯、4， 4'，4"-S(巧挫-9-基)S苯基胺、4,4'-双(巧挫-9-基)联苯化8?)、4,4'-双(巧挫-9-基)-2， 2'-二甲基联苯、2,7-双(巧挫-9-基)-9,9-二甲基巧、2,2'，7,7'-四（巧挫-9-基)-9,9-螺双 巧、2,7-双(巧挫-9-基)-9,9-二(对-甲苯基)巧、9,9-双[4-(巧挫-9-基)-苯基]巧、2,7-双 (巧挫-9-基）-9，9-螺双巧、1，4-双(S苯基甲娃烷基）苯、1，3-双(S苯基甲娃烷基）苯、双 (4-N，N-二乙基氨基-2-甲基苯基)-4-甲基苯基甲烧、2,7-双（巧挫-9-基)-9,9-二辛基巧、 4,4"-二(S苯基甲娃烷基)-对-S联苯、4,4'-二(S苯基甲娃烷基)联苯、9-(4-叔-下基苯 基)-3，6-双(S苯基甲娃烷基)-9H-巧挫、9-( 4-叔-下基苯基）-3，6-二(S苯甲基)-9H-巧 挫、9-(4-叔-下基苯基）-3,6-双（9-(4-甲氧基苯基）-9H-巧-9-基）-9H-巧挫、2,6-双（3- (9H-巧挫-9-基)苯基川比晚、S苯基(4-( 9-苯基-9H-巧-9-基)苯基)硅烷、9，9-二甲基-N，N- 二苯基-7-(4-(1-苯基-IH-苯并[d]咪挫-2-基）苯基)-9H-巧-2-胺、3,5-双(3-(9H-巧挫-9- 基)苯基）化晚、9,9-螺双巧-2-基-二苯基-氧化麟、9,9'-(5-(=苯基甲娃烷基)-1,3-亚苯 基）双(9H-巧挫）、3-(2，7-双（二苯基憐酷基)-9-苯基-9H-巧-9-基）-9-苯基-9H-巧挫、4，4， 8,8，12，12-六（对-甲苯基）-他-細-12护120氮杂二苯并^(1，皿]巧、4,7-二（細-巧挫-9- 基)-1,10-菲咯嘟、2,2'-双(4-(巧挫-9-基)苯基)联苯、2,8-双(二苯基憐酷基)二苯并[b, d ]嚷吩、双(2-甲基苯基)二苯基硅烷、双[3，5-二(9H-巧挫-9-基)苯基]二苯基硅烷、3，6-双 "卡挫-9-基）-9-(2-乙基-己基）-9H-巧挫、3-(二苯基憐酷基）-9-(4-(二苯基憐酷基）苯 基)-9H-巧挫、3,6-双[(3,5-二苯基)苯基]-9-苯基巧挫等。可通过将运些材料和发光性渗 杂剂进行共蒸锻而形成发光层。
[0222]作为发光性渗杂剂，可列举出3-(2-苯并嚷挫基)-7-(二乙基氨基)香豆素、2,3,6， 7-四氨-1，1，7,7-四甲基-1H，甜，llH-10-(2-苯并嚷挫基）哇嗦并[9,9a，lgh]香豆素、哇叮 晚酬、N，N'-二甲基-哇叮晚酬、S(2-苯基化晚)银（III)(Ir(ppy)3)、双(2-苯基化晚）（乙酷 丙酬）银aiI)(Ir(PPy)2(acac))、^[2-(对-甲苯基）邮晚]银ail)(lr(mppy)3)、9，10-双 [N，N-二(对-甲苯基)氨基]蔥、9,10-双[苯基（间-甲苯基)氨基]蔥、双[2-(2-?基苯基）苯 并嚷挫]锋（II)、NW，NW，NW，N心四（对-甲苯基)-9,9'-联蔥-10，10'-二胺、NW，NW，NW，NW- 四苯基-9,9'-联蔥-10，10'-二胺、Nlo，NlO-二苯基-Nlo，NlO-二糞基-9,9'-联蔥-10，10'-二 胺、4,4'-双(9-乙基-3-巧挫亚乙締基）-l，r-联苯、巧、2,5,8，11-四-叔-下基巧、1，4-双 [2-(3-N-乙基巧挫基）乙締基]苯、4,4'-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙締基]联苯、4-(二- 对-甲苯基氨基)-4'-[(二-对-甲苯基氨基）苯乙締基]均二苯乙締、双[3,5-二氣-2-(2-化 晚基）苯基-(2-簇基化晚基）]银（III)、4,4'-双[4-(二苯基氨基)苯乙締基]联苯、双(2,4- 二氣苯基化晚）四（1-化挫基)棚酸银（III)、N，N'-双(糞-2-基)-N，N'-双(苯基)-S(9,9-二 甲基亚巧基）、2,7-双{2-[苯基（间-甲苯基)氨基]-9,9-二甲基-巧-7-基}-9,9-二甲基-巧、 N-(4-((E)-2-(6((E)-4-(二苯基氨基）苯乙締基）糞-2-基）乙締基）苯基)-N-苯基苯胺、 fac-银（III)S( 1-苯基-3-甲基苯并咪挫嘟-2-亚基-C，C2)、mer-银（III)S( 1-苯基-3-甲 基苯并咪挫嘟-2-亚基-C，C2)、2,7-双[4-(二苯基氨基)苯乙締基]-9,9-螺双巧、6-甲基-2- (4-(9-(4-(6-甲基苯并[d]嚷挫-2-基)苯基）蔥-10-基)苯基)苯并[d]嚷挫、1,4-二[4-(N， N-二苯基)氨基]苯乙締基苯、1,4-双(4-(9H-巧挫-9-基)苯乙締基)苯、化)-6-(4-(二苯基 氨基）苯乙締基)-N，N-二苯基糞-2-胺、双(2,4-二氣苯基化晚）（5-(化晚-2-基)-lH-四挫） 银(III)、双(3-S氣甲基-5-(2-化晚基)邮挫）（（2,4-二氣苄基仁苯基次憐酸醋)银（III)、 双（3-S氣甲基-5-(2-化晚基）化挫）（苄基二苯基次憐酸醋）银（III)、双（1-(2,4-二氣节 基)-3-甲基苯并咪挫鐵）（3-(S氣甲基)-5-(2-化晚基)-1，2，4-S挫）银（III)、双(3-S氣 甲基-5-(2-化晚基川比挫特）（4'，6'-二氣苯基化晚)银（III)、双(4'，6'-二氣苯基化晚）（3， 5-双(S氣甲基）-2-(2'-化晚基）化咯）银（III)、双(4'，6'-二氣苯基化晚合）（3-(S氣甲 基）-5-(2-化晚基）-l，2,4-S挫）银（III)、（Z)-6-均S甲苯基-N-(6-均S甲苯基哇嘟-2 (IH)-亚基）哇嘟-2-胺-BF2、（E)-2-(2-(4-(二甲基氨基）苯乙締基）-6-甲基-4H-化喃-4-亚 基俩二腊、4-(二氯基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-締基-4H-化喃、4-(二氯基亚甲 基)-2-甲基-6-(l，l，7,7-四甲基久洛尼定基-9-締基)-4H-化喃、4-(二氯基亚甲基)-2-叔- 下基-6-a，l，7,7-四甲基久洛尼定-4-基-乙締基)-4H-化喃、S(二苯甲酯基甲烧)菲咯嘟 館（III)、5,6,11,12-四苯基并四苯、双(2-苯并[b]嚷吩-2-基-化晚）（乙酷丙酬)银（III)、 SQ-苯基异哇嘟）银（III)、双（1-苯基异哇嘟）（乙酷丙酬）银（III)、双[1-(9,9-二甲基- 9H-巧-2-基)-异哇嘟](乙酷丙酬)银(III)、双[2-(9，9-二甲基-9H-巧-2-基)哇嘟](乙酷丙 酬)银(111)、^[4,4'-二-叔-下基-(2,2'）-联化晚]钉（111)*双(六氣憐酸盐）、^(2-苯基 哇嘟)银（III)、双(2-苯基哇嘟）（乙酷丙酬)银（III)、2,8-二-叔-下基-5,11-双(4-叔-下基 苯基)-6,12-二苯基并四苯、双(2-苯基苯并嚷挫）（乙酷丙酬)银(III)、5,10,15,20-四苯基 四苯并化嘟销、饿（II)双（3-S氣甲基-5-(2-化晚）-化挫特）二甲基苯基麟、饿（II)双（3- (S氣甲基)-5-(4-叔-下基化晚基)-l，2,4-S挫）二苯基甲基麟、饿（II)双(3-(S氣甲基)- 5-(2-化晚基）-l，2,4-S挫）二甲基苯基麟、饿（II)双（3-(S氣甲基）-5-(4-叔-下基化晚 基)-l，2,4-S挫）二甲基苯基麟、双[2-(4-正-己基苯基)哇嘟](乙酷丙酬)银（III)、S[2- (4-正-己基苯基) 哇嘟] 银 （III)、S[2-苯基-4-甲基哇嘟] 银 （III)、双 (2-苯基哇嘟 ）（2-(3- 甲基苯基)邮晚)银（111)、双(2-(9,9-二乙基-巧-2-基)-1-苯基-IH-苯并[d]咪挫）（乙酷丙 酬）银（III)、双（2-苯基化晚）（3-(化晚-2-基)-2H-色締-2-酬）银（III)、双（2-苯基哇嘟） (2,2,6,6-四甲基庚烧-3,5-二酬)银（III)、双(苯基异哇嘟）（2,2,6,6-四甲基庚烧-3,5-二 酬）银（III)、双(4-苯基嚷吩并[3,2-c]化晚合-N，C2)乙酷丙酬银（III)、化)-2-(2-叔-下 基-6-( 2-( 2，6，6-S 甲基-2，4，5，6-四氨-IH-化咯并[3，2，1-i j ]哇嘟-8-基）乙締基)-4H-化 喃-4-亚基)丙二腊、双（3-S氣甲基-5-(1-异哇嘟基）化挫）（甲基二苯基麟)钉、双[(4-正- 己基苯基）异哇嘟](乙酷丙酬）银（III)、八乙基化吩销（II)、双（2-甲基二苯并[f，h]哇喔 嘟）（乙酷丙酬)银(III)、S[(4-正-己基苯基)异哇嘟]银(III)等。
[0223]作为形成电子传输层的材料，可列举出8-径基哇嘟酪-裡（lithium8- hyhowquinolinate)、2，2 '，2"-( 1，3，5-苯S基）-S( 1-苯基-I-H-苯并咪挫）（2，2 '，2"- (1,3,5-benzinetriyl)-tris(l-phenyl-1-H-benzimi dazole))、2-(4-耳关苯）5-(4-叔-下 基苯基)-1,3，4-曝二蜂、2，9-二甲基-4，7-二苯基-I，10-菲咯嘟、4,7-二苯基-I，10-菲咯 嘟、双（2-甲基-8-?基哇嘟)-4-(苯基苯酪)侣、I，3-双[2-(2,2联化晚-6-基)-1,3,4-嗯 二挫-5-基]苯、6,6'-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-嗯二挫-2-基]-2,2'-联化晚、3-(4-联苯)- 4-苯基-5-叔-下基苯基-1，2，4-S挫、4-(糞-1-基）-3，5-二苯基-4H-1，2，4-S挫、2，9-双 (糞-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯嘟、2,7-双[2-(2,2'-联化晚-6-基)-1,3,4-嗯二挫-5- 基]-9,9-二甲基巧、1,3-双[2-(4-叔-下基苯基)-1,3,4-嗯二挫-5-基]苯、S(2,4,6-S甲 基-3-(化晚-3-基)苯基）棚烧、1-甲基-2-(4-(糞-2-基)苯基)-lH-咪挫并[4,5。[1，10]菲 咯嘟、2-(糞-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯嘟、苯基-二巧基氧化麟、3,3'，5,5'-四[Q1H比 晚基)-苯-3-基]联苯、1，3，5-S [ (3-化晚基)-苯-3-基]苯、4，4 ' -双(4，6-二苯基-1，3，5-S 嗦-2-基)联苯、1，3-双[3，5-二(化晚-3-基)苯基]苯、双（10-径基苯并比]哇嘟)被、二苯基 双(4-(化晚-3-基)苯基)硅烷、3,5-二(巧-1-基川比晚等。
[0224] 作为形成电子注入层的材料，可列举出氧化裡化i2〇)、氧化儀（MgO)、氧化侣 (Al2〇3)、氣化裡化iF)、氣化钢(化F)、氣化儀(M评2)、氣化飽(CsF)、氣化锁(5巧2)三氧化钢 (Mo化）、侣、乙酷丙酬裡化i(acac))、醋酸裡、苯甲酸裡等。
[0225] 作为阴极材料，可列举出侣、儀-银合金、侣-裡合金、裡、钢、钟、飽等。
[0226] 另外，由本发明的电荷传输性清漆得到的薄膜为空穴注入层的情形的、本发明的 有机化元件的制作方法的其他实例如W下所述。
[0227] 上述的化元件制作方法中，通过代替进行空穴传输层、发光层、电子传输层、电子 注入层的真空蒸锻操作而依次形成空穴传输层、发光层，能够制作具有由本发明的电荷传 输性清漆形成的电荷传输性薄膜的有机化元件。具体地，在阳极基板上涂布本发明的电荷 传输性清漆，采用上述的方法制作空穴注入层，在其上依次形成空穴传输层、发光层，进而 蒸锻阴极电极，制成有机化元件。
[0228] 作为使用的阴极和阳极材料，可W使用与上述的材料同样的材料，可W进行同样 的清洗处理、表面处理。
[0229] 作为空穴传输层和发光层的形成方法，可列举下述方法:通过在空穴传输性高分 子材料或发光性高分子材料、或者在它们中加入了渗杂剂的材料中加入溶剂而溶解，或者 均匀地分散，分别在空穴注入层或空穴传输层上涂布后，进行烧成，从而成膜。
[0230] 作为空穴传输性高分子材料，可列举出聚[(9,9-二己基巧基-2,7-二基)-共-(N， N'-双{对-下基苯基}-1，4-二氨基亚苯基）]、聚[(9,9-二辛基巧基-2,7-二基)-共-(N，N'- 双{对-下基苯基} -1，1' -亚联苯基-4，4-二胺）]、聚[(9，9-双{1' -戊締-5 ' -基}巧基-2，7-二 基)-共-(N，N'-双{对-下基苯基}-1，4-二氨基亚苯基）]、用聚娃倍半氧烧封端的聚[N，N'- 双(4-下基苯基)-N，N'-双(苯基)-联苯胺]、聚[(9,9-二辛基巧基-2,7-二基)-共-(4,4'- (N-(对-下基苯基））二苯基胺）]等。
[0231] 作为发光性高分子材料，可列举出聚(9,9-二烷基巧KPDAF)等聚巧衍生物、聚(2- 甲氧基-5-(2乙基己氧基）-1,4-亚苯基亚乙締基）（MEH-PPV)等聚亚苯基亚乙締基衍生 物、聚(3-烷基嚷吩）(PAT)等聚嚷吩衍生物、聚乙締基巧挫(PVCz)等。
[0232] 作为溶剂，可列举出甲苯、二甲苯、氯仿等。作为溶解或均匀分散法，可列举出揽 拌、加热揽拌、超声波分散等方法。
[0233] 作为涂布方法，并无特别限定，可列举出喷墨法、喷涂法、浸溃法、旋涂法、转印印 刷法、漉涂法、毛刷涂布等。再有，涂布优选在氮、氣等非活性气体下进行。
[0234] 作为烧成方法，可列举在非活性气体下或真空中、用烘箱或热板进行加热的方法。
[0235] 由本发明的电荷传输性清漆得到的薄膜为空穴注入传输层时的、本发明的有机化 元件的制作方法的一例如W下所述。
[0236] 在阳极基板上形成空穴注入传输层，在该空穴注入传输层上依次设置发光层、电 子传输层、电子注入层、阴极。作为发光层、电子传输层和电子注入层的形成方法和具体例， 可列举出与上述的方法同样的方法。
[0237] 作为阳极材料、形成发光层、发光性渗杂剂、电子传输层和电子阻挡层的材料、阴 极材料，可列举出与上述的材料同样的材料。
[0238] 应予说明，在电极和上述各层之间的任意之间，根据需要可设置空穴阻挡层、电子 阻挡层等。例如，作为形成电子阻挡层的材料，可列举出=(苯基化挫)银等。
[0239] 构成阳极和阴极W及在它们之间形成的层的材料，由于因制造具备底部发射结 构、顶部发射结构的哪一种结构的元件而异，因此考虑运点适当地选择材料。
[0240] 通常，对于底部发射结构的元件，在基板侧使用透明阳极，从基板侧将光取出，对 于顶部发射结构的元件，使用由金属构成的反射阳极，从位于基板的相反方向的透明电极 (阴极)侧将光取出。因此，例如，就阳极材料而言，制造底部发射结构的元件时使用口 0等的 透明阳极，制造顶部发射结构的元件时使用AVNd等的反射阳极。
[0241] 本发明的有机化元件，为了防止特性恶化，可按照常规方法，根据需要与捕水剂等 一起进行密封。
[0242] 实施例
[0243] W下列举实施例对本发明更具体地说明，但本发明并不限定于下述的实施例。应 予说明，使用的装置如W下所述。
[0244] (1 )1h-NMR: /呵7シ制造、高分辨率核磁共振装置
[0245] (2)基板清洗:长州产业(株)制造、基板清洗装置(减压等离子体方式）
[0246] (3)清漆的涂布:S力哥(株)制造、旋涂器MS-Al 00
[0247] (4)膜厚测定：（株)小坂研究所制造、微细形状测定机哥一7 3-夕''ET-4000
[0248] (5化L元件的制作:长州产业(株)制造、多功能蒸锻装置系统C-E化IGl-N
[0249] (6化L元件的亮度等的测定：（有)テッ夕?口一瓜K制造、I-V-L测定系统
[0250] [1]化合物的合成 [0巧^ [实施例1-1]
[0 巧 2] 「'I'。一
[0 巧 3;
[0254] 在SOOmL烧瓶内装入8-径基-I，3，6-^S横酸立钢5. OOg、全氣联苯1.08g、碳酸钟 1.33g和N，N-二甲基咪挫嘟酬250mL，氮置换后，将其混合物在100°C下加热揽拌20小时。
[0255] 揽拌结束后将反应混合物冷却，通过过滤将碳酸钟的残渣除去。从得到的滤液在 减压下将溶剂馈除，使得到的残渣溶解于N，N-二甲基甲酯胺IOOmL中。然后，保持在对甲苯 300mL进行揽拌的状态，向其中缓慢地滴入得到的溶液，滴入后进一步揽拌30分钟。
[0256] 揽拌结束后，将得到的悬浊液过滤，将得到的滤物用甲醇SOmL清洗。然后，使清洗 过的滤物溶解于水60mL中，使用得到的溶液进行采用阳离子交换树脂クク工ッ夕乂650(：化 型约200mL、馈除溶剂:水)的柱色谱。
[0257] 最后在减压下将溶剂馈除，将得到的固体在减压下充分干燥，得到了目标的芳基 横酸化合物A(收量2.1 Ig)。W下示出Ih-NMR的测定结果。
[0巧引 Ih-醒R(400MHz，DMS0-d6) S [ppm]: 8.99-9.03 (m，6H)，8.86 (d，J = 10 . OHz，2H)， 8.：M(d J = 9.細z，2H)，8.18(s，2H)
[0259][实施例1-2]
[0260] 「化 231
[0261]
惦创在1，OOOmL烧瓶内装入8-径基-1，3，6-巧S横酸S钢10.0 g、全氣甲苯4.95g、碳酸 钟2.90g、和N，N-二甲基甲酯胺SOOmL，氮置换后，在100°C下将该混合物加热揽拌7小时。
[0263] 揽拌结束后，将反应混合物冷却，通过过滤将碳酸钟的残渣除去。接下来，从得到 的滤液在减压下尽可能将溶剂馈除后，使得到的粗物溶解于水IOOmL中。然后，使用得到的 溶液进行了采用阳离子交换树脂歹。工'；/夕乂650(：化型约200mL、馈除溶剂:水)的柱色谱。
[0264] 最后在减压下将溶剂馈除，将得到的固体在减压下充分干燥，得到了目标的芳基 横酸化合物B(收量8.76g)。W下示出Ih-NMR的测定结果。
[02化]Ih-醒R(400MHz，DMS0-d6)S [ppm]: 9.30(d，J = 9.細Z，1H)，9.15-9.08(m，3H)，8.50 (d，J = 9.細z，lH)，8.12(s，lH)
[0266] [2]电荷传输性清漆的制备
[0267] [实施例
[0268] 使按照Bulletin of 化emical Society of 化pan、1994年、第67卷、第 1749-1752 页中记载的方法合成的由式(g)表示的苯胺衍生物1 〇.151g和芳基横酸A 0.277g溶解于1， 3-二甲基-2-咪挫嘟酬(DMI)ISg中。向其中加入环己醇(CHA)3g和丙二醇(PG)3g，进行揽拌， 得到了电荷传输性清漆。
[0269] [化 24]
[0270]
嫌
[0271] [实施例2-2]
[0272] 使苯胺衍生物1 0.071g和芳基横酸A 0.129g溶解于DMI 7g。向其中加入CHA 1.4g 和PG 1.4g，进行揽拌，进而向其中加入3,3,3-二氣丙基二甲氧基硅烷0.007g和苯基二甲氧 基硅烷0.013g，进行揽拌，得到了电荷传输性清漆。
[0273] [实施例2-3]
[0274] 使按照国际公开第2013/084664号中记载的方法合成的由式(f)表示的苯胺衍生 物2 0.155g和芳基横酸A 0.274g溶解于DMI 15g。向其中加入CHA 3g和PG 3g，进行揽拌，得 到了电荷传输性清漆。
[0275] [化 25]
[0276] 淡
[0277] L 大拠 '口!]^_4」
[0278] 使苯胺衍生物2 0.072g和芳基横酸A 0.128g溶解于DMI 7g中。向其中加入CHA 1.4g和PG 1.4g进行揽拌，进而向其中加入3，3，3-S氣丙基S甲氧基硅烷0.007g和苯基S 甲氧基硅烷0.013g，揽拌，得到了电荷传输性清漆。
[02巧][实施例2-引
[0280] 使苯胺衍生物1 O.ieig和芳基横酸B 0.329g溶解于DMI 8g。向其中加入CHA 12g 和PG 4g进行揽拌，得到了电荷传输性清漆。
[0281] [实施例2-6]
[0282] 使苯胺衍生物1 0.066g和芳基横酸B 0.134g溶解于DMI 3.3g。向其中加入CHA 4.9g和PG 1.6g进行揽拌，进而向其中加入3，3，3-S氣丙基S甲氧基硅烷0.007g和苯基S 甲氧基硅烷0.013g进行揽拌，得到了电荷传输性清漆。
[0283] [ 3 ]有机EL元件的制造和特性评价
[0284] [实施例 3_U
[0285] 使用旋涂器将实施例2-1中得到的清漆涂布于口 0基板后，在80°C下干燥1分钟，进 而，在大气气氛下、230°C下烧成15分钟，在口 0基板上形成了 30nm的均一的薄膜。作为口 0基 板，使用在表面上W膜厚150皿将铜锡氧化物（ITO)图案化的25mm X 25mm X 0.71的玻璃基板 (W下简写为ITO基板），使用前采用化等离子体清洗装置（150W、30秒)将表面上的杂质除 去。
[0286] 接下来，对于形成了薄膜的ITO基板，使用蒸锻装置(真空度1.OX I(T5Pa)将N，N'- 二（1-糞基)-N，N'-二苯基联苯胺(a-NPD)、S(8-^基哇嘟)侣（III)(Alq3)、氣化裡和侣的 薄膜依次层叠，得到了有机化元件。此时，就蒸锻速率而言，对于Q-NPD、Alqs和侣，在0.2nm/ 秒的条件下进行，对于氣化裡，在0. 〇2nm/秒的条件下进行，使膜厚分别为30nm、40nm、0.5nm 和120nm。
[0287] 应予说明，为了防止空气中的氧、水等的影响引起的特性劣化，利用密封基板将有 机EL元件密封后，对其特性进行了评价。密封按照W下的步骤进行。
[0288] 在氧浓度化pmW下、露点-85°C W下的氮气氛中，将有机化元件收纳在密封基板之 间，利用粘接材料（（株)M0RESC0制造、子レス3子斗乂予中一力外WB90US(P))将密封基板 贴合。此时，将捕水剂（歹^二'；/夕（株)制造、HD-071010W-40)与有机化元件一起收纳于密封 基板内。
[0289] 对于贴合的密封基板，照射UV光(波长:365皿、照射量:6，OOOmJ/cm2)后，在80°C下 退火处理1小时，使粘接材料固化。
[0巧0][实施例3_2~3_6]
[0291] 除了代替实施例2-1中得到的清漆而分别使用了实施例2-2~2-6中得到的清漆W 外，采用与实施例3-1同样的方法制造了有机化元件。
[0292] 对于运些元件，测定了驱动电压5V下的电流密度、亮度和电流效率。将结果示于表 Io
[0 巧 3][表 1] 「noo/il
[02M]如表1中所示那样，通过使用本发明的电荷传输性薄膜作为空穴注入层，从而得到 了具有优异的亮度特性的有机化元件。
【主权项】
1. 由式(AI)或(A2)表示的芳基磺酸化合物： Ar1-O-L L-O-Ar2-O-L (Al) (A2) 式中，Ar1表示被m个Zt3取代且被氟原子取代的碳数6~20的1价的芳香族基团，Ar 2表示 被m个Zt3取代且被氟原子取代的碳数6~20的2价的芳香族基团， L表示由式(Pl)表示的基团， Zt3表示氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基或可被氟原子取代的碳数1~10的烷基、或可 被氟原子取代的碳数2~10的烯基， m表示0~2的整数，式中，η表示1~4的整数。2. 掺杂剂，其包含权利要求1所述的芳基磺酸化合物。3. 电荷传输性清漆，其包含权利要求2所述的掺杂剂、电荷传输性物质和有机溶剂。4. 电荷传输性薄膜，其使用权利要求3所述的电荷传输性清漆来制作。5. 有机电致发光元件，其具有权利要求4所述的电荷传输性薄膜。6. 电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，使用权利要求3所述的电荷传输性清漆。7. 有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，使用权利要求3所述的电荷传输性清 漆。8. 权利要求1所述的芳基磺酸化合物的制造方法，其特征在于，使由式(Hl)表示的羟基 芘化合物与由式(Fl)或(F2)表示的卤代芳基化合物反应，得到由式(ΑΓ)或(Α2'）表示的芳 基磺酸盐，对该盐进行离子交换处理， L7-O-H X-Ar1 X-Ar2-X Ar1-O-L7 L7-O-Ar2-O-L7 (HI) (Fl) (F2) (Al 7) (A27) 式中，X表示卤素原子，1/表示由式(PV)表示的基团，Ar1和Ar2表示与上述相同的含义，式中，M表不碱金属原子，η表不与上述相同的含义。
【文档编号】H01L51/50GK105934426SQ201580006142
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2015年1月29日
【发明人】中家直树
【申请人】日产化学工业株式会社