一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔板层压基板材料的粘合剂及其制备方法

文档序号:8217870阅读:167来源:国知局
一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔板层压基板材料的粘合剂及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于电子信息技术领域,涉及一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压 基板材料的粘合剂及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 随着当下先进电子设备和技术的发展,终端客户对云端运算和无线网路的需求迅 猛增加,造成高频通讯产品的需求大大提升。通讯领域各种电子设备需求突飞猛进,计算 机、智能手机、平板电脑等消费电子迅速普及,据有关方面调查研宄统计:未来几年全球数 据中心全球数据中心流量将增加四倍,云计算领域流量增加六倍。信息通信设备领域,近年 全球数据交换流量以每年平均210%的速度递增,呈爆炸式增长,从2010年到2014年数据 量增加了 16倍。手机基站设备及有线通信设备为典型代表的通讯设备大幅度增加。据统 计,到2013年手机基站设备台数已达到185万套,有线通信设备(OPT)达到135万套,往后 几年还将以年均约110%的速度增长。数据处理设备爆炸式的增长,推动了通讯设备用PCB 市场的扩大及其对高速传输、低损耗性能要求的提高。上游材料决定PCB最终产品的性能。 生产高速PCB极仰赖于低损耗基材的开发。为满足近年全球信息技术向数字化、网络化飞 速发展所带来的超大容量信息传输,超快速、超高密度信息处理的硬性需求,各类不同特色 的高速化覆铜板成为业界技术开发的热门。
[0003] 然而无卤化的浪潮在这类基材的开发中推波助澜,引领了其中最主流的方向,这 既是因为电子产品环保无卤化的理念深入人心,为免去世界环保热情的高涨中遭人诟病的 后顾之忧;还因为较之高频领域的高额投入与利润回报,无卤化的成本压力不再十分耀眼; 更是因为终端电子厂商的强势推动。目前行业内所应用的低介电型材料基本的开发方向多 采用聚四氟乙烯树脂、双马来酰亚胺树脂、热固性聚苯醚树脂、氰酸脂树脂、聚酰亚胺等等, 但在无卤环保、阻燃性、吸水性、介电性能、加工性、价格等关键点上存在着各种各样难以平 衡的问题。

【发明内容】

[0004] 本发明的目的之一在于提供一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料 的粘合剂。本发明提出的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,可涂覆 上胶于玻璃纤维布之上,用于生产覆铜箔板。其性能优越,具有Tg高、吸水率低、介电常数 低、介质损耗低、耐热性好、流动性佳、加工性好的特点。
[0005] 本发明的目的之一在于提供一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料 的粘合剂的制备方法。
[0006] 为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案如下:
[0007] -种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其按组分按质量 份额计如下:
[0008]
【主权项】
1. 一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其组分按质量份额 计如下: (A) 苯乙烯-甲基纳迪克酸酐 10-60份; (B) 低介电环氧树脂 10?60份; (C) 苯并噁嗪树脂 10?45份; (D) 含磷阻燃剂 2?15份; (E) 高成球型二氧化桂 10?55份; (F) 咪唑类促进剂 0 05?5.0份; (G) 硅烷 0.05?5.0份; (H) 有机溶剂 5?50份。
2. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其特 征在于,所述苯乙烯-甲基纳迪克酸酐的重均分子量在2000?50000。
3. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其特 征在于,所述苯乙烯-甲基纳迪克酸酐的重均分子量在2000-15000。
4. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其特 征在于,所述低介电环氧树脂为联苯型环氧树脂、奈环型环氧树脂、聚苯醚型环氧树脂、双 环戊二烯型环氧树脂中的一种或多种混合。
5. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其特 征在于,所述改性苯并噁嗪树脂为双环戊二烯型苯并恶嗪、聚苯醚型苯并恶嗪、4, 4' -二氨 基二苯基甲烷型苯并恶嗪中的一种或多种混合。
6. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其特 征在于,所述含磷阻燃剂为一种磷含量15% -20%为磷酸基铵盐与苯氧基磷腈的混合物。
7. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其特 征在于,所述高成球型二氧化娃为一种微细球形二氧化娃,其平均粒径为0. 5 μ m,最大粒径 不超过24 μ m,纯度在99. 0 %以上。
8. 如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其特 征在于,所述有机溶剂选自酮类溶剂或醚类溶剂。
9. 权利要求1至8任一项权利要求所述的一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压 基板材料的粘合剂的制备方法,其包括如下步骤: (1) 按配方量在搅拌槽内加入有机溶剂,开启搅拌器,转速500-1500转/分,保持持续 搅拌并控制槽体温度在20-50°C,加入磷系阻燃剂,添加完毕后持续搅拌10-60分钟,再加 入硅烷及高成球型二氧化硅,添加完毕后持续搅拌10-60分钟; (2) 在搅拌槽内按配方量依次加入苯乙烯-甲基纳迪克酸酐、改性苯并噁嗪树脂、改性 无卤环氧树脂,加料过程中保持以1000-1500转/分转速搅拌,添加完毕后开启高效剪切及 乳化1-6小时,同时进行冷却水循环以保持控制槽体温度在20-50°C ; (3) 按配方量称取咪唑类促进剂,用适量有机溶剂完全溶解后,将该溶液加入搅拌槽 内,并持续保持1000-1500转/分搅拌4-13小时,即制得粘合剂。
【专利摘要】本发明公开的一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂,其组分按质量份额计如下:(A)苯乙烯-甲基纳迪克酸酐10-60份;(B)低介电环氧树脂10-60份;(C)苯并噁嗪树脂10-45份;(D)含磷阻燃剂2-15份;(E)高成球型二氧化硅10-55份;(F)咪唑类促进剂0.05-5.0份;(G)硅烷0.05-5.0份;(H)有机溶剂5-50份。本发明还公开了该粘合剂的制备方法。使用本发明的粘合剂制得的覆铜箔板TG≥170℃,具有优异的介电性能和耐热性能,无卤环保,阻燃达到UL94 V-0级别,且具有较低的吸水率和热膨胀系数以及良好的加工性能。
【IPC分类】C09J125-08, C09J11-04, C09J179-04, C09J11-06, C09J163-00
【公开号】CN104531008
【申请号】CN201410835417
【发明人】粟俊华, 况小军, 席奎东, 包秀银, 张东, 包欣洋
【申请人】上海南亚覆铜箔板有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月23日
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