以借助磁或机械搅拌。
[0081] 可在任何合适的温度下进行本发明的方法。例如，可在低于室温，在室温或者高于 室温的温度下进行该方法。在一些实施方案中，该温度可以是约25 °C，或30,40, 50,60, 70， 75,80,90或100°C。在其他实施方案中，可加热该反应混合物到至少约50°C。在一些其他 实施方案中，可加热该反应混合物到至少约75°C。其他温度是本发明的方法中是有用的，且 被本领域技术人员意识到。
[0082] 可进行本发明的方法任何合适的时间段。例如，可进行该方法10分钟，15, 20, 25， 30,45,或60分钟，以及1小时，2, 3,4, 5或更多小时。在一些实施方案中，可进行混合至少 约30分钟。在其他实施方案中，可进行混合至少约1小时。在一些其他实施方案中，可进 行混合至少约2小时。
[0083] 可在任何合适的压力下进行本发明的方法。例如，该压力可以是在大约大气压下， 低于大气压或者高于大气压。大气压定义为约14. 71bs·in2(psi)，约101千帕（kPa)和 约lbar。在一些实施方案中，可在大约大气压下进行该混合。
[0084] 可在本发明的方法中使用任何合适的氛围。例如，该氛围可以是惰性氛围或者 非-惰性氛围。惰性氛围可尤其由诸如氮气或氩气之类的气体提供。非-惰性氛围包括在 海平面处的氛围。在一些实施方案中，该氛围是惰性氛围。其他氛围在本发明的方法中是 有用的。
[0085] 可在任何合适的光条件下进行本发明的方法。例如，可在暗处，在其中排除特定波 长的有限的光条件下，或者在没有任何预防措施来排除光的情况下进行该方法。 IV.实施例
[0086] 实施例1.GP-988和绿色纳米晶体糊剂
[0087] 在壳合成之后，在2x体积乙醇中洗涤甲苯纳米晶体溶液，其中该纳米晶体 沉淀，并使用离心，沉降成压实的饼状物。然后从湿饼中滗析掉洗涤溶剂，然后在 交换中使用糊状饼。对于QD合成和成壳的参考文献来说，参见Alivisatos，A.P.， ''Semiconductorclusters,nanocrystals,andquantumdots,''Science271:933 (1996)； X.Peng，M.Schlamp，A.Kadavanich，A.P.Alivisatos，"Epitaxialgrowthofhighly luminescentCdSe/CdSCore/Shellnanocrystalswithphotostabilityandelectronic accessibility, "J.Am.Chem.Soc. 30:7019-7029(1997);和C.B.Murray，D.J.Nor;ris， M.G.Bawendi,"SynthesisandcharacterizationofnearlymonodisperseCdE(E =sulfur,selenium,tellurium)semiconductornanocrystallites,v].Am.Chem. Soc. 115:8706 (1993)，X.Peng等，J.Am.Chem.Soc. 30:7019-7029 (1997)。
[0088] 将1. 5gGP-988加入到绿色纳米晶体糊剂（来自15mL洗涤过的纳米晶体，滗析掉 它的洗涤溶剂）中，用刮刀，然后用搅拌棒充分地搅拌，同时经2小时加热到90°C。冷却该 溶液到室温并滗析到另一小瓶中。对于绿色的纳米晶体糊剂来说，典型的重量比为在8. 0g GP988内0. 8g糊剂，和对于红色的纳米晶体糊剂来说，为在6. 0gGP988内0. 12g糊剂。在 用于溶剂交换的材料规格中，交换的绿色聚合物323-13E的量子产率测量结果为86. 8%， 和红色聚合物323-013F为87. 2%。采用以上的绿色聚合物和红色聚合物制造的膜在胺固 化的环氧树脂（Epic91)内混合，和热固化，在加速测试平台（灯箱III)上显示出280h的 寿命，这在标准溶剂加工的材料膜的范围内。
[0089] 可基于纳米晶体糊剂（NC)比配体聚合物的量来改变最终的光学密度（0D)。0D是 在460nm下，在固定路径长度（通常lcm)下的吸光度。在洗涤之前测量NC生长溶液的0D， 并用于通过下述关系式来计算在交换中所使用的聚合物量：VX0D=VX0D。在洗涤之 前的生长溶液典型地为8-200D。最终的硅氧烷聚合物材料的所需0D范围可以是30-800D。 因此，洗涤l〇〇〇mL120D生长溶液，通过离心压实，并滗析成湿饼糊剂。所得糊剂量通常为 约0. 5-5. 0%洗涤之前的起始NC溶液体积。若所需的最终0D为约50,则将在交换中使用 240mLGP988 (1000X12 = 240X50)。在洗涤和交换中常常存在一些损失，因此典型地目标是 较高的0D，然后可随后用配体聚合物稀释成所需的最终0D。
[0090] 也可同样将QD糊剂加入到GP988流体中（添加顺序可以颠倒），取决于可用的分 配和混合装置，这可以是优选的。
[0091] 实施例2.GP-988和红色纳米晶体糊剂
[0092] 将2. 25gGP-988加入到红色纳米晶体糊剂（来自15ml洗涤过的纳米晶体，滗析 掉它的洗涤溶剂）中，用刮刀，然后用搅拌棒充分地搅拌，同时经2小时加热到90°C。冷却 该溶液到室温并滗析到另一小瓶中。
[0093] 实施例3.制备纳米晶体膜
[0094] 由在环氧树脂Epic91中的实施例1的绿色浓缩物和实施例2的红色浓缩物制造 膜。加速可靠度试验表明与P〇RESH膜类似的稳定性，具体地，在加速测试平台（灯箱III) 上275h的寿命，这在标准溶剂加工过的材料膜范围内。
[0095] 尽管为了清楚地理解的目的，通过阐述和实施例详细地描述了前述发明，但本领 域技术人员要理解，可在所附权利要求的范围内实践某些变化和改性。此外，本文提供的每 一参考文献通过参考全文引入，其程度与每一参考文献单独地通过参考引入一样。在本申 请和本文提供的参考文献之间存在冲突的情况下，本申请将占主导。
【主权项】
1. 用第二配体替代量子点上的第一配体的方法，该方法包括： 混合反应混合物，所述反应混合物包括具有非共价键合到量子点上的第一配体的多个 量子点，和含第二配体的硅氧烷聚合物，使得第二配体替代第一配体并且非共价键合到量 子点上， 其中该反应混合物基本上不含溶剂，由此不要求溶剂除去步骤，且其中硅氧烷聚合物 的T/j、于约100°C，且粘度小于约lOOOcSt，从而用第二配体替代量子点上的第一配体。2. 权利要求1的方法，其中第一配体选自胺，羧酸，硫醇，膦和氧化膦。3. 权利要求1的方法，其中第一配体包括伯胺。4. 权利要求1的方法，其中量子点选自第II-VI族，第III-V族，第IV-VI族，和第IV 族半导体。 5?权利要求1的方法，其中量子点选自Si，Ge，Sn，Se，Te，B，C，P，BN，BP，BAs，A1N， A1P，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InN，InP，InAs，InSb，A1N，A1P，AlAs，AlSb，GaN， GaP，GaAs，GaSb，ZnO, ZnS，ZnSe，ZnTe，CdS，CdSe，CdSeZn，CdTe，HgS，HgSe，HgTe，BeS，BeSe， BeTe，MgS，MgSe，GeS，GeSe，GeTe，SnS，SnSe，SnTe，PbO, PbS，PbSe，PbTe，CuF，CuCl，CuBr， CuI，Si3N4, Ge3N4, A1203, Al2, Ga2, In2, S3, Se3, Te3,和 Al2CO306. 权利要求1的方法，其中量子点选自CdSe，CdTe和InP。7. 权利要求1的方法，其中硅氧烷聚合物的T g小于约50°C。8. 权利要求1的方法，其中硅氧烷聚合物的T g小于约25°C。9. 权利要求1的方法，其中硅氧烷聚合物包括胺或羧基键合基团作为第二配体。10. 权利要求1的方法，其中硅氧烷聚合物是Genesee Polymers988。11. 权利要求1的方法，其中加热该反应混合物到至少约50°C。12. 权利要求1的方法，其中加热该反应混合物到至少约75°C。13. 权利要求1的方法，其中进行混合至少约30分钟。14. 权利要求1的方法，其中进行混合至少约1小时。15. 权利要求1的方法，其中进行混合约2小时。
【专利摘要】本发明描述了使用具有键合配体的硅氧烷聚合物，所述键合配体将取代量子点材料上的键合配体，无溶剂的配体交换方法。
【IPC分类】C09K11/02
【公开号】CN105247010
【申请号】CN201480022380
【发明人】P·T·古田, R·杜布罗
【申请人】纳米系统公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2014年3月13日
【公告号】CA2905890A1, EP2970764A2, US9005480, US20140264189, WO2014159927A2, WO2014159927A3