br>[0046]接下来进入减薄处理阶段，如图6中的(a)图和(b)图所示。洗边减薄过程由洗边喷嘴508向第一胶层507的边缘喷射洗边液来完成。所喷射的洗边液能够与光刻胶505发生反应，从而消耗掉边缘位置处的光刻胶505，并形成一圈圆环形凹陷的形貌。圆环形凹陷形貌的深度和宽度分别为h和d，根据具体工艺要求来确定。该洗边喷嘴508的位置和角度是可调的，能够洗出符合标准的圆环形凹陷的形貌。洗边喷嘴的喷射速度为15ml/min，其喷出的洗边液的形状为细长条形的液柱，液柱的直径约0.2_。洗边过程中，晶片503的转速控制在300RPM，洗边完成后晶片503上第一胶层507的形貌如图6的(b)图所示，可以看至IJ，第一胶层507的边缘存在圆环形凹陷，而其他各处的胶层厚度已经非常均匀。
[0047]图7为洗边减薄工艺结束后，进行再次涂胶工序的工作示意图。其过程与首次涂胶工序基本相同。涂胶开始时，需要将涂胶头504移动至相应位置，调节涂胶头504距离晶片503的高度Η至H = 5mm位置处，控制涂胶头504与晶片503的中心0之间的水平距离r2 = 20mm，可以看到r2 Φ rl ;位置确定后，涂胶头504滴下光刻胶509，晶片503开始旋转。涂胶过程中，同样控制晶片503的转速在20RPM左右。待涂胶过程结束后，增大晶片503的旋转速度至100RPM以完成甩胶过程。甩胶完成后，可以获得如图7中(b)图所示的第二胶层510，该胶层的形貌非常平整，没有凸起或凹陷，近乎水平面。洗边后的第一胶层508和第二胶层510完美互补，第一胶层508和第二胶层510整体上构成的胶层表面平整、胶层各处的厚度均一，从而实现了发明目的。
[0048]下面将介绍本发明的第二【具体实施方式】，由于第二【具体实施方式】与第一【具体实施方式】所遍历的工序基本相同，其区别主要在于所选取的工艺参数不同，所以不再附图赘述工艺流程。具体如下:
[0049]第二【具体实施方式】中晶片同样需要经历首次涂胶工序和再次涂胶工序，其中首次涂胶工序包括涂胶过程和甩胶过程，再次涂胶工序中也包括涂胶过程和甩胶过程。另外，在首次涂胶工序完成之后、进行再次涂胶工序之前，还需要对首次涂胶工序中所形成的第一胶层进行减薄处理，以形成圆环形凹陷形貌。涂胶过程中，所使用的涂胶头的口径为X =10_，首次涂胶工序和再次涂胶工序中，涂胶头所在的位置不变，其距离晶片的高度控制在H = 30mm,其与晶片中心0的水平距离为rl = r2 = 50mm。
[0050]而在减薄处理过程中，形成的圆环形凹陷的深度为h，宽度为d，h和d可以通过调节洗边喷嘴的位置和角度来控制。洗边所使用的洗边喷嘴的喷射速度为50ml/min，其形成的液柱的直径为0.5mm。
[0051]另外，对于晶片转速的控制如下:
[0052]首次涂胶工序中，涂胶过程的转速为300RPM，甩胶过程的转速为7000RPM ；
[0053]减薄处理中:晶片的转速控制在1500RPM ；
[0054]再次涂胶工序中:涂胶过程的转速为200RPM，甩胶过程的转速为5000RPM。
[0055]晶片在经过上述涂敷工艺之后，能够形成表面平整、各处厚度均一的胶层，消除传统涂胶过程完成后所形成的“W”形貌，从而实现发明目的。
[0056]采用本发明对晶片进行涂胶的所获得的结果是喜人的，发明人及申请人为此付出的艰辛和努力不容忽视，知识产权理应受到保护。因此，上述除权利要求之外的内容绝不应当视为对本发明保护范围的限制，而应将本发明的保护范围划界在权利要求书所能延伸或触及到的最大限度之内，给予最最充分的权利保障。
【主权项】
1.一种半导体晶片的涂胶方法，采用晶片旋转的方式，由涂胶头向晶片表面涂敷胶液，其特征在于，包括: 首次涂胶工序，在所述首次涂胶工序中，所述涂胶头偏离所述晶片的中心0，所述涂胶头与所述晶片的中心ο之间的水平距离为rl，所述rl为定值且小于所述晶片的半径R，所述涂胶头在所述晶片表面涂敷形成第一胶层； 再次涂胶工序，在所述再次涂胶工序中，所述涂胶头偏离所述晶片的中心0，所述涂胶头与所述晶片的中心0之间的水平距离为r2，所述r2为定值且小于所述晶片的半径R，所述涂胶头在所述第一胶层表面涂敷形成第二胶层； 其中，所述第一胶层的胶液和所述第二胶层的胶液通过所述晶片的旋转作用摊开并铺满晶片表面。2.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，在所述首次涂胶工序和所述再次涂胶工序之间，对所述第一胶层进行减薄处理，所述第一胶层在经过所述减薄处理后在晶片边缘形成圆环形凹陷的形貌，所述第一胶层在晶片边缘位置处的厚度比其他位置处的厚度薄。3.根据权利要求2所述的涂胶方法，其特征在于，所述第二胶层在晶片边缘位置处的厚度比其他位置处的厚度厚，所述第二胶层与所述第一胶层互补，所述第二胶层的表面为平整均一的水平面。4.根据权利要求2所述的涂胶方法，其特征在于，所述减薄处理通过使用洗边喷嘴向所述第一胶层喷射洗边液的洗边工艺来实现，所述洗边液溶解所述第一胶层的胶液或与所述第一胶层的胶液发生化学反应从而形成所述第一胶层的圆环形凹陷的形貌。5.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述涂胶头涂敷至晶片表面的、作为第一胶层的胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形；所述涂胶头涂敷至第一胶层表面的、作为第二胶层的胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形。6.根据权利要求5所述的涂胶方法，其特征在于，所述rl的范围为(50mm,所述r2的范围为lmm；^ r2彡50mm,所述rl和r2的大小由所述胶液的粘度、所述涂胶头的出胶流速以及所述晶片的转速决定，以保证所述胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形。7.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述涂胶头的口径为X，所述X的范围为3mm彡X彡10mm;所述涂胶头与所述晶片的垂直距离为H，所述Η的范围为5mm < Η < 30mm。8.根据权利要求4所述的涂胶方法，其特征在于，所述洗边喷嘴的喷射速度为15ml/min — 50ml/min，所述洗边喷嘴喷射出的洗边液的形状为细长条形的液柱，所述液柱的直径为 0.2mm—0.5mm09.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述首次涂胶工序进一步包括涂胶过程和甩胶过程；在所述涂胶过程中，所述晶片的转速为20RPM — 300RPM ;在所述甩胶过程中，所述晶片的转速为100RPM — 7000RPM。10.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述再次涂胶工序进一步包括涂胶过程和甩胶过程；在所述涂胶过程中，所述晶片的转速为20RPM — 300RPM ;在所述甩胶过程中，所述晶片的转速为100RPM — 7000RPM。11.根据权利要求2所述的涂胶方法，其特征在于，在所述减薄处理的过程中，所述晶片的转速为300RPM — 1500RPM。
【专利摘要】本发明涉及半导体生产和加工领域。本发明提出了一种半导体晶片的涂胶方法，采用晶片旋转的方式，由涂胶头向晶片表面涂敷胶液，该方法包括：首次涂胶工序，在首次涂胶工序中，涂胶头偏离晶片的中心O，涂胶头与晶片的中心O之间的水平距离为r1，r1为定值小于晶片的半径R，涂胶头在晶片表面涂敷形成第一胶层；再次涂胶工序，涂胶头偏离晶片的中心O，涂胶头与晶片的中心O之间的水平距离为r2，r2为定值小于晶片的半径R，涂胶头在第一胶层表面涂敷形成第二胶层；其中，第一胶层的胶液和第二胶层的胶液通过晶片的旋转作用摊开并铺满晶片表面。通过该方法涂胶所得的晶片，胶层表面平整均匀，无凸起或凹陷，不会出现“W”形貌。
【IPC分类】B05D1/40, B05D1/36
【公开号】CN105436056
【申请号】CN201410513659
【发明人】王文军, 王晖, 陈福平
【申请人】盛美半导体设备（上海）有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年9月29日