专利名称：图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构的装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属微细加工技术领域，涉及一种图型化电极诱导和微波固化制作纳米 结构的装置。
背景技术：
纳米结构或者图形的微细加工是纳电子和纳器件制作的基础，目前纳米结构的制 作方法有多种，主要包括极紫外光光刻EUVL、电子束直写光刻、离子束投影光刻、X射线光 刻、扫描探针显微加工、分子自组装、蘸笔光刻、微接触印刷、纳米压印光刻等。但这些技术 通常工艺复杂、效率较低、设备昂贵。例如电子束直写光刻虽然具有非常高的精度，但生产 效率非常低。纳米压印光刻NIL虽然具有高分辨率、低成本和高生产率等特点，但由于NIL 是一种接触式制作工艺，目前纳米压印面临模具寿命低、缺陷多、难以对准等问题。因此，迫 切需要开发新的微细加工方法满足低成本高分辨率纳米结构制作需求。
实用新型内容针对现有技术中纳米压印模具寿命低、缺陷多与难以对准的问题，本实用新型公 开了一种采用图型化电极诱导和微波固化在热固性环氧树脂材料上制作纳米结构的装置。一种图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构的装置，包括成形系统；成形材 料；基底；纳米结构诱导系统；微波固化系统，所述成形系统由背板、支撑、图型化电极组 成；成形材料是低粘度和高介电常数的液态热固性环氧树脂材料；基底是P型硅片；纳米结 构诱导系统以图型化电极为直流电场的阳极，基底为直流电场的阴极，图型化电极位于基 底的上方，其阳极与图型化电极相连，阴极与基底相连。所述直流电场的电压为20V-60V。所述微波固化系统的工作频率2. 45 GHz，输出功率100W-1000W，功率输出方式为 连续式或脉冲式，固化时间20-100S，固化温度60-130°C。本实用新型的具有结构简单、成本低、生产率高、电极寿命长、图形精度高等优点， 实现了 100纳米以下纳米结构高效、低成本制作。
图Ia是本实用新型制作装置结构示意图。图Ib是本实用新型制作装置结构完成后的示意图。图2是本实用新型纳米结构制作技术路线图。图3a是本实用新型图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构示意图。图3b是本实用新型图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构示意图。图3c是本实用新型图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构示意图。图3d是本实用新型图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构示意图。图3e是本实用新型图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构示意图。
3[0016]图4a为本实用新型的以导电性电子束抗蚀剂为基体材料制作图型化电极示意图。图4b为本实用新型的以导电性电子束抗蚀剂为基体材料制作图型化电极示意图。图4c为本实用新型的以导电性电子束抗蚀剂为基体材料制作图型化电极示意图。图4d为本实用新型的以导电性电子束抗蚀剂为基体材料制作图型化电极示意图。图4e为本实用新型的以导电性电子束抗蚀剂为基体材料制作图型化电极示意图。图4f为本实用新型的以导电性电子束抗蚀剂为基体材料制作图型化电极示意图。图5 a为本实用新型的以ITO为基体材料制作图型化电极示意图。图5b为本实用新型的以ITO为基体材料制作图型化电极示意图。图5c为本实用新型的以ITO为基体材料制作图型化电极示意图。图5d为本实用新型的以ITO为基体材料制作图型化电极示意图。图5e为本实用新型的以ITO为基体材料制作图型化电极示意图。图5f为本实用新型的以ITO为基体材料制作图型化电极示意图。图5g为本实用新型的以ITO为基体材料制作图型化电极示意图。其中，1.成形系统，11.背板，12.支撑，13.图型化电极，131.纳米结构诱导凸起 (需要转移的特征图形)，14.石英玻璃基片，15.粘附控制层，16. ITO导电膜，17.导电性 电子束抗蚀剂，18.沉积抗粘附层，19.电子束抗蚀剂，2.成形材料，3.基底，4.直流电场， 5.微波固化系统。
具体实施方式
本实用新型公开的图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构装置示意图如图la， 图Ib所示。它由五部分组成成形系统1，成形材料2，基底3，直流电场4，微波固化系统5。 其中成形系统1由背板1 1、支撑1 2、图型化电极1 3组成。背板1 1起到支撑和连接作 用，通过背板1 1将支撑1 2和图型化电极1 3组装成一个完整的成形系统，支撑1 2的 作用是使图型化电极1 3和基底3保持均勻一致的间隙，支撑1 2与图型化电极突出部分 构成的纳米结构诱导凸起131(需要转移的特征图形)的高度差决定了所制作纳米结构 的高度。因此，通过调节支撑1 2的高度，可以得到不同高度值的纳米结构。其高度值介于 lOOnm-eOOnm之间。图型化电极1 3包含要制作的纳米结构平面特征，即图型化电极1 3突 出部分为纳米结构诱导凸起131。为了便于固化后的脱模，减少电极与成形材料的粘连，需要对图型化电极 1 3进行表面修饰以降低其表面能，采用沉积抗粘附层工艺(涂脱模剂)，可以选用 CF3(CF2)5(CH2)2SiCL3^ CF3CH2CH2SiCL3或聚四氟乙烯(PTFE)等材料作为脱模剂。成形材料 是粘度低于0.8Pa.s /25°C和介电常数高于5数液态热固性环氧树脂材料。以P型硅片为 基底3，采用硅烷(Silane)对硅片基底进行分子自组装而成。直流电场4采用20V-60V直 流电压，其阳极与图型化电极13相连，阴极基底3相连。微波固化系统5的工作频率2. 45 GHz,输出功率100W-1000W，功率输出方式为连续式或脉冲式。本实用新型是基于以下原理置于两导电平行板间的介电流体，在外加电场的作 用下，具有电流体动力不稳定特性，以及自组装生成周期性纳米柱结构的能力。将低粘度和 高介电常数的液态热固性环氧树脂材料均勻涂铺在基底3上，其上方是图型化电极13，在 基底3和图型化电极13之间施加一个电压，其阳极与图型化电极13相连，阴极与基底3相连。在外加电场产生静电力的作用下成形材料2表面薄膜被“向上拉高”，导致薄膜会慢慢 的呈现波浪状，且随着时间的变化，会将波谷的薄膜一直往波峰推挤，呈现出波浪形的薄膜 越来越高，最终波峰尖端顶到图型化电极13，直至薄膜完全贴合到图型化电极13的上模为 止。其中静电力“向上拉高”成形材料薄膜，导致成形材料薄膜界面的不稳定，而表面张力、 分子内聚力、大气压力和成形材料薄膜自身重力起到稳定成形材料界面的作用，表面张力 是薄膜稳定性的主要作用力。通过改变电压、图型化电极的特征、成形材料初始薄膜厚度、 电极与基底间距、间距膜厚比即电极与基底间距与成形材料初始薄膜厚度的比值、成形材 料介电常数，可以制作出不同特征的纳米结构。本实用新型基于图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构采取如下的技术解决 方案首先将成形材料2均勻旋涂在基底3上；然后进行成形系统1与基底3的定位，成形 系统1与基底3对准后下压，直至成形系统1的支撑12与基底3完全接触，并且保证背板 11与基底3的平行；随后开启纳米结构诱导系统，基于成形材料薄膜在图型化电极13和直 流电场4诱导下的自组装特性，实现电极特征图形到成形材料的图形转移；成形结构稳定 后，采用微波固化系统5固化成形材料2 ；最后，成形系统2与制备的纳米结构以及基底3分 离，在成形材料2上制作出纳米结构。基于图型化电极诱导和微波固化在热固性环氧树脂材料上制作纳米结构的技术 路线参见图2，其基本工序步骤如下①成形系统1制作；②基底3预处理；③涂铺成形材 料2 ；④成形系统1定位；⑤诱导生成纳米结构；⑥纳米结构微波固化；⑦脱模。结合图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构过程示意图(见图3a-图3e)，以下 对制作过程中的具体工艺步骤作详细描述1)成形系统制作成形系统1包括背板1 1、支撑1 2、图型化电极1 3。通过背板1 1将支撑1 2 和图型化电极1 3组装成一个完整的成形系统。背板和支撑以石英(quartz)为基体采用 常规微细加工工艺制作。支撑12需要做抗粘附处理。图型化电极13以导电性电子束抗蚀 剂或ITO为基体材料，采用电子束直写和刻蚀工艺。图型化电极的具体制作方法如下。图4a_图4f是本实用新型以导电性电子束抗蚀剂为基体材料，采用电子束直写工 艺制作图型化电极的原理示意图。图4a为在石英玻璃基片14上涂铺粘附控制层15。图 4b为在粘附控制层15之上涂铺ITO导电膜16。图4c为在ITO导电膜16之上旋转涂铺 导电性电子束抗蚀剂17。图4d电子束直写、曝光、显影、坚膜后得到纳米结构图形。图4e 沉积抗粘附层(涂脱模剂)18，可以选用CF3(CF2)5(CH2)2SiCL3、CF3CH2CH2SiCL3或聚四氟乙烯 (PTFE)等材料作为脱模剂。图4f制作完成的图型化电极与石英玻璃基片分离。图5 a-图5g是本实用新型以ITO为基体材料，采用电子束直写和干法刻蚀工艺制 作图型化电极的原理示意图。图5a为在石英玻璃基片14上涂铺粘附控制层材料15。图5 b为在粘附控制层之上涂铺ITO材料16。图5 c为在ITO材料16之上旋转涂铺电子束抗蚀 剂19。图5d电子束直写、曝光、显影、坚膜后在抗蚀剂上得到纳米结构图形。图5e以电子 束抗蚀剂19为掩模采用反应离子刻蚀工艺将抗蚀剂上得到纳米结构图形转移到ITO材料 16上。图5 f沉积抗粘附层(涂脱模剂)18，可以选用CF3 (CF2)5 (CH2) 2SiCL3、CF3CH2CH2SiCL3、 聚四氟乙烯(PTFE)等材料作为脱模剂。图5 g制作完成的图型化电极与石英玻璃基片14 分离。
5[0040]采用键合工艺，以背板11为基础将支撑12和图型化电极13固定于背板11上，组 装成一个完整的成形系统1。2)基底3预处理以P型硅片的硅片作为基底，采用Silane对硅片基底进行分子自组装(SAM， Self-assembled Monolayer)表面处理，使其表面具有疏水特性，降低表面亲水吸附性能。 (避免成形材料粘附在基底上，在取下过程中发生结构损坏)3)涂铺成形材料采用旋转涂铺工艺将低粘度和高介电常数液态热固性环氧树脂材料均勻涂铺基 底3上，涂铺厚度100nm-300nm (具体涂铺厚度根据所制作的纳结构图形特征确定)。4)成形系统1定位成形系统1与基底3对准后下压，使成形系统1的支撑12与基底3完全接触，并 且保证背板11与基底3的平行。5)诱导生成纳米结构以图型化电极13为阳极，基底3为阴极，施加20V-60V直流电压，构成纳米 结构诱导系统。诱导系统加上电压后，在图型化电极13和基底3间建立一个直流电场4，基 于成形材料薄膜在图型化电极13和直流电场诱导下的自组装特性，实现电极特征图形到 成形材料的图形转移。在整个工艺过程中应保证电极与基底平行，电极与基底的间隙保持均勻一致。间 隙的高度可通过成形系统的支撑来调节。实施例采用45 V直流电压，电极与基底间距300nm，膜厚控制在100 nm -200 nm。6)纳米结构微波固化环氧树脂的固化方式很多传统的热固化具有固化速率慢、周期长、材料内部存在 着温度梯度、固化难以均勻和完全的问题。与传统的热固化相比，微波因独特的“分子内”均 勻加热方式，具有加热效率高、传热均勻、固化速度快、固化物均一、热能利用率高和过程控 制容易等优点；此外，在环氧树脂中加入不同性能的填料，通过改变体系的介电性能来改 善环氧树脂的微波吸收性能，能够进一步提高微波的加热效率。同时实验结果表明，在同 等条件下微波加热的凝胶时间和固化时间比热固化快得多，并且随着微波功率的增大而 缩短；微波固化物与热固化物的结构基本相同、热性能相当，力学性能略高于热固化物。本实用新型使用的液态热固性环氧树脂成形材料应具有低粘度、高介电常数和优 良的微波固化性能。本实施例成形材料采用E51/DDM(二氨基二苯基甲烷)体系，环氧树脂为 E51 (双酚A型)，固化剂为DDM。也可以选择性能更好的新型液态环氧树脂固化剂ZD-1090 (粘度小、使用期长、温度宽容度大)。市场中也有许多低粘度环氧树脂产品可以直接使用， 如WHUT-RL系列、JY-257等。另外，与双酚A型环氧树脂性比，采用液态双酚F型环氧树脂、 双酚F型与双酚A型的共混体系具有更好的性能(粘度低)。另外，为了提高环氧固化体系的 微波吸收性能，可以在环氧固化体系中加入一种强吸波的介质，如陶瓷、金属粉末(铝粉、铜 粉等)、羰基铁、SiO2或纳米材料等改变体系的电阻抗，从而增强固化体系的微波加热能力， 提高成形材料的微波固化性能。微波固化系统的工作频率2. 45 GHz，输出功率350W，功率输出方式为脉冲式。第一实施例中使用LC3600环氧树脂，固化温度在90°C，其充分固化时间是75s，涂膜厚度100 nm,电极与基底间距250nm。第二个实施例使用Epikate 235液态双酚F型环氧树脂，固化温度在110°C，其 充分固化时间是65s，涂膜厚度120 nm,电极与基底间距300nm。为了减少固化时间和获得优良固化性能，也可以采用变频微波固化工艺。7)脱模生成的纳米结构完全固化后，关闭纳米结构诱导系统和微波固化系统，成形系统 与制备的纳米结构以及基底分离。
权利要求一种图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构的装置，包括成形系统；成形材料；基底；纳米结构诱导系统；微波固化系统，其特征是，所述成形系统由背板、支撑、图型化电极组成；成形材料均匀旋涂在基底上；基底是P型硅片；纳米结构诱导系统以图型化电极为直流电场的阳极，基底为直流电场的阴极，图型化电极位于基底的上方，其阳极与图型化电极相连，阴极与基底相连。
2.如权利要求1所述的图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构的装置，其特征是， 所述直流电场的电压为20V-60V。
3.如权利要求1所述的图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构的装置，其特征是， 所述微波固化系统的工作频率2. 45 GHz，输出功率100W-1000W，功率输出方式为连续式或 脉冲式，固化时间20-100S，固化温度60-130°C。
专利摘要本实用新型是一种图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构的装置。该装置包括成形系统；成形材料；基底；纳米结构诱导系统；微波固化系统，所述成形系统由背板、支撑、图型化电极组成；成形材料是低粘度和高介电常数的液态热固性环氧树脂材料；基底是P型硅片；纳米结构诱导系统以图型化电极为直流电场的阳极，基底为直流电场的阴极，图型化电极位于基底的上方，其阳极与图型化电极相连，阴极与基底相连。本实用新型具有结构简单、成本低、生产率高、电极使用寿命长、图形精度高等特点，可实现100纳米以下纳米结构高效和低成本制作。
文档编号B82B3/00GK201762092SQ20102019949
公开日2011年3月16日 申请日期2010年5月24日 优先权日2010年5月24日
发明者丁玉成, 兰红波 申请人:山东大学