一种浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法，将一定量蒙脱土，加入到配置好的SnCl4溶液中；将氨水缓慢滴加到含有蒙脱土的SnCl4溶液中，滴加完成后放置数小时制得表面沉积有Sn(OH)4晶种的蒙脱土溶液，将SnCl4和SbCl3加入到一定浓度的盐酸中，配置成混合溶液，与氨水同时缓慢滴加到搅拌中的上述晶种溶液中；过滤，用去离子水将所得固体洗净，所得物质置于真空干燥箱中干燥后再置于马弗炉中煅烧，即可得到相应的浅色导电纳米蒙脱土粉末。
【专利说明】-种浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备，属于纳米颗粒的功能化改性技 术。
【背景技术】
[0002] 随着人民生活水平的提高和对生活品质的要求提高，对于抗静电/导电织物的需 求不断扩大，传统的深色碳系抗静电/导电纤维已不能满足需求，亟需开发浅色抗静电/导 电纤维。本技术发明针对浅色抗静电/导电纤维的制备，提出了一种新型浅色导电蒙脱土 粉末的制备方法，为浅色抗静电/导电纤维的制备奠定基础。
[0003] 导电填料的形状对于复合型导电高分子材料的性能及填料的用料有着较大的影 响。为减少导电填料的用量，一般选择选择棒状导电填料。蒙脱土是一种具有片层和微孔 结构的天然粘土，以蒙脱土为核在其表面沉积导电层可以有效的在获取导电性能的同时， 降低导电粉体的用量，同时由于微孔的作用可以提升导电沉积层的效率，提高导电粉体导 电性能。目前此类研究还少见报道。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是满足现代人们对安全的需求，提供一种浅色导电纳米蒙脱土粉 末，为制备浅色抗静电/导电纤维奠定基础。
[0005] 按照本发明提供的技术方案，一种浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法，包括以 下步骤：
[0006] 1)称取一定量蒙脱土，加入到配置好的具有一定浓度SnCl4溶液中；
[0007] 2)将氨水以稍大于4 : 1的摩尔比缓慢滴加到含有蒙脱土的SnCl4溶液中，滴加 完成后放置数小时制得晶种溶液，备用；
[0008] 3)将SnCl4和SbCl3加入到一定浓度的HC1中，配置成混合溶液，与氨水同时缓慢 滴加到搅拌中的晶种溶液中，在此过程中保持PH恒定；
[0009] 4)过滤，用去离子水将所得固体洗净，所得物质置于真空干燥箱中干燥后再置于 马弗炉中煅烧。
[0010] 其中步骤1)所配置的SnCl4溶液浓度为0· 02-0. 2mol/L。
[0011] 其中步骤3)所使用的盐酸浓度为l-4mol/L。
[0012] 其中步骤4)马弗炉的煅烧温度为500-1000°C，煅烧时间4-10小时。
[0013] 在本发明所叙述的产品特点为具备核壳结构，表面沉积有ΑΤ0导电层的浅色蒙脱 土粉末。
[0014] 本技术针对具有导电功能的纳米粉体的制备，所获得的蒙脱土粉末可以应用于浅 色具有抗静电/导电功能纤维的制备，满足人们对于织物安全性的需求。
【具体实施方式】
[0015] 本发明是一种浅色导电纳米蒙脱土的制备方法，其步骤为：
[0016] 1)称取一定量蒙脱土，加入到配置好的具有一定浓度SnCl4溶液中；
[0017] 2)将氨水以稍大于4 : 1的摩尔比缓慢滴加到含有凹凸棒土的SnCl4溶液中，滴 加完成后放置数小时制得晶种溶液，备用；
[0018] 3)将SnCl4和SbCl3加入到一定浓度的HC1中，配置成混合溶液，与氨水同时缓慢 滴加到搅拌中的晶种溶液中，在此过程中保持PH恒定；
[0019] 4)过滤，用去离子水将所得固体洗净，所得物质置于真空干燥箱中干燥后再置于 马弗炉中煅烧。
[0020] 实施例1 :
[0021] 称取l〇g蒙脱土，加入到配置好的浓度为0. 05mol/L的SnCl4溶液中，将氨水以稍 大于4 : 1的摩尔比缓慢滴加到含有蒙脱土的SnCl4溶液中，滴加完成后放置4小时制得 晶种溶液；将SnCl 4和SbCl3加入到2mol/L的HC1中，配置成混合溶液，与氨水同时缓慢滴 加到搅拌中的晶种溶液中；过滤，用去离子水将所得固体洗净，所得物质置于真空干燥箱中 干燥后再置于马弗炉中煅烧（600°C，8小时），所得导电粉体的电导率为0. 9S/cm。
[0022] 实施例2 :
[0023] 称取15g蒙脱土，加入到配置好的浓度为0. lmol/L的SnCl4溶液中，将氨水以稍 大于4 : 1的摩尔比缓慢滴加到含有蒙脱土的SnCl4溶液中，滴加完成后放置5小时制得 晶种溶液；将SnCl 4和SbCl3加入到3mol/L的HC1中，配置成混合溶液，与氨水同时缓慢滴 加到搅拌中的晶种溶液中；过滤，用去离子水将所得固体洗净，所得物质置于真空干燥箱中 干燥后再置于马弗炉中煅烧（750°C，4小时），所得导电粉体的电导率为1. 8S/cm。
[0024] 实施例3 :
[0025] 称取7. 5g蒙脱土，加入到配置好的浓度为0· 025mol/L的SnCl4溶液中，将氨水以 稍大于4 : 1的摩尔比缓慢滴加到含有蒙脱土的SnCl4溶液中，滴加完成后放置3小时制 得晶种溶液；将SnCl 4和SbCl3加入到2mol/L的HC1中，配置成混合溶液，与氨水同时缓慢 滴加到搅拌中的晶种溶液中；过滤，用去离子水将所得固体洗净，所得物质置于真空干燥箱 中干燥后再置于马弗炉中煅烧（800°C，4小时），所得导电粉体的电导率为0. 4S/cm。
【权利要求】
1. 一种浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法，其特征是在蒙脱土表面沉积一层浅色的 锑掺杂二氧化锡（ΑΤΟ)导电层，其步骤为： 1) 称取一定量凹凸棒土，加入到配置好的具有一定浓度311(：14溶液中； 2) 将氨水以稍大于4 : 1的摩尔比缓慢滴加到含有蒙脱土的SnCl4溶液中，滴加完成 后放置数小时制得晶种溶液，备用； 3) 将SnCl4和SbCl3加入到一定浓度的HC1中，配置成混合溶液，与氨水同时缓慢滴加 到揽祥中的晶种溶液中，在此过程中保持PH恒定； 4) 过滤，用去离子水将所得固体洗净，所得物质置于真空干燥箱中干燥后再置于马弗 炉中煅烧。
2. 根据权利要求1所述的浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法，其特征在于步骤1)所 配置的SnCl4溶液浓度为0· 02-0. 2mol/L。
3. 根据权利要求1所述的浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法，其特征在于步骤3)所 使用的盐酸浓度为l_4mol/L。
4. 根据权利要求1所述的浅色导电纳米蒙脱土粉末的制备方法，其特征在于步骤4)马 弗炉的煅烧温度为500-1000°C，煅烧时间4-10小时。
【文档编号】B82Y30/00GK104192856SQ201410415168
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月21日 优先权日:2014年8月21日
【发明者】刘水平, 夏清明, 刘伟峰 申请人:江苏启弘新材料科技有限公司