专利名称：壳体的制作方法及由该方法制得的壳体的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种壳体的制作方法及由该方法所制得的壳体。
背景技术：
现有对便携式电子装置的金属壳体的表面通常会进行表面处理以使其表面上生 成一硬度高、耐腐蚀性强的氧化膜层。微弧氧化技术(又称等离子体氧化、阳极火花沉积、 火花放电阳极沉积和表面陶瓷化等)是一种直接在金属表面原位生长氧化膜层的技术。该 技术在金属壳体表面生成的氧化膜层耐磨性能好、耐腐蚀性及耐热冲击性强，绝缘性能佳。 但该氧化膜层呈单一的鹏光雾面外观，视觉效果单一，装饰性不强，难以提高产品的附加价 值及吸引消费者的眼球。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种使壳体既具有耐磨性能好、耐腐蚀性及耐热冲击性强的
氧化膜层又具较佳装饰效果的壳体的制作方法。 另外，还有必要提供一种由上述方法所制得的壳体。 —种壳体的制作方法，其包括如下步骤 提供一金属基体； 在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的区域成为凹陷部位，未 被蚀刻凹槽的区域成为凸起部位； 对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成 一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面；
对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。 —种壳体，其包括一金属基体及一形成于金属基体上的微弧氧化膜层，所述金属 基体与微弧氧化膜层相结合的面上形成有凹槽，所述微弧氧化膜层上相对应金属基体该面 上未形成有凹槽的区域被抛光呈现出镜面效果。 本发明壳体的制作方法通过先在金属基体的表面蚀刻出凹槽，使金属基体上被蚀 刻凹槽的部位成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的部位成为凸起部位，再对该金属基体进行微 弧氧化处理以在金属基体表面形成一具有凹陷面及凸起面的微弧氧化膜层，然后对微弧氧 化膜层的凸起面进行抛光处理，使该凸起面呈现出镜面效果，而微弧氧化膜层的凹陷面仍 为鹏光雾面效果，使得本发明壳体表面既具有微弧氧化膜层的耐磨性能好、耐腐蚀及耐热 冲击性强等优点，同时该壳体又克服了微弧氧化膜层鹏光雾面的单一外观，在呈现出镜面 效果的同时又具有鹏光雾面效果，可大大提高产品的附加价值，提升产品对顾客的吸引力。
图1为本发明较佳实施方式壳体的剖视放大图。
具体实施例方式
本发明较佳实施方式的壳体的制作方法包括如下步骤 提供一金属基体。该金属基体的材料可为铝、铝合金、镁、镁合金、钛及钛合金中的 任一种。 在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的部位成为凹陷部位，未 被蚀刻凹槽的部位成为凸起部位。所述蚀刻凹槽的方式可为化学蚀刻或CNC数控机床雕 刻。所述凹槽呈图案状，该图案可为产品的商标或标志性图案，亦可为其他具装饰效果的图案。 对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成 一微弧氧化膜层。该微弧氧化处理包括如下步骤 将该金属基体置入碱性除污液中进行除污处理约10分钟，以清除所述基体上的 油污及脏物。除污后对金属基体进行水洗处理。 将除污后的金属基体置于含电解液的不锈钢氧化槽中进行微弧氧化处理。所述电 解液可为磷酸盐溶液、硼酸盐溶液、硅酸盐溶液、铝酸盐溶液及氢氧化物溶液中的一种或几 种。所述电解液中还可添加钨酸盐、钒酸盐、偏钒酸铵、硫酸盐、氟化钠、乙酸钴、山梨醇及 甘油中的一种或几种。所述电解液的PH值为10.5 12.5。所述微弧氧化处理时以所述 金属基体为阳极，不锈钢氧化槽为阴极，并对该金属基体施以正负双向脉冲电压。所述正 负双向脉冲电压在切换时均以一定速率上升到最大值后保持恒定，其中最大恒定正电压为 450V 650V，最大恒定负电压为30V 200V，正负向脉宽可为1000 10000 y s，脉间为 300 2000 ii s。所述对金属基体进行微弧氧化处理的时间为30 180分钟，处理温度为 20 50°C 。所述微弧氧化处理完成后在金属基体表面形成一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜 层相对应形成有凹陷面及凸起面。 微弧氧化处理完成后对所述形成有微弧氧化膜层的金属基体进行水洗及烘干处理。 对所述微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。所述抛光处理的方法可为机械抛 光，抛光的步骤包括粗抛光、中抛光及精抛光。所述粗抛光可选择铜质抛光盘进行，抛光时 间为4-7分钟；中抛光可选择树脂抛光盘进行，抛光时间为1-4分钟；精抛光可选择聚氨酯 抛光皮进行，抛光时间为0. 5-1. 5分钟。所述抛光处理完成后微弧氧化膜层的凸起面便呈 现出镜面效果。 所述抛光处理后对微弧氧化膜层进行封孔处理，以提高微弧氧化膜层的耐脏污、 抗指纹及耐腐蚀性等性能。该封孔处理用封孔剂中含有有机硅树脂与稀释剂的混合物，所 述有机硅树脂优选为高含氢硅油，所述稀释剂可为有机溶剂，如异丙醇、甲苯、二甲苯和丙 酮中的一种或多种的混合物。所述有机硅树脂与稀释剂的质量比可为1 2 : 0. 5 1. 5。 封孔时，将该封孔剂涂抹于所述微弧氧化膜层的整个表面，使封孔剂渗透吸附到微弧氧化 膜层的微孔中饱和后，用干的无尘布将微弧氧化膜层表面上多余的封孔剂除去，再进行烘 烤干燥即可。 请参阅图1所示，由本发明较佳实施方式壳体的制作方法所制得的壳体10包括一 金属基体11及一形成于金属基体11上的微弧氧化膜层13。 金属基体11包括一第一表面111及一与该第一表面111相对的第二表面113。在该第二表面113上形成有凹槽115。所述形成凹槽115的方式可为化学蚀刻或CNC数控机 床雕刻。所述凹槽115呈图案状，该图案可为产品的商标或标志性图案，亦可为其他具装饰 效果的图案。该金属基体11的第二表面113上形成凹槽115的区域成为凹陷部位，未形成 凹槽115的区域成为凸起部位。形成所述金属基体11的材料可为铝、铝合金、镁、镁合金、 钛及钛合金中的任一种。 微弧氧化膜层13形成于金属基体11的第二表面113的凹陷部位及凸起部位上， 相对应形成凹陷面131及凸起面133。该微弧氧化膜层13的凸起面133被抛光而呈现出镜 面效果，而凹陷面131仍呈现出微弧氧化膜层13的鹏光雾面效果。所述抛光的方法可为机 械抛光。 由本发明较佳实施方式的壳体的制作方法所制得的壳体10的微弧氧化膜层13的 凸起面呈现出镜面效果，而所述微弧氧化膜层13的凹陷面仍为鹏光雾面效果，使得所述壳 体10表面既具有微弧氧化膜层的耐磨性能好、耐腐蚀及耐热冲击性强等优点，同时该壳体 IO又克服了微弧氧化膜层鹏光雾面的单一外观，在呈现出镜面效果的同时又具有鹏光雾面 效果，可大大提高产品的附加价值，提升产品对顾客的吸引力。
权利要求
一种壳体的制作方法，其包括如下步骤提供一金属基体；在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的部位成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的部位成为凸起部位；对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面；对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。
2. 如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述蚀刻凹槽的方式为化学蚀刻或CNC数控机床雕刻。
3. 如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述微弧氧化处理在电解液中进行，该电解液中含有氢氧化物、磷酸盐、硼酸盐、硅酸盐及铝酸盐中的一种或几种。
4. 如权利要求3所述的壳体的制作方法，其特征在于所述电解液中含有钨酸盐，钒酸盐，硫酸盐，氟化钠、乙酸钴、山梨醇及甘油中的一种或几种。
5. 如权利要求4所述的壳体的制作方法，其特征在于所述电解液的pH值为10. 5 12. 5。
6. 如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述微弧氧化处理采用正负双向脉冲电压，其中最大恒定正电压为450V 650V，最大恒定负电压为30V 200V，正负向脉宽为1000 10000 ii s，脉间为300 2000 ii s。
7. 如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述对微弧氧化膜层进行抛光处理的方法为机械抛光，其包括粗抛光、中抛光及精抛光步骤。
8. 如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述金属基体的材料为铝、铝合金、镁、镁合金、钛及钛合金中的任一种。
9. 如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述微弧氧化处理前对所述金属基体进行除污清洗处理。
10. 如权利要求l所述的壳体的制作方法，其特征在于所述抛光处理后对所述微弧氧化膜层进行封孔处理。
11. 一种壳体，其包括一金属基体及一形成于金属基体上的微弧氧化膜层，其特征在于所述金属基体与微弧氧化膜层相结合的面上形成有凹槽，所述微弧氧化膜层上相对应金属基体该面上未形成有凹槽的区域被抛光呈现出镜面效果。
12. 如权利要求11所述的壳体，其特征在于所述形成凹槽的方式为化学蚀刻或CNC数控机床雕刻。
13. 如权利要求11所述的壳体，其特征在于所述金属基体的材料为铝、铝合金、镁、镁合金、钛及钛合金中的任一种。
14. 如权利要求11所述的壳体，其特征在于所述抛光为机械抛光。
全文摘要
一种壳体的制作方法，其包括如下步骤提供一金属基体；在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的区域成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的区域成为凸起部位；对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面；对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。一种壳体，其包括一金属基体及一形成于金属基体上的微弧氧化膜层，所述金属基体与微弧氧化膜层相结合的面上形成有凹槽，所述微弧氧化膜层上相对应金属基体该面上未形成有凹槽的区域被抛光呈现出镜面效果。
文档编号C25D11/00GK101722778SQ20081030530
公开日2010年6月9日 申请日期2008年10月30日 优先权日2008年10月30日
发明者严琦琦, 乔勇, 刘伟, 姜传华, 张保申, 戴丰源, 罗勇达, 韩婧 申请人:深圳富泰宏精密工业有限公司