使上盖的转动速度较慢。
[0051]由上可知，在上盖开启过程的初段和关闭过程的末段，气缸I驱动上盖以较慢的速度转动，这样可以在该过程中使上盖与反应腔室的腔体之间避免发生由于上盖转动速度太快而引起的碰撞；在上盖开启过程的末段和关闭过程的初段，气缸I驱动上盖以较慢的速度转动，这样可以在该过程中使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；而在上盖开启和关闭过程的中段，气缸I驱动上盖以较快的速度转动，这样可以减小上盖的开启或关闭所需的时间，从而提高工作效率。
[0052]与上述第一实施例相比，本实施例提供的上盖控制装置借助流量控制阀(31、32)在上盖的开启和关闭过程中自动地调节通入气缸I的气体的流量，从而省去了并联的多个管路结构，从而使其结构更加简单，并且使流量的调节过程更加易于控制。
[0053]综上所述，本发明实施例提供的上盖控制装置，其检测单元2在上盖的开启或关闭过程中检测上盖的张开角度是否到达预设角度，并在检测到上盖的张开角度到达预设角度时，向控制单元发送检测信号，控制单元根据该检测信号向流量调节单元3发送控制信号，流量调节单元3根据该控制信号调节通入气缸I内的气体的流量，使气缸I驱动上盖在其开启或关闭过程中进行变速；从而，本发明实施例提供的上盖控制装置可以在上盖开启过程的初段和关闭过程的末段，控制上盖以较慢的速度转动，使上盖与反应腔室的腔体之间不发生碰撞；以及在上盖开启过程的末段和关闭过程的初段，控制上盖以较慢的速度转动，使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；还可以在上盖开启和关闭过程的中段，控制上盖以较快的速度转动，从而可以提高上盖开启或关闭的速度，提高工作效率。
[0054]作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，反应腔室包括腔体、上盖和上盖控制装置，该上盖控制装置本发明上述实施例提供的上盖控制装置。
[0055]本发明实施例提供的半导体加工设备，其采用本发明上述实施例提供的上盖控制装置，可以使上盖在其开启或关闭过程中进行变速；从而，在反应腔室的上盖开启过程的初段和关闭过程的末段，上盖可以以较慢的速度转动，使上盖与反应腔室的腔体之间不发生碰撞；以及在上盖开启过程的末段和关闭过程的初段，上盖可以以较慢的速度转动，使上盖以及上盖与腔体之间的连接结构不发生抖动；在上盖开启和关闭过程的中段，上盖可以以较快的速度转动，从而可以提高上盖开启或关闭的速度，提高工作效率。
[0056]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种上盖控制装置，用于控制反应腔室的上盖开启或者关闭，其包括气缸和气路控制单元，所述气缸用于在所述气路控制单元的控制下驱动所述上盖开启或关闭；其特征在于，所述气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元；其中 所述检测单元用于在所述上盖开启和关闭的过程中，检测所述上盖的张开角度是否到达预设角度，若是，则向所述控制单元发送检测信号； 所述控制单元用于根据所述检测信号向所述流量调节单元发送控制信号； 所述流量调节单元用于根据所述控制信号在所述上盖的开启或关闭过程中对通入所述气缸的流量进行调节，以改变所述上盖开启或关闭的速度。2.根据权利要求1所述的上盖控制装置，其特征在于，所述气路控制单元包括开盖气路和闭盖气路，其中 所述开盖气路用于通过向所述气缸的第一腔通入气体，使所述气缸驱动所述上盖开启; 所述闭盖气路用于通过向所述气缸的第二腔通入气体，使所述气缸驱动所述上盖关闭。3.根据权利要求2所述的上盖控制装置，其特征在于，所述流量调节单元包括第一流量控制阀和第二流量控制阀； 所述控制单元在所述上盖的开启过程中，根据所述检测信号向所述第一流量控制阀发送控制信号；所述第一流量控制阀设于所述开盖气路上，用于在所述上盖的开启过程中，根据所述控制信号对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节； 所述控制单元在所述上盖的关闭过程中，根据所述检测信号向所述第二流量控制阀发送控制信号；所述第二流量控制阀设于所述闭盖气路上，用于在所述上盖的关闭过程中，根据所述控制信号对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。4.根据权利要求2所述的上盖控制装置，其特征在于，所述开盖气路包括相互并联的多个第一支路；所述流量调节单元包括第一通断阀和第一节流阀； 所述第一节流阀的数量与所述第一支路的数量相对应，且所述第一节流阀一一对应地设置于所述第一支路上，或者，所述第一节流阀的数量少于所述第一支路的数量，且所述第一节流阀一一对应地设置于其中一部分第一支路上；每个第一节流阀用于调节其所在第一支路的流量； 所述控制单元在所述上盖的开启过程中，根据所述检测信号向所述第一通断阀发送控制信号；所述第一通断阀根据所述控制信号，可选择地接通所有第一支路中的至少一个，以对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节。5.根据权利要求2所述的上盖控制装置，其特征在于，所述闭盖气路包括相互并联的多个第二支路；所述流量调节单元包括第二通断阀和第二节流阀； 所述第二节流阀的数量与所述第二支路的数量相对应，且所述第二节流阀一一对应地设置于所述第二支路上，或者，所述第二节流阀的数量少于所述第二支路的数量，且所述第二节流阀一一对应地设置于其中一部分第二支路上；每个第二节流阀用于调节其所在第二支路的流量； 所述控制单元在所述上盖的关闭过程中，根据所述检测信号向所述第二通断阀发送控制信号；所述第二通断阀根据所述控制信号，可选择地接通所有第一支路中的至少一个，以对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。6.根据权利要求4所述的上盖控制装置，其特征在于，所述第一通断阀包括电磁阀。7.根据权利要求5所述的上盖控制装置，其特征在于，所述第二通断阀包括电磁阀。8.根据权利要求1所述的上盖控制装置，其特征在于，所述检测单元包括位置传感器，所述位置传感器对应地设置在所述上盖到达所述预设角度时，所述气缸的活塞所在的位置处； 所述位置传感器在所述上盖到达所述预设角度时，向所述控制单元发送检测信号。9.根据权利要求8所述的上盖控制装置，其特征在于，所述预设角度包括一个或者角度不同的多个；所述位置传感器的数量为一个或多个，且所述位置传感器和预设角度一一对应。10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室包括腔体、上盖和上盖控制装置，其特征在于，所述上盖控制装置采用权利要求1-9任意一项所述的上盖控制装置。
【专利摘要】本发明涉及一种上盖控制装置及半导体加工设备，其包括气缸和气路控制单元，气缸用于在气路控制单元的控制下驱动上盖开启或关闭；气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元；检测单元用于在上盖开启和关闭的过程中，检测上盖是否到达预设的张开角度，若是，则向控制单元发送检测信号；控制单元用于根据检测信号向流量调节单元发送控制信号；流量调节单元用于根据控制信号在上盖的开启或关闭过程中对通入气缸的流量进行调节，以改变上盖开启或关闭的速度。上盖控制装置可以使上盖在其开启或关闭过程中进行变速；从而可以使上盖在其开启的初段和末段，以及关闭的初段和末段，以较慢的速度转动；在上盖开启和关闭的中段，以较快的速度转动。
【IPC分类】H01L21/00, F15B11/00
【公开号】CN105090139
【申请号】CN201410218803
【发明人】田成微
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月22日