半导体元件、其制造方法及使用其的传感器与流程

技术特征：

技术总结
本发明的课题在于提供作为传感器使用时具有高检测敏感度的半导体元件。本发明涉及半导体元件，其含有有机膜、第1电极、第2电极及半导体层，前述第1电极、前述第2电极及前述半导体层形成于前述有机膜上，前述半导体层被配置于前述第1电极与前述第2电极之间，前述半导体层含有碳纳米管，水相对前述有机膜的接触角为5度以上且50度以下。

技术研发人员：矶贝和生;村濑清一郎;清水浩二
受保护的技术使用者：东丽株式会社
技术研发日：2016.08.08
技术公布日：2018.04.17