自动分析装置的制造方法_4

文档序号:9476058阅读:来源:国知局
打开第一夹管阀7,通过预先利用 蒸馈水对前端进行了洗涂的送液探针2,使用注射器11从缓冲液瓶3内吸引1000y1的包 含TPA的缓冲液,对在导管P2和流通池单元10的流室17内残留的洗涂液进行冲洗,之后, W缓冲液来替换导管P2和流室17内。通过该操作,完成针对一个样品的TSH的测定。
[0073] 为了使用上述操作和流通池6来讨论实际的SN比的提高,分别测定了作为相当于 信号的缓冲液而包含TSH的缓冲液(浓度:luIU/ml)、此外作为相当于噪声的缓冲液而不包 含T甜并且包含引诱标识物的激发的物质(TPA)的缓冲液,进行了发光量(任意单位)的比 较。在表1中示出其结果。
[0074][表1] 表1
在表1中一并记载了使用图5所示的作用电极形状的流通池的情况下的测定结果来作 为比较例1。在图5所示的作用电极15-2中,在流室露出的区域的面积与磁石的顶上部大 体上一致,为约23. 1mm2。除此W外的结构与图4相同。因而,作用电极的在流室内露出的 区域的面积比磁石的顶上部的面积稍大,前者相对于后者的比率为23. 1/23〉100%。进而,作 用电极的在流室内露出的区域的重屯、91与磁石的顶上部的重屯、92 -致。
[00巧]如根据表1可知的那样,本实施例1与比较例1相比,SN比(表1中的信号/噪声) 高。运可考虑是由于,通过在捕捉磁性体粒子的区域中选择性地配置了作用电极,从而相对 于来自由来于TSH的作为目的的发光标识的发光的比例,能够提高发光引诱剂的发光的比 例。
[007引实施例2 在图6中示出本发明的其他实施方式。
[0077] 流通池的结构除了作用电极形状W外与在实施例1中制作出的流通池相同。作用 电极15-3在流室中露出的区域中分成两支。将处于流室的上游侧的露出区域称为上游侧 作用电极露出区域,此外,将处于下游侧的露出区域称为下游侧作用电极露出区域。
[0078]上游侧作用电极露出区域在其上游侧两端部具有上游侧凹部94。此外,上游侧作 用电极露出区域在其下游侧具有下游侧凹部95。此外,上游侧作用电极露出区域的重屯、 91-3与磁石的顶上部的重屯、92相比处于上游侧,下游侧作用电极露出区域的重屯、93与磁 石的顶上部的重屯、92相比处于下游侧。
[0079] 在图6所示的作用电极15-3中,关于在流室内露出的区域的面积,使上游侧作用 电极露出区域和下游侧作用电极露出区域加在一起为14. 5皿2。因而,作用电极的在流室内 露出的区域的面积比磁石的顶上部的面积小,前者相对于后者的比率为14. 5/23=63%(比 2/3小)。
[0080]如根据表1可知的那样,可知本实施例2与比较例1进而实施例2相比,SN比更 高。运可考虑是由于,通过将作用电极形状设为与捕捉磁性体粒子的区域更接近的形状,从 而相对于来自由来于TSH的作为目的的发光标识的发光的比例,能够提高发光引诱剂的发 光的比例。
[00引]实施例3 示出本发明的其他实施例。
[0082] 在本实施例中,使作用电极的形状与W往相同。关于光接收窗22,光接收窗的一 部分被覆盖,W使得从捕捉区域的下游侧产生的发光不会进入到光电子倍增管。由此,来自 噪声分量多的区域的发光不会进入到光电子倍增管,因此,导致SN比的提高。此外,通过覆 盖光接收窗,从而不需要电极形状的精细加工和控制(可W为与比较例相同的更简便的形 状)。因而,能够抑制由于对电极形状进行加工时的电极端部等的加工精度偏差所引起的电 化学反应效率的偏差。目P,能够在不使流通池或者分析装置具有的精度降低的情况下提高 SN比。
[0083] 附图标记的说明 1容器 2送液探针 3缓冲液瓶 4洗涂液瓶 5洗涂槽 6流通池 7第一夹管阀 8第二夹管阀 9第=夹管阀 10流通池单元 11注射器 。累 13废液瓶 14蒸馈水瓶 15作用电极 16a、16b对置电极 17流室 18池基板 18a间隔件 18b片材构件 18c凹处 19光电子倍增管 20屏蔽管 21PMT壳体 22光接收窗 24磁石 25磁石保持件 25A控制杆 26步进电动机 27插口 28支点 30采样探针 31样品瓶 32磁珠瓶 33第一试剂瓶 34第二试剂瓶 35流路入口 36流路出口 50、51接头 81与磁石的顶上部对应的区域 91作用电极的在流室内露出的区域的重屯、 91-3上游侧作用电极露出区域的重屯、 92磁石的顶上部的重屯、 93下游侧作用电极露出区域的重屯、 94上游侧凹部 95下游侧凹部。
【主权项】
1. 一种分析装置,其特征在于,具备: 流室,在其中,包含标识物被结合的磁性体粒子的流体从流体入口流向流体出口; 磁阱单元,对被导入到所述流室内的流体施加用于捕捉磁性体粒子的磁场; 作用电极和对置电极,对由所述磁阱单元所捕捉的磁性体粒子施加电压而使其发光; 光感测元件,检测来自被捕捉到所述流室内的磁性体粒子上的标识物的发光;以及 限制单元,限制所述光感测元件检测发光的区域,以使得检测来自被所述磁阱单元所 捕捉的磁性粒子之中的一部分磁性粒子上的标识物的发光。2. 根据权利要求1所述的分析装置,其特征在于, 所述限制单元是形成为在由所述磁阱单元捕捉磁性体粒子的流室内面壁的上游侧的 一部分露出的作用电极。3. 根据权利要求2所述的分析装置,其特征在于, 所述作用电极露出的区域的面积为所述磁阱单元的顶上部的面积的2/3以下。4. 根据权利要求1~3中的任一项所述的分析装置,其特征在于, 所述作用电极露出的区域的重心与所述磁阱单元的顶上部的重心相比处于所述流室 内的上游侧。5. 根据权利要求2所述的分析装置,其特征在于, 关于所述作用电极露出的部分的形状,下游侧形成为凹部。6. 根据权利要求2所述的分析装置,其特征在于, 关于所述作用电极露出的部分的形状,上游侧的流室的侧壁附近形成为凹部。7. 根据权利要求2所述的分析装置,其特征在于, 所述作用电极露出的部分的形状被分为包含处于所述流室内的上游侧的上游侧作用 电极露出区域、以及处于所述流室内的下游侧的下游侧作用电极露出区域的至少两个以上 的区域。8. 根据权利要求7所述的分析装置,其特征在于, 所述上游侧作用电极露出区域的重心与所述磁阱单元的顶上部的重心相比位于上游 侧。9. 根据权利要求7所述的分析装置,其特征在于, 所述下游侧作用电极露出区域的重心与所述磁阱单元的顶上部的重心相比位于下游 侧。10. 根据权利要求1所述的分析装置,其特征在于, 所述限制单元是使从由所述磁阱单元所捕捉的磁性粒子上的标识物发出的发光之中 的上游侧的一部分通过而不使其他的发光通过的窗。11. 一种流通池,具有: 流体入口,导入包含标识物被结合的磁性体粒子的流体; 流体出口,排出所述流体; 捕捉区域,捕捉被导入的磁性体粒子; 作用电极和对置电极,对被捕捉到所述捕捉区域的磁性粒子上的标识物施加电压而使 其发光;以及 窗,与所述捕捉区域对置地设置,使来自标识物的发光通过, 所述流通池的特征在于,具备限制单元,所述限制单元进行限制,以使得通过所述窗的 发光为来自被捕捉到所述捕捉区域的磁性体粒子之中的一部分磁性体粒子上的标识物的 发光。12. 根据权利要求11所述的流通池,其特征在于, 所述限制单元是形成为在所述捕捉区域的上游侧的一部分露出的作用电极。13. 根据权利要求12所述的流通池,其特征在于, 所述作用电极露出的区域的面积为所述捕捉区域的面积的2/3以下。14. 根据权利要求12所述的流通池,其特征在于, 所述作用电极露出的区域的重心与所述捕捉区域的重心相比处于上游侧。15. 根据权利要求12所述的流通池,其特征在于, 关于所述作用电极露出的区域的形状,下游侧形成为凹部。16. 根据权利要求12所述的流通池,其特征在于, 关于所述作用电极露出的区域的形状,上游侧的流路侧壁附近形成为凹部。17. 根据权利要求12所述的流通池,其特征在于, 所述作用电极露出的区域的形状被分为包含在流路的上游侧露出的上游侧作用电极 露出区域、以及在流路的下游侧露出的下游侧作用电极露出区域的至少两个以上的区域。18. 根据权利要求17所述的流通池,其特征在于, 所述上游侧作用电极露出区域的重心与所述捕捉区域的重心相比位于上游侧。19. 根据权利要求17所述的流通池,其特征在于, 所述下游侧作用电极露出区域的重心与所述捕捉区域的重心相比位于下游侧。20. 根据权利要求11所述的流通池,其特征在于, 所述限制单元是形成为仅使来自所述捕捉区域的上游侧的一部分的发光通过的窗。
【专利摘要】本发明的分析装置具备:流室,在其中,包含标识物被结合的磁性体粒子的流体从流体入口流向流体出口;磁阱单元,对被导入到流室内的流体施加用于捕捉磁性体粒子的磁场;作用电极和对置电极,对由磁阱单元所捕捉的磁性体粒子施加电压而使其发光;光感测元件,检测来自被捕捉到流室内的磁性体粒子上的标识物的发光;以及限制单元,限制光感测元件检测发光的区域,以使得检测来自被磁阱单元所捕捉的磁性粒子之中的一部分磁性粒子上的标识物的发光。
【IPC分类】G01N21/76, G01N27/28, G01N35/08, G01N27/416
【公开号】CN105229449
【申请号】CN201480007866
【发明人】信木俊一郎, 前岛宗郎, 田村辉美, 今井健太
【申请人】霍夫曼-拉罗奇有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2014年1月23日
【公告号】CA2900450A1, EP2955508A1, US20160061831, WO2014122996A1
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