一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，包括自动传输线、电磁铁、升降杆、厚度检测装置、伸缩挡杆和计算机。自动传输线上设有厚度尺寸检测工位，位于厚度尺寸检测工位正下方的自动传输线底部固定设有电磁铁，厚度尺寸检测工位的正上方设有厚度检测装置，该厚度检测装置与电磁铁同轴设置；位于厚度尺寸检测工位上游的自动传输线上设有伸缩挡杆；厚度检测装置的高度能够升降；厚度检测装置包括大环形轨道、小环形轨道、数显百分表一和数显百分表二；数显百分表一滑动设置在大环形轨道的底部，数显百分表二滑动设置在小环形轨道的底部。采用上述结构后，能在线实时检测压制产品的厚度尺寸，检测效率高，检测数据可靠。
【专利说明】
一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置
技术领域
[0001]本发明涉及陶瓷电容器生产领域用检验装置，特别是一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置。
【背景技术】
[0002]传统的分立元件一陶瓷电容器以圆片形为主，这种结构成型简单、工艺成熟、操作简便，便于批量化、规模化生产。
[0003]但陶瓷电容器中的瓷介质芯片，在成型压制阶段，厚度尺寸为非模具保证尺寸，也即为压制管控尺寸，由于粉料填充重量，粉料松装密度，粉料颗粒度、粉料流动性，压机自身状态等多方面的原因，压制后的瓷介质芯片厚度尺寸差异很大，需要不断检测，及时发现尺寸不良品，并及时调整。因此，对瓷介质芯片厚度尺寸的检测与管控显得非常重要。
[0004]目前，瓷介质芯片的厚度尺寸检测主要靠操作员工自检及检查人员巡视，检测频率间隔长，检验时间不固定，且均为事后检验，不能及时发现不良，等检测发现不良现象时，已经有批量压制不良广品，广品报废率尚。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，该双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置能在线实时检测压制产品的厚度尺寸，检测效率高，检测数据可靠。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是:
[0007]—种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，包括自动传输线、电磁铁、升降杆、厚度检测装置、伸缩挡杆和计算机。
[0008]瓷介质芯片包括同轴设置的圆盘凹部和圆环凸部，圆盘凹部位于圆环凸部的内部，圆环凸部的厚度为圆盘凹部厚度1.2?3倍，圆盘凹部的直径为瓷介质芯片的2/3?4/5;圆盘凹部和圆环凸部的交接处设置有圆弧，瓷介质芯片为整体压制成型。
[0009]自动传输线上设置有厚度尺寸检测工位，位于厚度尺寸检测工位正下方的自动传输线底部固定设置有电磁铁，厚度尺寸检测工位的正上方设置有厚度检测装置，该厚度检测装置与电磁铁同轴设置;位于厚度尺寸检测工位上游的自动传输线上设置有伸缩挡杆。
[0010]厚度检测装置的高度能够升降。
[0011]厚度检测装置包括大环形轨道、小环形轨道、数显百分表一和数显百分表二;大环形轨道的直径大于圆盘凹部的直径但小于圆环凸部的直径，小环形轨道的直径小于圆盘凹部的直径;大环形轨道和小环形轨道直径通过若干根支撑杆相连接;数显百分表一滑动设置在大环形轨道的底部，数显百分表二滑动设置在小环形轨道的底部。
[0012]上述电磁铁、升降杆、厚度检测装置和伸缩挡杆均与计算机相连接。
[0013]厚度检测装置通过升降杆固定设置在自动传输线的一侧，升降杆上设置有位移传感器。
[0014]位于厚度尺寸检测工位上游的自动传输线上设置有能打开和闭合的定位杆。
[0015]所述电磁铁的面积大于瓷介质芯片的面积。
[0016]电磁铁为圆形，电磁铁的直径大于瓷介质芯片的直径，但小于1.5倍瓷介质芯片直径。
[0017]本发明采用上述结构后，当瓷介质芯片传输至厚度尺寸检测工位时，厚度尺寸检测工位上的电磁铁通电，从而使待检测的瓷介质芯片固定在厚度尺寸检测工位。位于厚度尺寸检测工位上游的伸缩挡杆以及位于厚度尺寸检测工位下游的定位杆均闭合，定位杆对瓷介质芯片的位置进行定位，使瓷介质芯片与圆形轨道相对应。伸缩挡杆对后续的磁介质芯片进行阻挡。
[0018]然后，升降杆下降，位移传感器对升降杆的升降位移进行实时监测，当达到设定位移时，升降杆停止下降，数显百分表一在大环形轨道上滑动一圈，数显百分表二在小环形轨道上滑动一圈，从而完成对磁介质芯片圆盘凹部整个圆周和圆环凸部整个圆周厚度尺寸的测量，并将测试数据传递给计算机，计算机根据设定值进行分析判定。
[0019]整个测量过程，全部自动完成，自动化程度高，能在线实时检测压制产品的厚度尺寸，检测效率高，检测数据可靠。
【附图说明】
[0020]图1是本发明一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置的结构示意图。
[0021]图2显示了图1中瓷介质芯片的结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图和具体较佳实施方式对本发明作进一步详细的说明。
[0023]如图1和图2所示，一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，其中有自动传输线1、厚度尺寸检测工位11、电磁铁111、升降杆2、位移传感器21、大环形轨道31、小环形轨道32、支撑杆33、数显百分表一 71、数显百分表二 72、计算机5、伸缩挡杆6、瓷介质芯片4、圆环凸部41、圆盘凹部42、圆弧43和定位杆8等主要技术特征。
[0024]—种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，包括自动传输线、电磁铁、升降杆、厚度检测装置、伸缩挡杆和计算机。
[0025]瓷介质芯片包括同轴设置的圆盘凹部和圆环凸部，圆盘凹部位于圆环凸部的内部，圆环凸部的厚度为圆盘凹部厚度1.2?3倍，圆盘凹部的直径为瓷介质芯片的2/3?4/5;圆盘凹部和圆环凸部的交接处设置有圆弧，瓷介质芯片为整体压制成型。
[0026]自动传输线上设置有厚度尺寸检测工位，位于厚度尺寸检测工位正下方的自动传输线底部固定设置有电磁铁，厚度尺寸检测工位的正上方设置有厚度检测装置，该厚度检测装置与电磁铁同轴设置;位于厚度尺寸检测工位上游的自动传输线上设置有伸缩挡杆。
[0027]厚度检测装置的高度能够升降。
[0028]厚度检测装置包括大环形轨道、小环形轨道、数显百分表一和数显百分表二;大环形轨道的直径大于圆盘凹部的直径但小于圆环凸部的直径，小环形轨道的直径小于圆盘凹部的直径;大环形轨道和小环形轨道直径通过若干根支撑杆相连接;数显百分表一滑动设置在大环形轨道的底部，数显百分表二滑动设置在小环形轨道的底部。
[0029]上述电磁铁、升降杆、厚度检测装置和伸缩挡杆均与计算机相连接。
[0030]厚度检测装置通过升降杆固定设置在自动传输线的一侧，升降杆上设置有位移传感器。
[0031]位于厚度尺寸检测工位上游的自动传输线上设置有能打开和闭合的定位杆。
[0032]所述电磁铁的面积大于瓷介质芯片的面积。
[0033]电磁铁为圆形，电磁铁的直径大于瓷介质芯片的直径，但小于1.5倍瓷介质芯片直径。
[0034]本发明采用上述结构后，当瓷介质芯片传输至厚度尺寸检测工位时，厚度尺寸检测工位上的电磁铁通电，从而使待检测的瓷介质芯片固定在厚度尺寸检测工位。位于厚度尺寸检测工位上游的伸缩挡杆以及位于厚度尺寸检测工位下游的定位杆均闭合，定位杆对瓷介质芯片的位置进行定位，使瓷介质芯片与圆形轨道相对应。伸缩挡杆对后续的磁介质芯片进行阻挡。
[0035]然后，升降杆下降，位移传感器对升降杆的升降位移进行实时监测，当达到设定位移时，升降杆停止下降，数显百分表一在大环形轨道上滑动一圈，数显百分表二在小环形轨道上滑动一圈，从而完成对磁介质芯片圆盘凹部整个圆周和圆环凸部整个圆周厚度尺寸的测量，并将测试数据传递给计算机，计算机根据设定值进行分析判定。
[0036]整个测量过程，全部自动完成，自动化程度高，能在线实时检测压制产品的厚度尺寸，检测效率高，检测数据可靠。
[0037]以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，其特征在于:包括自动传输线、电磁铁、升降杆、厚度检测装置、伸缩挡杆和计算机； 瓷介质芯片包括同轴设置的圆盘凹部和圆环凸部，圆盘凹部位于圆环凸部的内部，圆环凸部的厚度为圆盘凹部厚度1.2?3倍，圆盘凹部的直径为瓷介质芯片的2/3?4/5;圆盘凹部和圆环凸部的交接处设置有圆弧，瓷介质芯片为整体压制成型； 自动传输线上设置有厚度尺寸检测工位，位于厚度尺寸检测工位正下方的自动传输线底部固定设置有电磁铁，厚度尺寸检测工位的正上方设置有厚度检测装置，该厚度检测装置与电磁铁同轴设置;位于厚度尺寸检测工位上游的自动传输线上设置有伸缩挡杆； 厚度检测装置的高度能够升降； 厚度检测装置包括大环形轨道、小环形轨道、数显百分表一和数显百分表二；大环形轨道的直径大于圆盘凹部的直径但小于圆环凸部的直径，小环形轨道的直径小于圆盘凹部的直径;大环形轨道和小环形轨道直径通过若干根支撑杆相连接;数显百分表一滑动设置在大环形轨道的底部，数显百分表二滑动设置在小环形轨道的底部； 上述电磁铁、升降杆、厚度检测装置和伸缩挡杆均与计算机相连接。2.根据权利要求1所述的一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，其特征在于:厚度检测装置通过升降杆固定设置在自动传输线的一侧，升降杆上设置有位移传感器。3.根据权利要求1所述的一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，其特征在于:位于厚度尺寸检测工位上游的自动传输线上设置有能打开和闭合的定位杆。4.根据权利要求1所述的一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，其特征在于:所述电磁铁的面积大于瓷介质芯片的面积。5.根据权利要求4所述的一种双电极高压陶瓷电容器瓷介质芯片厚度检测装置，其特征在于:电磁铁为圆形，电磁铁的直径大于瓷介质芯片的直径，但小于1.5倍瓷介质芯片直径。
【文档编号】G01B5/06GK106017270SQ201610545675
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月12日
【发明人】钱云春
【申请人】苏州宏泉高压电容器有限公司