工艺步骤的相应值进行设置；
[0047] A300,对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值相同 的调整参数，不进行调整参数设置；
[0048] 所述调整参数为气体流量，摆阀压力或者摆阀位置，上匹配器位置，下匹配器位 置，上射频功率，以及下射频功率。
[0049] 在对深硅刻蚀工艺中各参数，也即所述调整参数，进行设置之前，也即在执行步骤 S100~S600之前，执行步骤A100,根据工艺表单中的相应值对当前步骤的气体流量，摆阀 压力或者摆阀位置，上匹配器位置，下匹配器位置，上射频功率，以及下射频功率与前一工 艺步骤中的值进行比较，判断相应值是否有变化。对发生变化的调整参数根据工艺表单中 的值进行重新设置，对没有发生变化的调整参数值保持不变，也不再对其进行设置。如相对 前一工艺步骤只有气体流量发生变化，则执行步骤S100,对当前工艺步骤的气体流量进行 重新设置。摆阀压力或者摆阀位置，上匹配器位置，下匹配器位置，上射频功率，以及下射频 功率都没有发生变化，则在当前工艺步骤的控制中不执行步骤S200~S600,不再进行重新 设置。
[0050] 设置完成后等待设定时间用于执行当前工艺加工步骤，一般在1S到4S之间。之 后再进行下一工艺步骤的设置。
[0051] 本发明实施例通过增加判断的步骤，在当前工艺步骤中的参数值与前一工艺步骤 参数相同时，不再对相应参数进行设置，节省了设置时间，从整体上缩短工艺步骤中参数设 置的时间，提商生广效率。
[0052] 在其中一个实施例中，还包括以下步骤：
[0053] A010,创建包含所述调整参数名称及前一工艺步骤参数值的Map虚拟表格；
[0054] A400,当完成当前步骤的所述调整参数设置之后，将所设置的当前工艺步骤的调 整参数的参数值写入到所述Map虚拟表格中，得到新的前一工艺步骤参数值。
[0055] 首先使用Map数据结构保存一个虚拟表格，如表1所示。
[0056] 表1虚拟参数表
[0057]
【主权项】
1. 一种深硅刻蚀工艺控制的方法，包括设置气体流量的步骤，设置摆阀压力或者摆阀 位置的步骤，设置上匹配器位置的步骤，设置下匹配器位置的步骤，设置上射频功率的步 骤，以及设置下射频功率的步骤，其特征在于，还包括以下步骤： 判断所述深硅刻蚀工艺的当前工艺步骤中的调整参数与所述当前工艺步骤的前一工 艺步骤中相应值是否相同； 对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值不同的调整参 数，根据工艺表单中所述当前工艺步骤的相应值进行设置； 对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值相同的调整参 数，不进行调整参数设置； 所述调整参数为气体流量，摆阀压力或者摆阀位置，上匹配器位置，下匹配器位置，上 射频功率，以及下射频功率。
2. 根据权利要求1所述的深硅刻蚀工艺控制的方法，其特征在于，还包括以下步骤： 创建包含所述调整参数名称及前一工艺步骤参数值的Map虚拟表格； 当完成当前步骤的所述调整参数设置之后，将所设置的当前工艺步骤的调整参数的参 数值写入到所述Map虚拟表格中，得到新的前一工艺步骤参数值。
3. 根据权利要求2所述的深硅刻蚀工艺控制的方法，其特征在于，还包括以下步骤： 初始化所述Map虚拟表格，将所述前一工艺步骤参数值设定在工艺参数值域之外。
4. 根据权利要求3所述的深硅刻蚀工艺控制的方法，其特征在于，将所述前一工艺步 骤参数值设定为负值。
5. 根据权利要求2所述的深硅刻蚀工艺控制的方法，其特征在于，还包括以下步骤： 判断当前的循环次数是否小于等于预设的循环次数，若是则进行进一步的判断，否则 结束所述深硅刻蚀工艺； 判断当前执行的工艺步骤的数目是否小于等于预设工艺步骤数目，若是则对所述调整 参数进行设置，否则进入下一工艺步骤循环。
6. -种深硅刻蚀工艺控制的系统，包括设置模块，用于设置气体流量、设置摆阀压力或 者摆阀位置、设置上匹配器位置、设置下匹配器位置、设置上射频功率、以及设置下射频功 率，其特征在于，还包括第一判断模块，第一调整模块，以及第二调整模块，其中： 所述第一判断模块，用于判断所述深硅刻蚀工艺的当前工艺步骤中的调整参数与所述 当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值是否相同； 所述第一调整模块，用于对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺步骤 中相应值不同的调整参数，根据工艺表单中所述当前工艺步骤的相应值进行设置； 所述第二调整模块，用于对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺步骤 中相应值相同的调整参数，不进行调整参数设置； 所述调整参数为气体流量，摆阀压力或者摆阀位置，上匹配器位置，下匹配器位置，上 射频功率，以及下射频功率。
7. 根据权利要求6所述的深硅刻蚀工艺控制的系统，其特征在于，还包括表格创建模 块及参数值写入模块，其中： 所述表格创建模块，用于创建包含所述调整参数名称及前一工艺步骤参数值的Map虚 拟表格； 所述参数值写入模块，用于当完成当前步骤的所述调整参数设置之后，将所设置的当 前工艺步骤的调整参数的参数值写入到所述Map虚拟表格中，得到新的前一工艺步骤参数 值。
8. 根据权利要求7所述的深硅刻蚀工艺控制的系统，其特征在于，还包括初始化模块， 用于初始化所述Map虚拟表格，将所述前一工艺步骤参数值设定在工艺参数值域之外。
9. 根据权利要求8所述的深硅刻蚀工艺控制的系统，其特征在于，所述初始化模块将 所述前一工艺步骤参数值设定为负值。
10. 根据权利要求7所述的深硅刻蚀工艺控制的系统，其特征在于，还包括第二判断模 块及第三判断模块，其中： 所述第二判断模块，用于判断当前的循环次数是否小于等于预设的循环次数，若是则 进一步对工艺步骤进行判断，否则结束所述深硅刻蚀工艺； 所述第三判断模块，用于判断当前执行的工艺步骤的数目是否小于等于预设工艺步骤 数目，若是则对所述调整参数进行设置，否则进入下一工艺步骤循环。
【专利摘要】本发明公开了一种深硅刻蚀工艺控制的方法及系统。其中该方法包括设置气体流量的步骤，设置摆阀压力或者摆阀位置的步骤，设置上匹配器位置的步骤，设置下匹配器位置的步骤，设置上射频功率的步骤，以及设置下射频功率的步骤，还包括以下步骤：判断深硅刻蚀工艺的当前工艺步骤中的调整参数与当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值是否相同；对当前工艺步骤中与当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值不同的调整参数，根据工艺表单中当前工艺步骤的相应值进行设置；对当前工艺步骤中与当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值相同的调整参数，不进行调整参数设置。其缩短了工艺步骤中参数设置的时间，提高生产效率。
【IPC分类】B81C1-00, G05B19-04
【公开号】CN104749973
【申请号】CN201310744191
【发明人】马平, 马永超
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月30日