半导体工艺配方加载方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种兼容IC刻蚀设备和深硅刻蚀设备的半导体工艺配方加载方法及系统。
【背景技术】
[0002]Recipe (自动化工艺配方)是半导体设备软件的重要功能模块，它负责存储设备自动化工艺配方。一般情况下，例如，IC刻蚀设备，机台在执行自动工艺时只需调用一个Recipe,下发给设备,设备按照Recipe执行工艺。然而随着刻蚀工艺的发展，机台在执行自动化工艺时已不再局限于只调用单一 Recipe这种形式，例如具有博时工艺的深硅刻蚀设备，机台在执行自动工艺时通常会调用多个Recipe来实现娃片的刻蚀。
[0003]对于深硅刻蚀设备，系统提供父Recipe的编辑功能，将多个子Recipe组织成一个父Recipe。执行工艺时，用户选择一个父Recipe下发给设备。而对于IC刻蚀设备，系统不提供父Recipe的编辑功能，执行自动工艺时，用户只需选择一个子Recipe下发给设备。对于深硅刻蚀设备和IC刻蚀设备，系统中子Recipe的编辑部分基本是完全一致的，都需要具有配方编辑、步骤编辑、配方导入导出等功能。
[0004]深娃刻蚀设备的Recipe编辑模块维护一个名为RecipeConfig的XML文件,该文件负责组织父Recipe与子Recipe的存储关系。而IC刻蚀设备的Recipe编辑模块不需要维护这种XML文件,系统在下发Recipe时只下发一个子Recipe。
[0005]基于上述情况，传统的半导体工艺配方加载方法及系统，通常包括两种Recipe界面，对于深硅刻蚀设备和IC刻蚀设备分别加载相应的界面。这样，开发人员需要维护两套界面，用来实现两种不同的Recipe编辑方式。但是,对于深娃刻蚀设备和IC刻蚀设备而言，两套界面有很多相同的功能代码，当这部分功能代码需要更改时，开发人员必须在两处做相同的修改，增加了代码维护操作以及修改风险。
【发明内容】
[0006]基于此，有必要针对现有技术的缺陷和不足，提供一种兼容IC刻蚀设备和深硅刻蚀设备的半导体工艺配方加载方法及系统，以减少代码维护操作以及出错风险。
[0007]为实现本发明目的而提供的半导体工艺配方加载方法，包括以下步骤:
[0008]S100,设置深硅刻蚀设备的Recipe编辑页面为初始加载页面；
[0009]S200，从半导体工艺任务中读取机台类型数据，并根据读取结果检测机台的类型；
[0010]S300，当所述机台的类型为深硅刻蚀设备时，加载所述初始加载页面进行配方编辑；
[0011]S400，当所述机台的类型为IC刻蚀设备时，为所述半导体工艺任务中的所有子Recipe分别动态创建一个同名的父Recipe,生成当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件；
[0012]S500,根据生成的所述当前工艺配置的RecipeConf ig.xml文件,加载所述IC刻蚀设备的Recipe编辑页面进行配方编辑。
[0013]其中，在步骤S200之后，还包括如下步骤:
[0014]S210，当所述机台的类型不是深硅刻蚀设备或IC刻蚀设备时，返回步骤S200。
[0015]其中，所述半导体工艺配方加载方法还包括以下步骤:
[0016]S600，在加载所述IC刻蚀设备的Recipe编辑页面时，隐藏所述IC刻蚀设备的Recipe编辑页面中的父Recipe的编辑栏和显示栏,调整所述IC刻蚀设备的Recipe编辑页面中的控件位置。
[0017]其中，所述步骤S400包括以下步骤:
[0018]S410，读取所述半导体工艺任务中的所有子Recipe ；
[0019]S420,判断所述半导体工艺任务中是否存在原始工艺配置的RecipeConfig.xml文件，若判断为是，则删除所述原始工艺配置的RecipeConfig.xml文件；
[0020]S430，若判断为否，则为所述半导体工艺任务中的所有子Recipe分别动态创建一个同名的父Recipe,根据所述子Recipe与其对应的所述父Recipe的存储关系，生成所述当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件。
[0021]相应地，本发明提供的半导体工艺配方加载系统，包括设置模块、检测模块、第一加载模块、配置文件生成模块以及第二加载模块；
[0022]所述设置模块，用于设置深硅刻蚀设备的Recipe编辑页面为初始加载页面；
[0023]所述检测模块，用于从半导体工艺任务中读取机台类型数据，并根据读取结果检测机台的类型；
[0024]所述第一加载模块，用于当所述机台的类型为深硅刻蚀设备时，加载所述初始加载页面进行配方编辑；
[0025]所述配置文件生成模块，用于当所述机台的类型为IC刻蚀设备时，为所述半导体工艺任务中的所有子Recipe分别动态创建一个同名的父Recipe,生成当前工艺配置的RecipeConfig.xml 文件；
[0026]所述第二加载模块,用于根据生成的所述当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件，加载所述IC刻蚀设备的Recipe编辑页面进行配方编辑。
[0027]其中，所述半导体工艺配方加载系统还包括终止模块；
[0028]所述终止模块，用于当所述机台的类型不是深硅刻蚀设备或IC刻蚀设备时，返回检测模块。
[0029]其中，所述半导体工艺配方加载系统还包括页面调整模块；
[0030]所述页面调整模块，用于在所述第二加载模块加载所述IC刻蚀设备的Recipe编辑页面时，隐藏所述IC刻蚀设备的Recipe编辑页面中的父Recipe的编辑栏和显示栏，调整所述IC刻蚀设备的Recipe编辑页面中的控件位置。
[0031]其中，所述配置文件生成模块包括读取单元、判断单元以及生成单元；
[0032]所述读取单元,用于读取所述半导体工艺任务中的所有子Recipe ；
[0033]所述判断单元，用于判断所述半导体工艺任务中是否存在原始工艺配置的RecipeConfig.xml文件，若判断为是，则删除所述原始工艺配置的RecipeConfig.xml文件；
[0034]所述生成单元,用于在判断所述半导体工艺任务中不存在原始的RecipeConfig.xml文件后，为所述半导体工艺任务中的所有子Recipe分别动态创建一个同名的父Recipe,根据所述子Recipe与其对应的所述父Recipe的存储关系，生成所述当前工艺配置的 RecipeConfig.xml 文件。
[0035]本发明的有益效果:本发明提供的半导体工艺配方加载方法及系统，通过设置深硅刻蚀设备的Recipe编辑页面为初始加载页面，在页面加载前检测机台类型，对于深硅刻蚀设备，则直接加载初始加载页面；对于IC刻蚀设备，先为半导体工艺配方中的所有子Recipe分别动态创建一个同名的父Recipe,生成当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件，然后根据当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件加载IC刻蚀设备的Recipe编辑页面。其利用RecipeConfig文件组织Recipe的方式,用一个窗体兼容深娃刻蚀设备和IC刻蚀设备这两种不同机台的Recipe编辑页面，减少了开发人员的维护操作，降低了系统修改风险。
【附图说明】
[0036]为了使本发明的半导体工艺配方加载方法及系统的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体附图及具体实施例，对本发明的半导体工艺配方加载方法及系统进行进一步详细说明。
[0037]图1为本发明的半导体工艺配方加载方法的一个实施例的流程图；
[0038]图2为本发明的半导体工艺配方加载系统的一个实施例的结构图。
【具体实施方式】
[0039]本发明提供的半导体工艺配方加载方法及系统的实施例，如图1至图2所示。
[0040]本发明提供的半导体工艺配方加载方法的一个实施例，如图1所示，包括以下步骤:
[0041]S100,设置深硅刻蚀设备的Recipe编辑页面为初始加载页面；
[0042]S200，从半导体工艺任务中读取机台类型数据，并根据读取结果检测机台的类型；
[0043]S300,当机台的类型为深硅刻蚀设备时，加载初始加载页面进行配方编辑；
[0044]S400,当机台的类型为IC刻蚀设备时，为半导体工艺任务中的所有子Recipe分别动态创建一个同名的父Recipe,生成当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件；
[0045]S500,根据生成的当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件,加载IC刻蚀设备的Recipe编辑页面进行配方编辑。
[0046]对于深硅刻蚀设备，其Recipe编辑模块本来就存在RecipeConfig的XML文件，该文件负责组织深硅刻蚀设备的Recipe编辑模块中的父Recipe与子Recipe的存储关系。初始页面设置为深硅刻蚀设备的Recipe编辑页面，当判断机台为深硅刻蚀设备后，直接加载即可。
[0047]对于IC刻蚀设备，其本来的是Recipe编辑模块中只包含有子Recipe，而不存在父Recipe和RecipeConfig的XML文件,为了使IC刻蚀设备和深娃刻蚀设备的Recipe编辑功能能够在同一界面中显示，必须使IC刻蚀设备和深硅刻蚀设备采用同一种形式存储Recipe。
[0048]本发明实施例提供的半导体工艺配方加载方法，通过设置深硅刻蚀设备的Recipe编辑页面为初始加载页面，在页面加载前检测机台类型，对于深硅刻蚀设备，则直接加载初始加载页面。对于IC刻蚀设备，先为当前半导体工艺配方中的所有子Recipe分别动态创建一个同名的父Recipe,生成当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件,然后根据当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件加载IC刻蚀设备的Recipe编辑页面。其利用RecipeConfig文件组织Recipe的方式，用一个窗体兼容深硅刻蚀设备和IC刻蚀设备这两种不同机台的Recipe编辑页面，减少了开发人员的维护操作，降低了系统修改风险。
[0049]需要说明的是，深硅刻蚀设备的配置文件(RecipeConfig.xml文件)需要系统在用户编辑父Recipe时更改,其父Recipe可以由I个或多个子Recipe组成，用户可以对父Recipe任意进行命名。IC刻蚀设备的配置文件是在设备启动时程序自动创建，为当前半导体工艺配方所有子Recipe都创建一个同名的父Recipe,而每个父Recipe仅由一个同名的子Recipe组成。这样，用户在删除、重命名或新建子Recipe时，程序内部需要对RecipeConfig.xml文件做相应修改，即需要删除或重命名相应的父Recipe。
[0050]较佳地，作为一种可实施方式，在步