技术总结
本实用新型公开了一种高密度高速存储板卡，包括NAND Flash阵列模块、FPGA模块、配置芯片模块、电源管理模块以及接口模块，存储板通过FPGA模块实现了对NAND Flash阵列模块的并行流水读写，达到单板最大3TB容量、存储带宽1.5GB/s的存储系统，具有单板高密度、高速访问的特点，并且上位机能够通过PCIe或者SATA接口控制访问存储系统，本实用新型还具有系统易于集成，数据通信速率高的优点，可应用于雷达高速数据采集存储、半实物仿真等领域对数据存储容量和存储带宽要求较高的场合。
技术研发人员：吴惠阳
受保护的技术使用者：西安辉道电子科技有限公司
文档号码：201620993169
技术研发日：2016.08.29
技术公布日：2017.05.03