压力传感器相连接的电压检测电路不包括减法电路。此时，处理器获取电压检测电路所获取的半导体压力传感器第三电极和第四电极上各自的应变电压，并根据第三电极和第四电极上各自的应变电压计算得到第三电极和第四电极之间的应变电压差；
[0063]另一种情况是，在触控显示屏中与半导体压力传感器相连接的电压检测电路包括减法电路。此时，由减法电路根据第三电极和第四电极所获取的应变电压计算得到第三电极和第四电极之间的应变电压差。处理器直接获取减法电路输出的应变电压差。
[0064]S130、所述处理器根据所述触控显示屏上的触控位置信息，以及所述半导体压力传感器的应变电压差，计算得到触控压力。
[0065]在获取触控显示屏上的触控位置信息以及半导体压力传感器的应变电压差后，处理器根据触控显示屏上的触控位置信息、半导体压力传感器的应变电压差以及预设的触控压力计算规则，计算得到触控压力的大小。
[0066]上述触控压力计算方法可以识别本发明任意实施例所提供的触控显示屏的触控位置信息，并且计算触控压力的大小，具备该上述实施例提供的触控显示屏的有益效果。
[0067]注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种玻璃基板，其特征在于，包括至少两个半导体压力传感器、偏置电压施加电路和电压检测电路； 所述偏置电压施加电路分别与所述半导体压力传感器的第一连接端和第二连接端电连接，用于向所述半导体压力传感器施加偏置电压，所述电压检测电路分别与所述半导体压力传感器的第三连接端和第四连接端电连接，用于获取所述半导体压力传感器的应变电压，所述第一连接端和所述第二连接端所在的第一直线与所述第三连接端和所述第四连接端所在的第二直线相交。2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，所述偏置电压施加电路包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一连接端电连接，所述第二电极与所述第二连接端电连接，所述电压检测电路包括第三电极和第四电极，所述第三电极与所述第三连接端电连接，所述第四电极与所述第四连接端电连接，所述第一电极和所述第二电极用于向所述半导体压力传感器施加所述偏置电压，所述第三电极和所述第四电极用于获取所述半导体压力传感器的所述应变电压。3.根据权利要求2所述的玻璃基板，其特征在于，所述半导体压力传感器为至少包括四个边的多边形结构，所述连接端分别设置于所述多边形结构的一个边上。4.根据权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，所述第一直线与所述第二直线正交。5.根据权利要求2所述的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述至少两个半导体压力传感器设置在所述非显示区域内。6.根据权利要求5所示的玻璃基板，其特征在于，所述显示区域为矩形，所述显示区域四个边外侧均设置有所述半导体压力传感器。7.根据权利要求5所述的玻璃基板，其特征在于，与所述半导体压力传感器相邻的所述玻璃基板边缘与所述第一直线的夹角为10°?80°。8.根据权利要求5所述的玻璃基板，其特征在于，所述电压检测电路还包括设置在所述玻璃基板的非显示区的减法电路，所述减法电路的第一输入端与所述第三电极电连接，所述减法电路的第二输入端与所述第四电极电连接，用于获取所述半导体压力传感器的应变电压差。9.根据权利要求8所述的玻璃基板，其特征在于，所述减法电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和运算放大器，所述第一电阻的第一端与所述第三电极电连接，所述第一电阻的第二端分别与所述运算放大器的反相输入端和所述第二电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端与所述运算放大器的输出端电连接，所述第三电阻的第一端与所述第四电极电连接，所述第三电阻的第二端与所述运算放大器的正相输入端和所述第四电阻的第一端电连接，所述第四电阻的第二端接地。10.根据权利要求2所述的玻璃基板，其特征在于，所述半导体压力传感器为非晶硅材料膜或多晶硅材料膜制成。11.根据权利要求10所述的玻璃基板，其特征在于，所述半导体压力传感器由多晶硅材料膜制成时，所述多晶硅材料膜的厚度为1nm?200nmo12.根据权利要求11所述的玻璃基板，其特征在于，所述多晶硅材料膜的面掺杂浓度为11Vcm2 ?11Vcm2013.根据权利要求10所述的玻璃基板，其特征在于，所述半导体压力传感器为P型掺杂或N型掺杂。14.根据权利要求10所述的玻璃基板，其特征在于，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极为非晶硅材料膜制成，或者所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极为多晶硅材料膜制成，且均与所述半导体压力传感器的掺杂类型相同。15.根据权利要求14所述的玻璃基板，其特征在于，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极的掺杂浓度均大于所述半导体压力传感器的掺杂浓度。16.根据权利要求1-15任一所述的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板为阵列基板。17.根据权利要求16所述的玻璃基板，其特征在于，所述阵列基板的显示区域设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层与所述半导体压力传感器在同一膜层。18.根据权利要求16所述的玻璃基板，其特征在于，所述阵列基板的非显示区域设置有显示驱动电路，所述偏置电压施加电路中的第一电极和第二电极中至少一个与所述显示驱动电路中的信号线电连接，以向所述半导体压力传感器施加偏置电压。19.一种触控显示屏，其特征在于，包括权利要求1?18任一所述的玻璃基板，以及触控检测电路，所述触控检测电路用于获取所述触控显示屏上的触控检测信号。20.根据权利要求19所述的触控显示屏，其特征在于，所述触控检测电路与所述半导体压力传感器设置在同一玻璃基板上，或不同玻璃基板上。21.根据权利要求20所述的触控显示屏，其特征在于，所述触控检测电路设置在阵列基板上。22.根据权利要求19-21任一所述的触控显示屏，其特征在于，还包括处理器，所述处理器的第一输入端与所述触控检测电路电连接； 以及所述处理器的第二输入端分别与电压检测电路的第三电极和第四电极电连接，或者，在所述玻璃基板的非显示区域还设置有减法电路时，所述处理器的第二输入端与所述减法电路的输出端电连接； 所述处理器用于根据所述触控检测信号获取触控显示屏上的触控位置信息，根据所述触控显示屏上的触控位置信息和所述半导体压力传感器的应变电压差，计算得到触控压力。23.—种针对权利要求22所述的触控显示屏的触控压力计算方法，其特征在于，包括: 处理器获取触控检测电路检测得到的触控检测信号，并根据所述触控检测信号获取触控显示屏上的触控位置信息； 所述处理器还获取半导体压力传感器的应变电压差； 所述处理器根据所述触控显示屏上的触控位置信息，以及所述半导体压力传感器的应变电压差，计算得到触控压力。
【专利摘要】本发明实施例公开了一种玻璃基板、触控显示屏及触控压力计算方法，该玻璃基板包括至少两个半导体压力传感器、偏置电压施加电路和电压检测电路；所述偏置电压施加电路分别与所述半导体压力传感器的第一连接端和第二连接端电连接，用于向所述半导体压力传感器施加偏置电压，所述电压检测电路分别与所述半导体压力传感器的第三连接端和第四连接端电连接，用于获取所述半导体压力传感器的应变电压，所述第一连接端和所述第二连接端所在的第一直线与所述第三连接端和所述第四连接端所在的第二直线相交。本发明实施例提供的技术方案，能够实现将上述半导体压力传感器集成到触控显示屏内部的效果。
【IPC分类】G06F3/041
【公开号】CN105511679
【申请号】CN201510995693
【发明人】卢峰, 姚绮君, 刘亮, 马少龙, 翟应腾
【申请人】上海天马微电子有限公司, 天马微电子股份有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月25日