一种cpu散热装置的制造方法_2

文档序号:10157836阅读:来源:国知局
本发明的实施方式进行详细描述。
[0024]实施例一
[0025]如图1所示,一种CPU散热装置。包括导热片1和半导体制冷片2,导热片1设置在半导体制冷片2的冷端面21和CPU芯片3的表面之间。导热片1分别与冷端面21和CPU芯片3的表面紧密贴合,以保证它们之间良好的热传递。
[0026]如图2为半导体制冷片2的结构示意图,包括用于吸热的冷端面21、用于散热的热端面22、设置在冷端面21和热端面22之间的N型半导体23和P型半导体24、连接N型半导体23和P型半导体24的金属导体25。金属导体25设置用于电连接电源的正负电极。
[0027]N型半导体23或者P型半导体24内夹有石墨烯层26。N型半导体23内的石墨烯层为掺杂有H2或者其他可以增加石墨烯失电子能力的杂质的N型掺杂石墨烯层;P型半导体24内的石墨烯层为掺杂有N02或者其他可以增加石墨烯得电子能力的杂质的P型掺杂石墨烯层。石墨烯具有极高的导热率极高的电子迀移率和导电率,能够促使P型半导体24或者N型半导体23以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极。同时,石墨烯极高的导热性能可以提高所述半导体制冷片内的热量转移速度和能力。使得冷端面21持续产生冷量,热端面22持续产生热量,提高半导体制冷片热冷端的温度差。
[0028]为了使半导体制冷片制冷能力达到最佳,也可以在N型半导体23和P型半导体24内均设置石墨烯层26,。此时,需保证N型半导体23具有石墨烯纯度高于P型半导体24的P型掺杂石墨烯层的石墨烯纯度的N型掺杂石墨烯层。
[0029]如图3为半导体制冷片2的另一种结构示意图,包括用于吸热的冷端面21、用于散热的热端面22、设置在冷端面21和热端面22之间的N型半导体23和P型半导体24、连接N型半导体23和P型半导体24的金属导体25。金属导体25设置用于电连接电源的正负电极。
[0030]N型半导体或者P型半导体添加石墨烯颗粒27。N型半导体3内的石墨烯颗粒为掺杂有H2或者其他可以增加石墨烯失电子能力的杂质的N型掺杂石墨烯颗粒;P型半导体4内的石墨烯颗粒为掺杂有N02或者其他可以增加石墨烯得电子能力的杂质的P型掺杂石墨烯颗粒。石墨烯具有极高的导热率极高的电子迀移率和导电率,能够促使P型半导体24或者N型半导体23以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极。同时,石墨烯极高的导热性能可以提高所述半导体制冷片内的热量转移速度和能力。使得冷端面21持续产生冷量,热端面22持续产生热量,提高半导体制冷片热冷端的温度差。
[0031]为了使半导体制冷片制冷能力达到最佳,也可以在N型半导体3和P型半导体4内均添加石墨稀层颗粒。此时,需保证N型半导体3中添加的石墨稀颗粒的石墨稀纯度高于P型半导体4中添加的石墨烯颗粒的石墨烯纯度。
[0032]上述把半导体制冷片只需要提供12V的直流电便可以开启工作,通电3S内其冷端面21温度可以下降至-50°C。导热片1导热连接半导体制冷片的冷端面21和CPU芯片,将CPU芯片产生的热量传递至冷端面21被吸收,及时地对CPU进行散热。导热片1可以为添加有石墨烯材料的石墨烯导热片,提高导热性能。同时,半导体制冷片的热端面产生热量,温度大约达到l〇〇°C。为了将热端面22产生的热量及时带走,提高半导体制冷片持续制冷的能力,可在热端面22设置散热装置3。散热装置3可包括石墨烯散热片31,石墨烯散热片为添加有石墨烯材料的石墨烯散热层,利用石墨烯超高的导热性能及时散发热端的热量。
[0033]虽然结合附图描述了本实用新型的实施方式,但是本领域普通技术人员可以在所附权利要求的范围内做出各种变形或修改。
【主权项】
1.一种CPU散热装置(3),包括导热片(1)和半导体制冷片(2);所述导热片(1)设置在所述半导体制冷片(2)的冷端(21)面和CPU芯片的表面之间,导热连接所述半导体制冷片(2)的冷端(21)面和CPU芯片的表面;其特征在于:所述半导体制冷片(2)的N型半导体(23)设置石墨烯层(26),或者所述半导体制冷片(2)的P型半导体(24)设置石墨烯层(26),或者所述半导体制冷片(2)的N型半导体(23)和P型半导体(24)均设置石墨烯层(26)。2.根据权利要求1所述的一种CPU散热装置(3),其特征在于:所述P型半导体(24)设置石墨烯层,所述N型半导体(23)具有石墨烯纯度高于所述P型半导体(24)的石墨烯层的石墨烯纯度的石墨烯层。3.根据权利要求1或2所述的一种CPU散热装置(3),其特征在于:所述半导体制冷片(2)的热端(22)面设置散热装置(3)。4.根据权利要求3所述的一种CPU散热装置(3),其特征在于:所述散热装置(3)包括石墨烯散热片(31)。5.根据权利要求1或2所述的一种CPU散热装置(3),其特征在于:所述导热片(1)为石墨烯导热片。
【专利摘要】本实用新型涉及一种CPU散热装置,尤其涉及一种CPU散热装置。包括导热片和半导体制冷片;所述导热片设置在所述半导体制冷片的冷端面和CPU芯片的表面之间,导热连接所述半导体制冷片的冷端面和CPU芯片的表面;其特征在于:所述半导体制冷片的N型半导体设置石墨烯层,或者所述半导体制冷片的P型半导体设置石墨烯层,或者所述半导体制冷片的N型半导体和P型半导体均设置石墨烯层。提高所述半导体制冷片热冷端的温度差。即使所述热端面并未设置散热装置所述半导体制冷片也能保护其不会烧毁,保证其正常工作。
【IPC分类】G06F1/20
【公开号】CN205068279
【申请号】CN201520825086
【发明人】唐玉敏, 虞红伟, 张明亮, 刘巍, 余金金
【申请人】唐玉敏, 虞红伟
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年10月24日
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